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公开(公告)号：CN110114718B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880005141.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L29/786
Abstract: 实现适合于大型化的显示装置。该显示装置包括第一至第三布线、第一晶体管、第一至第三导电层以及第一像素电极，第一布线在第一方向上延伸并与第二及第三布线交叉，第二和第三布线都在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第一晶体管的栅极与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的一个通过第一至第三导电层电连接于第二布线，第二导电层具有与第三布线重叠的区域，第一导电层、第三导电层以及第一像素电极包含同一材料，第一布线及第二导电层包含同一材料，第一布线被供应选择信号，并且，第二及第三布线分别被供应不同的信号。
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公开(公告)号：CN116830283A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280012657.2
申请日：2022-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04
Abstract: 本发明的一个方式的目的是：实现一种能够实现二次电池的高容量密度化的制造方法；提供一种安全性或可靠性高的二次电池的制造方法。该二次电池的电极(正极、负极)的制造方法包括对电极赋予振动的振动处理工序及对电极施加压力来压缩电极所包含的活性物质层的加压工序，并且在进行上述加压工序之前进行振动处理工序。
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公开(公告)号：CN116806447A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202280010956.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有检测出接触或靠近显示部的物体的功能的显示装置。显示装置包括发光元件及受光元件。发光元件包括第一像素电极、第一功能层、发光层、公共层及公共电极，受光元件包括第二像素电极、第二功能层、受光层、公共层及公共电极。第一功能层包括空穴注入层和电子注入层中的一个，第二功能层包括空穴传输层和电子传输层中的一个。在发光元件中公共层被用作空穴注入层和电子注入层中的另一个，在受光元件中被用作空穴传输层和电子传输层中的另一个。
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公开(公告)号：CN116803210A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280010483.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种兼具高显示品质及高清晰度的显示装置。显示装置包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。在第一像素电极与第二像素电极之间设置有包含无机绝缘材料的绝缘层。绝缘层包括与第一EL层重叠的第一区域、与第二EL层重叠的第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域。第一EL层的侧面及第二EL层的侧面对置且分别位于绝缘层上。公共电极沿着第一EL层的侧面、第二EL层的侧面及绝缘层的顶面设置。绝缘层的宽度为第一像素电极与第二像素电极之间的距离的2倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN116782639A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772146.7
申请日：2017-01-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L27/06 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110518017B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910418591.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN116745836A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280008958.8
申请日：2022-01-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括第一层、第二层及第三层。第一层、第二层及第三层分别设置在不同层中。第一层包括驱动电路及功能电路。第二层包括像素电路。第三层包括显示元件。像素电路具有控制显示元件的发光的功能。驱动电路具有控制像素电路的功能。功能电路具有控制驱动电路的功能。第一层包括具有在沟道形成区域包含硅的半导体层的第一晶体管。第二层包括具有在沟道形成区域包含金属氧化物的半导体层的第二晶体管。
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公开(公告)号：CN116745833A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280009037.3
申请日：2022-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种高清晰显示装置及其制造方法。显示装置包括第一绝缘层、第一绝缘层上的发光元件及第一导电层、第一导电层上的第一层、第一层上的第二导电层、发光元件上、第二导电层上及第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三导电层。发光元件包括第四导电层、第四导电层上的第二层、第二层上的第三层、第三层上的第五导电层。第三导电层具有通过设置在第二绝缘层的第一开口与第二导电层接触的区域和通过设置在第二绝缘层的第二开口与第五导电层接触的区域。第二层包含发光化合物。第一导电层与第四导电层包含相同的材料。第一层与第三层包含相同的材料。第二导电层与第五导电层包含相同的材料。
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公开(公告)号：CN116601696A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180083581.8
申请日：2021-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种能够显示高品质图像的显示装置。一种显示装置，包括第一发光元件、第二发光元件、第一保护层、第二保护层和空隙。第一发光元件包括第一下部电极、第一下部电极上的第一EL层以及第一EL层上的第一上部电极，第二发光元件包括第二下部电极、第二下部电极上的第二EL层以及第二EL层上的第二上部电极。第一发光元件与第二发光元件相邻。第一保护层设置在第一发光元件上及第二发光元件上并具有与第一EL层的侧面及第二EL层的侧面接触的区域。第二保护层设置在第一保护层上。空隙设置在第一EL层与第二EL层间以及第一保护层与第二保护层间。
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公开(公告)号：CN116583896A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180081312.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/391
Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置或具有新颖结构的显示系统。该显示系统包括第一显示装置及第二显示装置，第一显示装置及第二显示装置都具有无线通信功能，第二显示装置具有像素密度比第一显示装置高的区域，显示系统具有利用无线通信功能将第一显示装置的屏幕或第一显示装置的屏幕的一部分显示在第二显示装置上的功能。第二显示装置的屏幕比例优选为1：1、4：3或16：9。
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