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公开(公告)号：CN109212402B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811156093.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种发光二极管内量子效率测量方法，包括测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值；根据全电流区间的外量子效率，除以光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。通过本发明的小电流区域测量的光提取效率，可扩展在全电流区间，容易求出全电流区间的内量子效率。
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公开(公告)号：CN111812867A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010709508.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体电光调制器及其制作方法，包括衬底、在衬底上通过溅射抬离或者电镀形成的电极、在电极与衬底上沉积形成的键合层、对键合层抛光处理后键合形成的电光材料薄膜、在电光材料薄膜上刻蚀形成的光子晶体线缺陷波导、以及填充于光子晶体线缺陷波导中除线缺陷两侧第一排空气孔以外的其余空气孔内的金属柱；位于线缺陷两侧的金属柱之间分别通过相应的电极实现电连接，且位于线缺陷两侧第一排空气孔的下方未设置电极和键合层。本发明可实现光波导区域调制电场的紧束缚，利用光子晶体的慢光效应增强电光相互作用以降低半波电压长度积，实现器件的小型化。采用周期容性负载电极来实现微波与光波的速度匹配，兼顾高频调制特性。
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公开(公告)号：CN106410607B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201611027155.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/125 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/0625 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种有源光相控阵光子集成芯片及其制备方法，其中，芯片包括：相干激光器阵列，以通过同一材料和工艺实现的主‑从激光器，通过单向注入锁定方式使多个从激光器中各个从激光器之间具有相同频率和固定相位的良好相干性；光相位调制器阵列，以通过电信号调制方式控制多个光相位调制器中各个光相位调制器对光的相位延迟；过渡波导阵列和光场辐射阵列，用于调整不同从激光器发出的、经过不同光相位调制器而具有不同光相位延迟的相干光束进行波束和发射位置，以根据相位延迟之区别决定相干叠加光束出射方向。该集成芯片可以集成在同一个基底上，输出光的总功率由各个从激光器相干叠加而成，兼有芯片集成化和出射功率高的优点。
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公开(公告)号：CN105997342B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610537333.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种视网膜内膜的视觉假体，包含体外控制器、体外连接电缆、体外发射天线、体内接收器、体内连接电缆和视觉刺激芯片，视觉刺激芯片为光敏芯片，放置在视网膜内膜，产生的电信号直接刺激视网膜内膜的视神经细胞。本发明具有直接并行刺激视神经细胞、无需额外电信号转换、可弯曲延展、与人眼原有的光学系统兼容性较好等优点。
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公开(公告)号：CN108808442A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810714759.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S5/1082 , H01S5/4031
Abstract: 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742449B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610199036.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤：提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一透明导电且表面粗糙的电极层。本发明提供的发光二极管的电极制备方法，在室温下沉积金属薄膜，不仅节约能源，而且沉积金属薄膜时设备的真空度容易维持，有利于图形电极的制备，从而降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN105742387B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610112141.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构1041～104N，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为AlyGa1‑yN，最上部的材料为AlzGa1‑zN，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为AlcGa1‑cN，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。本发明还提供了该半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN103927421B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410165950.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种三维光学系统的实现方法，包括：建立光源和目标光分布之间的映射关系；根据光学系统表面上任意一个初始点获得所述光学系统表面的所有特征点的法线矢量和坐标以确定光学系统的初始三维模型；对所述初始三维模型的照明效果进行仿真，并根据仿真结果依次按照照明区域边界控制和照明区域内光能分布控制对所述初始三维模型进行分步优化，从而获得光学系统的最终三维模型以实现光分布质量的优化。根据本发明的实施例可灵活地针对面光源设计高紧凑型的三维自由曲面光学系统，在实现复杂光分布要求的同时可以充分利用光源的能量，该方法具有简单、快速、灵活、高效且适用性强的优点。
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公开(公告)号：CN106410607A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611027155.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/125 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/06246 , H01S5/06256 , H01S5/125 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种有源光相控阵光子集成芯片及其制备方法，其中，芯片包括：相干激光器阵列，以通过同一材料和工艺实现的主-从激光器，通过单向注入锁定方式使多个从激光器中各个从激光器之间具有相同频率和固定相位的良好相干性；光相位调制器阵列，以通过电信号调制方式控制多个光相位调制器中各个光相位调制器对光的相位延迟；过渡波导阵列和光场辐射阵列，用于调整不同从激光器发出的、经过不同光相位调制器而具有不同光相位延迟的相干光束进行波束和发射位置，以根据相位延迟之区别决定相干叠加光束出射方向。该集成芯片可以集成在同一个基底上，输出光的总功率由各个从激光器相干叠加而成，兼有芯片集成化和出射功率高的优点。
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公开(公告)号：CN105552188A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510940001.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n-GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n-GaN层的上表面包括平整表面和V形坑。本发明还公开了一种半导体结构的制造方法。
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