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公开(公告)号：CN108863358B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810756510.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。
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公开(公告)号：CN108558391B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108516823B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810668010.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN111484326A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010271654.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C09K11/78
Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.01～0.06，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有较好的透光性能和上转换光致发光性能以及铁电性能，是一种多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN111138177A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010020756.8
申请日：2020-01-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高温稳定性的铁酸铋-锌钛酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为xBi1.05FeO3-yBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、Li2CO3中的一种或两种烧结助剂的组合；x、y、t、m表示摩尔分数，且0.50≤x≤0.90，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109704757A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910025697.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1-y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3-yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。
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公开(公告)号：CN108863358A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810756510.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。
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公开(公告)号：CN108706971A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN106098420B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610587694.2
申请日：2016-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。
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公开(公告)号：CN107151138A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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