公开(公告)号：CN111690339A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010170995.1

申请日：2020-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  市川智昭

IPC: C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J169/00 ,  C09J11/06 ,  H01L21/18

Abstract: 提供适于防止/抑制接合对象物间的烧结接合用材料的溢出且适于确保形成的烧结层的接合强度的、烧结接合用片、带基材的烧结接合用片、及带烧结接合用材料层的半导体芯片。烧结接合用片包含：含有导电性金属的烧结性颗粒和粘结剂成分，经过对5mm见方的Si芯片具有的银平面的规定条件下的加压处理从而转印到银平面上的烧结接合用材料层的面积相对于银平面的面积的比率为0.75～1。带基材的烧结接合用片即片体(X)具有包含基材和烧结接合用片的层叠结构。带烧结接合用材料层的半导体芯片具备半导体芯片和该烧结接合预定面上的源自烧结接合用片的烧结接合用材料层，烧结接合用材料层的面积相对于烧结接合预定面的面积的比率为0.75～1。

公开(公告)号：CN111383934A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911357387.5

申请日：2019-12-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  市川智昭

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L33/62

Abstract: 提供半导体装置制造方法，其包括：转印工序、临时固定工序和接合工序。转印工序中，使片材体X中的含有烧结性颗粒的接合用片材(10)一侧粘贴在半导体元件组件(20)中的接合对象部(21)后，将在接合用片材(10)中压接在接合对象部(21)上的部位作为接合用材料层(11)残留于该接合对象部(21)上且使其他部位伴随于基材B的同时，进行基材B的剥离。临时固定工序中，将带有接合用材料层(11)的接合对象部(21)借助该接合用材料层(11)临时固定在基板上。接合工序中，由夹设于临时固定的接合对象部(21)与基板之间的接合用材料层(11)经过加热过程形成接合层，将接合对象部(21)接合在基板上。

公开(公告)号：CN105826278B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610040558.1

申请日：2016-01-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  清水祐作 ,  丰田英志 ,  市川智昭

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种中空型电子器件密封用片，其可得到能够将中空型电子器件适宜地埋入热固化性密封用片并抑制了热固化性密封用片的上表面的凹凸的中空型电子器件封装件。一种中空型电子器件密封用片，其具有隔片和热固化性密封用片，隔片的厚度(mm)与25℃时的拉伸弹性模量(N/mm2)之积为200N/mm以上，热固化性密封用片在50℃～100℃范围内的最低熔融粘度为100kPa·s以上。

公开(公告)号：CN109790032A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061340.7

申请日：2017-08-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 畠山义治 ,  市川智昭 ,  增田将太郎 ,  前野洋平

IPC: C01B32/158 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供夹持力优异的碳纳米管集合体。本发明的碳纳米管集合体为由多个碳纳米管构成的片状的碳纳米管集合体，在该碳纳米管集合体的表面及/或背面，利用压入负荷设为500μN的纳米压痕法测得的凝集力N为3nJ以上。

公开(公告)号：CN102898781A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210260837.0

申请日：2012-07-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 岩重朝仁 ,  市川智昭 ,  襖田光昭 ,  杉本直哉

IPC: C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08L83/04 ,  C08K3/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08G59/621 ,  C08G77/18 ,  C08K3/013 ,  C08L61/06 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物和使用所述组合物的半导体装置。所述半导体封装用环氧树脂组合物包含如下成分(A)～(D)：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机填料；和(D)含有直接键合至硅原子的烷氧基并具有1.10～1.30的比重的聚硅氧烷化合物，所述直接键合至硅原子的烷氧基的量基于全部聚硅氧烷化合物为10～45重量%。

公开(公告)号：CN1289580C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200310114282.X

申请日：2003-11-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 喜井敬介 ,  萨摩道夫 ,  植谷庆裕 ,  山口睦子 ,  岸井丰 ,  村田修平 ,  市川智昭

IPC: C08J5/18 ,  C08J5/12 ,  H01M2/16

CPC classification number: H01M2/1653 ,  H01M2/022 ,  H01M2/1673 ,  H01M2/168 ,  H01M4/043 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0585 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明公开了一种电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜，该多孔膜在生产电池中，可作为电极/隔片叠层物而有效地生产电池，上述电极/隔片叠层物中电极与隔片暂时地相互粘接，从而在电极和隔片间不产生相互滑移，且在电池生产后该多孔膜自身起到隔片的作用，该隔片即使在高温下也具有较小的热收缩系数；本发明还公开了一种使用该负载有部分交联的粘合剂的多孔膜生产电池的方法。该电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜包括其上负载有部分交联的粘合剂的多孔膜基质，所述部分交联的粘合剂的部分交联是通过制备一个在分子中具有官能团、且可以与多官能化合物反应而交联的反应性聚合物，上述多官能化合物与前述官能团具有反应性，然后使反应性聚合物与多官能化合物反应。

公开(公告)号：CN1500823A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114282.X

申请日：2003-11-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 喜井敬介 ,  萨摩道夫 ,  植谷庆裕 ,  山口睦子 ,  岸井丰 ,  村田修平 ,  市川智昭

IPC: C08J5/18 ,  C08J5/12 ,  H01M2/16

CPC classification number: H01M2/1653 ,  H01M2/022 ,  H01M2/1673 ,  H01M2/168 ,  H01M4/043 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0585 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明公开了一种电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜，该多孔膜在生产电池中，可作为电极/隔片叠层物而有效地生产电池，上述电极/隔片叠层物中电极与隔片暂时地相互粘接，从而在电极和隔片间不产生相互滑移，且在电池生产后该多孔膜自身起到隔片的作用，该隔片即使在高温下也具有较小的热收缩系数；本发明还公开了一种使用该负载有部分交联的粘合剂的多孔膜生产电池的方法。该电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜包括其上负载有部分交联的粘合剂的多孔膜基质，所述部分交联的粘合剂的部分交联是通过制备一个在分子中具有官能团、且可以与多官能化合物反应而交联的反应性聚合物，上述多官能化合物与前述官能团具有反应性，然后使反应性聚合物与多官能化合物反应。