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公开(公告)号：CN109994540B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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公开(公告)号：CN109428559B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201810977998.9
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明的课题在于提供一种搭载了高次谐波的控制性提高的功率放大电路的半导体装置。为此，半导体装置具备：芯片，具有与由相互交叉的第一方向以及第二方向规定的平面平行的主面；功率放大器，将输入信号放大并从多个输出端子输出放大信号；和第一滤波器电路及第二滤波器电路，使放大信号的高次谐波衰减，第一滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第一电容器，第二滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第二电容器，在芯片的主面上，多个输出端子沿着第一方向排列配置，第一电容器以及第二电容器分别配置在多个输出端子的第一方向侧以及第一方向的相反侧。
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公开(公告)号：CN114649275A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553234.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/34 , H01L23/528 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够根据温度适当地抑制输出电压的功率放大器。在包括半导体区域的第一部件的第一面接合包括化合物半导体系的半导体区域的第二部件。第二部件包括：放大电路，包括化合物半导体系的半导体元件；以及多个钳位二极管，连接成多级并插入在放大电路的输出端口与地线之间。第一部件包括：开关，连接在引出点与地线之间，该引出点是连接成多级的多个钳位二极管的中途的点；温度传感器；以及开关控制电路，基于温度传感器的测定结果进行开关的接通断开控制。引出点与开关经由包括配置在从第一部件的第一面到第二部件的表面的层间绝缘膜之上的由金属图案构成的部件间连接布线的路径、或者经由与第一部件和第二部件接合的界面交叉的路径连接。
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公开(公告)号：CN114628357A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111516855.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/528 , H01L23/66 , H03F3/19 , H03F3/21
Abstract: 本发明提供在包含元素半导体系的半导体元件和化合物半导体系的半导体元件的高频电路中，能够减少寄生电感的半导体装置。由元素半导体系的半导体元件构成的开关设置于第一部件。设置有包含化合物半导体系的半导体元件的高频电路的第二部件与第一部件接合。开关和高频电路通过路径连接。该路径包含由配置在从第二部件的表面到第一部件的表面的层间绝缘膜上的金属图案构成的部件间连接布线、或者使电流在与第一部件和第二部件接合的界面交叉的方向上流动的导电部件。
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公开(公告)号：CN114285384A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110951931.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在输入频率不同的两个信号的结构中，能够抑制频率所引起的放大率的下降的功率放大电路。功率放大电路具备：第1布线，被供给具有第1频率的第1信号；第2布线，被供给具有与所述第1频率不同的第2频率的第2信号；第1放大电路，对通过所述第1布线被供给的所述第1信号进行放大，将第1放大信号供给到所述第2布线；和第2放大电路，对通过所述第2布线被供给的信号进行放大，输出第2放大信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113472304A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110329911.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够不受反射波的影响并在负载变动时抑制功率增益的功率放大电路。具备：第1放大器，将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号；第2放大器，将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号；偏置电路，向所述第1放大器或所述第2放大器供给偏置电流或电压；和偏置调整电路，基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号对所述偏置电流或电压进行调整，所述偏置调整电路包含在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号且阴极与接地连接的第1二极管，所述偏置电路包含基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或电压的偏置晶体管。
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公开(公告)号：CN111725207A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
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公开(公告)号：CN110518883A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910405502.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种使输出信号的相位的线性提高的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管，将第一信号放大并输出第二信号；第二晶体管，将第二信号放大并输出第三信号；偏置电路，对第二晶体管的基极供给偏置电流；以及偏置调整电路，通过对第一信号进行检波，从而调整偏置电路供给的偏置电流，偏置调整电路通过从偏置电路提取大小与第一信号的大小相应的电流，从而控制对第二晶体管的基极供给的偏置电流，第一信号的大小越大，电流越大。
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公开(公告)号：CN110021595A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910018835.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
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公开(公告)号：CN109994540A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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