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公开(公告)号：CN100592520C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
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公开(公告)号：CN100553008C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580040713.X
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种发光元件，其包含有机化合物和无机化合物，而且具有低驱动电压。本发明的发光元件包括位于一对电极之间的多个层，所述多个层中包括一个层，其包含通式(1)表示的咔唑衍生物以及相对于所述咔唑衍生物表现出电子接受性质的无机化合物。通过使用这种结构，电子在咔唑衍生物和无机化合物之间传输，载流子在内部产生，因此可以降低发光元件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN1913192A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610111189.7
申请日：2006-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的目的是提供具有提高的发光效率、降低的驱动电压以及对于驱动时间改进的损耗程度的发光元件。根据包括第一电极；第二电极和两者之间形成的发光层叠体的发光元件，该发光层叠体至少具有按以下顺序的第一层、第二层和第三层，该第一层是具有载流子输运性质的层，该第三层是包括发射中心材料和其中分散了发射中心材料的基质材料的层，该第二层具有大于第一层且等于或大于基质材料的能隙，且该第二层具有大于等于0.1nm且小于5nm的厚度。
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公开(公告)号：CN1897775A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610121268.6
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/326 , H01L51/5052 , H01L51/5092 , H01L51/5265
Abstract: 在没有诸如电压和发光效率降低的不利后果下，改善了发光元件的色纯度。该发光元件含有发光层叠体，其包括在一对电极之间的发光层。缓冲层设置为与至少一个电极接触。电极中的一个为具有高反射率的电极，而另一个为半透明电极。通过提供半透明电极，光可以透过并被反射。电极之间的光学距离根据缓冲层的厚度调整，因此，光可以在电极之间共振。所述缓冲层由包含有机化合物和金属化合物的复合材料制成，因此，即使电极间的距离变大，发光元件的电压和发光效率也不会受到影响。
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公开(公告)号：CN1838447A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610068250.4
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/1362 , H01L45/00 , H01L51/0054 , H01L51/006
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在低电压下驱动，并且生产性高的非线性元件、具有非线性元件的元件衬底以及具有所述元件衬底的液晶显示器件。本发明的非线性元件的元件结构为，在第一电极和第二电极之间具有由含有无机化合物和有机化合物的复合材料构成的膜。此外，作为用于本发明的含有无机化合物和有机化合物的复合材料，采用在正向偏压和反向偏压的双方向上呈现非线性特性的复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1797605A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510118815.0
申请日：2005-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , H01L28/10
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据，并且可以防止因改写的伪造。此外，本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元，并串联连接或并联连接该存储单元，而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
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公开(公告)号：CN118370022A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280077242.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种使用难以形成氧加成物的主体材料并且发光效率高的荧光发光器件。或者，提供一种可靠性良好的电子器件或发光器件。提供一种在阳极和阴极之间至少包括发光层的发光器件，发光层包含作为呈现荧光发光的发光物质的第一有机化合物及具有荧蒽骨架的第二有机化合物，第一有机化合物的最大峰波长为λmax(nm)，在将第一有机化合物的发射光谱中的最大峰强度的1/e的强度所对应的波长设为λn(nm)，将λn(nm)中的比λmax更长波长一侧且最短的波长设为λ1(nm)，将λn(nm)中的比λmax更短波长一侧且最长的波长设为λ2(nm)的情况下，λ1与λ2之差为5nm以上且45nm以下。
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公开(公告)号：CN110998585B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201880041307.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F30/392
Abstract: 在短时间内进行不但满足设计规则且面积小的布局设计。本发明的一个方式是一种布局设计系统，该布局设计系统包括处理部，其中，处理部被输入电路图及布局设计信息，处理部具有根据电路图及布局设计信息进行Q学习生成布局数据的功能，处理部具有输出布局数据的功能，处理部包括第一神经网络，并且，第一神经网络在Q学习中估算动作值函数。
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公开(公告)号：CN116234777A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180072821.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种劣化原因的缺陷少或其发展得到抑制的正极活性物质。本发明是一种用于二次电池的正极活性物质，正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在对将正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，正极活性物质包括缺陷，缺陷的附近区域中至少包含与添加元素相同的元素。添加元素还包含在正极活性物质的表层部。
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公开(公告)号：CN110352596B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880015034.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N13/122 , G09G5/00
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置或显示系统。提供一种能够显示具有立体感的图像的半导体装置或显示系统。信号生成部利用人工知能取得关于图像场景的信息及关于图像深度的信息并能够根据这些信息以强调立体感的方式对图像数据进行校正。并且，通过将经图像数据的校正得到的图像信号提供给显示部可以在显示区域显示具有立体感的图像。
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