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公开(公告)号：CN109585667B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811525079.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种电光纳米涂料结构器件，包括：依次复合的基底、电子输运层、电介质层、发光涂料层、导电层和封装层，以及分别与电子输运层和导电层相连的正负电极，所述发光涂料层由发光纳米涂料制备而成，所述发光纳米涂料包括发光纳米材料和溶剂。本发明提供的电光纳米涂料结构器件中发光涂料层所用的发光涂料具有颜色多种可选、稳定性高、成本低、合成工艺简单且光量子效率高等特点。相比传统涂料工艺，本发明利用电致发光原理在不改变涂料原有的优良附着力的情况下，掺入纳米电光材料，在白天发光图案被隐藏于环境之中，黑暗环境时通电可视发光图形。
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公开(公告)号：CN110416065B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910688508.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。
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公开(公告)号：CN110416065A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910688508.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600-700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。
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公开(公告)号：CN109585667A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811525079.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种电光纳米涂料结构器件，包括：依次复合的基底、电子输运层、电介质层、发光涂料层、导电层和封装层，以及分别与电子输运层和导电层相连的正负电极，所述发光涂料层由发光纳米涂料制备而成，所述发光纳米涂料包括发光纳米材料和溶剂。本发明提供的电光纳米涂料结构器件中发光涂料层所用的发光涂料具有颜色多种可选、稳定性高、成本低、合成工艺简单且光量子效率高等特点。相比传统涂料工艺，本发明利用电致发光原理在不改变涂料原有的优良附着力的情况下，掺入纳米电光材料，在白天发光图案被隐藏于环境之中，黑暗环境时通电可视发光图形。
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