公开(公告)号：CN206524817U

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201621426364.7

申请日：2016-12-23

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 汪伦源 ,  费文军 ,  李金晶 ,  陈兴盛 ,  蔡庆刚 ,  陈在 ,  赵影

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/24

Abstract: 本实用新型揭示了一种X波段连续波放大器电路，包括放大器P1，所述放大器P1的输入端作为放大电路的信号输入端，所述放大器P1的输出端连接放大器P2的输入端，所述放大器P2的输出端连接隔离器I1的输入端，所述隔离器I1的输出端作为放大电路的信号输出端。本实用新型放大电路在X波段内具有4瓦连续波输出功率以及较大的增益大于45dB，输出隔离器提高了电路输出端口驻波，在X波段内输出驻波小于1.2，使得放大电路的性能得到了进一步提高，并且电路结构简单、工作可靠，保障了有源相控阵雷达系统的工作稳定性。

公开(公告)号：CN206364772U

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201621422706.8

申请日：2016-12-23

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 汪伦源 ,  费文军 ,  李金晶 ,  陈兴盛 ,  蔡庆刚 ,  陈在 ,  赵影

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/193

Abstract: 本实用新型公开微波放大器脉冲调漏电路，该微波放大器脉冲调漏电路包括：反向驱动电路和P沟道MOS管电路；其中，所述反向驱动电路接收输入脉冲信号，并将所述脉冲信号进行反向；所述P沟道MOS管电路电连接于所述反向驱动电路，在所述反向驱动电路输出高电平时，所述P沟道MOS管电路截止；在所述反向驱动电路输出低电平时，所述P沟道MOS管电路导通。该微波放大器脉冲调漏电路结构简单，电路稳定，可通过脉冲信号来控制整个电路的放大器漏极电压供给，从而保证电路中对脉冲调漏有要求的器件能够正常工作。

公开(公告)号：CN207039566U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720643643.7

申请日：2017-06-05

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 汪宁 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  朱良凡 ,  吴文书 ,  叶贝贝 ,  张丽

IPC: H03L7/08

Abstract: 本实用新型公开了一种锁相频率源模块结构，所述壳体内设置有空腔，所述空腔中间两侧分别与第一水平隔板、第二水平隔板一端相连接；所述上腔和下腔之间设置有第三水平隔板；所述第二水平隔板末端设置有第一垂直隔板，所述第二上腔内侧与第二垂直隔板相连接；所述空腔内设置有馈通滤波器安装孔，加电针安装孔，射频绝缘子安装孔；所述壳体上设置有四个固定孔；所述盖板下表面设置有空腔，所述空腔内设置有与第一水平隔板、第二水平隔板、第三水平隔板位置、大小相对应的隔板，壳体顶部钎封有盖板。本实用新型提供的锁相频率源模块结构，具有结构紧凑、体积小、可靠性高、设计科学合理的特点。

公开(公告)号：CN206353266U

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201621422259.6

申请日：2016-12-23

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 徐日红 ,  费文军 ,  李金晶 ,  陈兴盛 ,  汪伦源 ,  赵影

IPC: G05F1/618

Abstract: 本实用新型公开负压控制大电流电路，该电路包括：NPN型三极管和P沟道MOS管；其中，所述NPN型三极管的基极通过第一电阻接地；所述NPN型三极管的发射极通过第二电阻连接于控制端口输入端；所述NPN型三极管的集电极连接于所述P沟道MOS管的栅极；所述P沟道MOS管的漏极连接于输出端口；所述P沟道MOS管的源极连接于大电流输入端口的VDD，所述大电流输入端口的电压为‑5V或0V，且所述MOS管的源极通过第三电阻连接于所述NPN型三极管的集电极；所述第一电阻的阻值为5kΩ；所述第二电阻的阻值为2kΩ；所述第三电阻的阻值为10kΩ。该负压控制大电流电路实现了负压控制大电流输出。