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公开(公告)号：CN1815372A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610051390.0
申请日：2006-01-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，首先，在衬底101上形成抗蚀膜102。之后在所形成的抗蚀膜102上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜103。接着，在第一阻挡膜103上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜104。接着，在将液体105供到第二阻挡膜104上的状态下透过第一阻挡膜103和第二阻挡膜104用曝光光106有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。接着，除去第一阻挡膜103和第二阻挡膜104后，再对已被图案曝光了的抗蚀膜102进行显像处理，而从抗蚀膜102形成抗蚀图案102a。因此，在湿浸式光刻中，能够提高除去阻挡膜时的溶解性(除去容易性)，形成具有良好的形状的微细图案。
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公开(公告)号：CN1799005A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02802642.X
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。
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公开(公告)号：CN1786820A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510116654.1
申请日：2005-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底(101)上形成抗蚀膜(102)。接着，在已形成的抗蚀膜(102)上形成含有碱性化合物即例如二环己基胺的阻挡膜(103)。接着，将含有硫酸铯的液体浸渍用液体(104)供到阻挡膜(103)上的状态下，用曝光光(105)透过阻挡膜(103)选择性地照射抗蚀膜(102)，进行图案曝光。接着，进行了图案曝光后去掉阻挡膜(103)，对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)还进行显像处理，形成形状良好的抗蚀图案(102a)。因此，能够防止用于浸渍光刻的液体浸渍用液体对抗蚀膜造成影响，得到形状良好的微细图案。
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公开(公告)号：CN1677233A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510063016.8
申请日：2005-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0043 , G03F7/0392
Abstract: 在基材上形成包含氧化钛的抗蚀膜后，利用波长小于或等400nm的光或者电子束选择性照射抗蚀膜进行图案曝光。图案曝光后，抗蚀膜被显影形成由抗蚀膜构成的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1637600A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081724.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/095
Abstract: 一种水溶性材料、化学放大型抗蚀剂以及图形形成方法，在抗蚀膜(102)上形成含有水溶性聚合物、酸生成剂以及形成可包合该酸生成剂的包合物的化合物的水溶性膜(103)。接着，借助水溶性膜(103)，对抗蚀膜(102)照射由NA为0.68的KrF准分子激光器发出的透过掩膜(104)的曝光光(105)，以进行图形曝光。然后，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)，使用电热板在105℃的温度下烘焙60秒。接着，在用水除去水溶性膜(103)之后，对已烘焙的抗蚀膜(102)进行显影，得到由抗蚀膜(102)的未曝光部构成的具有良好形状的抗蚀图形(102a)。根据本发明可以得到显影时不会生成表面难溶层且具有良好形状的微细化图形。
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公开(公告)号：CN1630035A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102204.2
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先，对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜，照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着，对曝光的抗蚀膜进行显影，从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着，在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后，在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着，加热水溶性膜，使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应，随后，通过除去水溶性膜的未反应部分，从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN1629734A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102205.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种使通过浸渍光刻法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。在基板(101)上形成抗蚀膜(102)，将形成的抗蚀膜(102)的表面暴露于含有具有亲水基的酸性化合物如醋酸的水溶液(103)中。然后，在暴露于水溶液(103)中的抗蚀膜102上配置浸渍溶液(104)，在此状态下，对抗蚀膜(102)进行选择性曝光光(105)照射二进行图形曝光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行显影，从而从抗蚀膜(102)形成抗蚀图形(102a)。
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公开(公告)号：CN1203525C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01805602.4
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社PD服务
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。
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公开(公告)号：CN1617306A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092387.4
申请日：2004-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1606128A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410080713.X
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：一个曝光部，该曝光部设置在一个腔体内，其用于对位于保护薄膜上的设计图案进行曝光，其中保护薄膜涂敷在一个晶片上；和一个液体回收部，该部用于将浸渍光刻技术所用的液体进送到晶片上，以在曝光过程中增加曝光光线的数值孔径，同时使液体循环流动。该液体回收部包括：一个液体供给部，该部用于将液体进送到晶片的保护薄膜上；一个液体排放部，该部用于排放和回收位于晶片上方的液体；和一个杂质清除部，该部用于容纳液体并将液体中所含的杂质清除掉。
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