-
公开(公告)号：CN111952270A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
-
公开(公告)号：CN111952260B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010408972.X
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；第一半导体元件，位于上侧导电板与中间导电板之间，分别与上侧导电板和中间导电板电连接；第二半导体元件，位于中间导电板与下侧导电板之间，分别与中间导电板和下侧导电板电连接；以及密封体，密封第一半导体元件以及第二半导体元件，并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部，主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合，露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
-
公开(公告)号：CN111435646B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010027816.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 门口卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , C22C13/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制用于半导体装置的部件表面的金属的扩散的技术。公开一种具有包含半导体元件在内的多个部件的半导体装置的制造方法。制造方法包括下述工序：配置工序，将多个部件的其中一个即第一部件的一个表面、和多个部件中的另一个即第二部件的一个表面，隔着锡(Sn)类焊料相对配置；以及热处理工序，通过使Sn类焊料熔融及凝固，而将第一部件和第二部件接合。第一部件的至少一个表面由镍(Ni)类金属构成，第二部件的至少一个表面由铜(Cu)构成。
-
公开(公告)号：CN115244689A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080096322.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面，在第1表面中与第1半导体元件的第1电极电连接。第1绝缘层设在第1导体板的第1表面上，将第1表面的一部分覆盖。导体电路图案设在第1绝缘层上。导体电路图案具有与第1半导体元件电连接的至少一个第1导体线路，至少一个第1导体线路包括与第2电极电连接的导体线路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630652B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810224113.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上，设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内，并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时，金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
-
公开(公告)号：CN111952260A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010408972.X
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；第一半导体元件，位于上侧导电板与中间导电板之间，分别与上侧导电板和中间导电板电连接；第二半导体元件，位于中间导电板与下侧导电板之间，分别与中间导电板和下侧导电板电连接；以及密封体，密封第一半导体元件以及第二半导体元件，并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部，主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合，露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
-
公开(公告)号：CN111354710A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911319896.9
申请日：2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。
-
公开(公告)号：CN111952270B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
-
公开(公告)号：CN111354710B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201911319896.9
申请日：2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.057 seconds)
