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公开(公告)号：CN118136680A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410553699.8
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种双载流子LDMOS器件及制造方法。包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区及背栅极，埋氧化层形成于衬底的上表面，P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，N型源区与P型体区相接，N型漏区与N型漂移区相接。P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构，使N型漂移区的底部形成P型沟道；N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构，使P型体区的表面形成N型沟道。本发明同时利用P型沟道中空穴和N型沟道中电子的流动，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN117940000A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311819620.3
申请日：2023-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种基于GOI衬底的场效应晶体管磁传感器及其制备方法，涉及传感器领域。本发明采用GOI衬底制备场效应晶体管进行磁传感应用器件具有以下优点：1)厚度很小，利用MOS器件进行磁感应；2)器件尺寸小，有利于提高系统集成度；3)与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4)灵敏度高，锗的空穴迁移率高于传统硅基空穴迁移率，能够在高精度环境下使用。因此，本发明传感器在运动传感、智能医疗及汽车等多个领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117929702A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311848632.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N33/487 , G01N27/414 , G01N27/403
Abstract: 本发明公开了一种基于延展栅MOSFET的细胞膜电位传感器及其应用，涉及传感器领域。本发明传感器具有以下优点：1)灵敏度高，加入体接触电极调制阈值电压，增强了对电阻对细胞膜电位的敏感度；2)器件尺寸小，CMOS等比例微缩技术同样适用于细胞膜电位传感器的制备，有利于更新迭代；3)与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4)初始电阻可调范围大，可以充分适应后续读出电路的设计。因此基于延展栅MOSFET制备的细胞膜电位传感器具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117928788A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311863743.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种压力传感器件及其制备方法与应用。本发明传感器具有以下优点：1)灵敏度高，电流的大小与开启电压呈指数关系；2)器件尺寸小，镍硅合金/硅肖特基结尺寸可小至几十纳米，远小于目前电阻应变片和MEMS型压力传感器的尺寸，有利于提高系统集成度；3)与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成，有利于产品更新迭代。因此，本发明传感器在运动传感、医疗及移动电子产品等多个领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114895560B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210441986.0
申请日：2022-04-25
Applicant: 浙江大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开一种电动机堵转条件下足式机器人物体追踪自适应控制方法，属于智能机器人技术领域。创建电动机堵转条件下足式机器人动力学仿真环境；训练上层控制器用于根据机器人状态输出上层控制指令，包含前进、后退、左转、右转和停止指令；下层控制器基于多层感知机构建前向动力学模型并训练。当需要对电动机位置控制指令进行选择时，基于上层控制指令得到相应的下层奖励函数，基于前向动力学模型获得一组电动机动作分布对应的预测状态，基于该预测状态与下层奖励函数获得该组动作的回报值，以增大回报值为目标，不断优化电动机动作分布的均值与方差，直到达到指定轮数，将最后一轮分布的动作均值作为机器人电动机下一步执行的动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114363016B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111564710.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于关键词的隐私保护流量检测方法。该方法主要包括如下步骤：1)关键词提取：基于正则表达式，提取出关键词集合；2)流量处理：找出流量中匹配到关键词的位置，将未匹配的部分替换为脱敏信息；3)流量检测：使用正则表达式检测处理后的流量并记录检测结果4)数据校验：校验数据完整性，确保检测系统正常工作。本发明首次提出了基于关键词的中间盒隐私保护流量检测技术，在保护用户流量隐私的同时达到与明文检测相似的精准度，适用于当前以高频率短连接为主的网络环境，效果优于现有方法，且具有效率高、延迟低、方便部署等特点。
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公开(公告)号：CN115763553A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211276898.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于FeFET结构的真随机数发生器、制备及使用方法。制造该器件首先在硅衬底上刻蚀形成沟道区域，沉积多晶硅，形成多晶硅沟道；其次分别沉积氧化层、铁电层和栅电极层，通过光刻和刻蚀形成铁电场效应晶体管的栅极结构；最后在栅极两侧形成铁电场效应晶体管的源漏区域，形成FeFET器件，完成真随机数发生器的制备。真随机数发生器通过外围电路测量FeFET器件的导通电阻作为真随机数。本发明利用FeFET的铁电层在极化翻转过程中发生翻转的第一个铁电畴的位置和电压具有随机性，在晶体管性能上的表现为阈值电压的随机变化，产生随机变化的导通电阻，实现真随机数的发生。该真随机数发生器结构简单、易于集成、功耗低且具有CMOS兼容性。
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公开(公告)号：CN115711929A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211333575.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/533 , G01N33/543 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法，该设备利用了间接免疫荧光测定方法，将光信号转换成电信号对抗原进行检测；该设备由场效应晶体管、硅光波导环形谐振器、储液槽三部分构成，三部分均在同一个绝缘层上硅衬底上制备而成；绝缘层上硅膜刻蚀形成硅光波导环形谐振器，硅光波导环形谐振器的直波导的一端作为光输入端口与储液槽相连，另一端作为光输出端口与场效应晶体管的沟道相连；储液槽表面进行修饰，用于滴加待检测样品并固定样品中抗原。本发明可以很好的将免疫检测与集成电路制造工艺结合，降低检测成本以及操作难度。
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公开(公告)号：CN115692474A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211348373.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/47 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于锗的杂质分凝源漏的场效应晶体管及其制备方法。首先在锗衬底上沉积栅氧化层和金属栅层，通过光刻和刻蚀形成场效应晶体管的栅极结构；其次在栅极两侧形成场效应晶体管的肖特基结源漏区域，形成场效应晶体管器件。在制备源端时，采用与衬底掺杂相反的杂质分凝肖特基结，以提高源端的载流子注入电流速度，进一步提高沟道载流子的速度，提高器件的工作电流。同时在制备漏端时，采用与衬底掺杂相同的杂质分凝肖特基结，以减小漏端的电场强度，进一步减小高速载流子对晶格的碰撞，减少热电子效应，增强器件可靠性。本发明能够通过调节源漏肖特基势垒高度，有效提升器件的驱动电流，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112308157B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011222998.1
申请日：2020-11-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向决策树的横向联邦学习方法，该方法包括：所有参与者基于二分法查找数据特征集合中每个特征的分位数草图；参与者根据分位数草图，利用本地持有数据特征，为每个特征构建局部直方图；在所有局部直方图添加满足差分隐私的噪声，并通过安全聚合方法处理后发送给协调者；所述协调者将每个特征的局部直方图合并为一个全局的直方图，并根据所述直方图训练第一棵决策树的根节点；所述协调者将所述节点信息发送给其余参与者；所有参与者更新局部直方图并重复以上过程进行训练，得到训练好的决策树。本发明的横向联邦学习方法具有使用简便、训练高效等优点，可以保护数据隐私，为数据保护水平提供量化支持。
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