显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置

    公开(公告)号:CN116525642A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310813051.5

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置。显示面板包括:像素阵列基板,像素阵列基板包括设置在衬底上的Micro‑LED器件、超导层和第一导电压缩部,Micro‑LED器件包括空穴传输层,超导层包括向上凸起的第一端和向下凸起的第二端,第一端与第一导电压缩部连接,第二端嵌入空穴传输层;驱动基板,驱动基板包括第二导电压缩部,驱动基板与像素阵列基板键合时,第二导电压缩部和第一导电压缩部对位压合。本公开的技术方案,有利于减小电子和空穴注入到Micro‑LED器件边缘的浓度,从而减小Micro‑LED器件的边缘发生非辐射复合,有利于提高Micro‑LED器件的发光效率。

    Micro LED结构及其制备方法
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116344572A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310617836.5

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 本公开涉及一种Micro LED结构及其制备方法,属于Micro LED显示技术领域,该Micro LED结构和衍射光波导匹配连接;该Micro LED结构包括发光组件、第一基板、波导传输层以及光耦合组件;发光组件设置于第一基板的一侧;波导传输层和光耦合组件均设置于第一基板背离发光组件的一侧,光耦合组件与发光组件对位设置,并内嵌于波导传输层中靠近发光组件的一侧;第一基板至少用于传输发光组件发出的光至光耦合组件;光耦合组件用于控制光的旋转角度以使光按照预设方向传输,波导传输层用于传输预设方向的光至衍射光波导。如此,减少了Micro LED结构的尺寸,利于产品的小型化。

    Micro LED显示芯片、制备方法及装置

    公开(公告)号:CN116314490A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310517417.4

    申请日:2023-05-10

    Abstract: 本公开涉及一种Micro LED显示芯片、制备方法及装置,属于LED显示技术领域,该方法包括:提供图形化衬底和驱动背板;图形化衬底形成有相邻的突起结构,且相邻的突起结构之间具有相应的凹陷区域;在图形化衬底具有突起结构的一侧,形成外延层;在外延层背离图形化衬底的一侧,形成LED阵列;LED阵列包括间隔排布的LED,LED形成于凹陷区域的对应位置处,与凹陷区域对位设置;将LED阵列和驱动背板连接,形成Micro LED显示芯片。如此,将LED和图形化衬底上的凹陷区域对位设置,制备出质量一致、亮度高和发光效率一致的LED,进一步提高Micro LED显示芯片中显示亮度的一致性,避免了mura现象。

    一种芯片封装结构、方法以及电子设备

    公开(公告)号:CN115799196A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202310069915.7

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构、方法以及电子设备,涉及封装技术领域,芯片封装结构包括:芯片、印刷电路板以及散热基板;芯片与印刷电路板之间设置有焊球;芯片背离印刷电路板的一面边缘设置有电极结构;芯片的边缘还设置有通孔结构;通孔结构内填充导电材料;电极结构与通孔结构的导电材料电连接;散热基板位于芯片与印刷电路板之间;焊球包括第一焊球和第二焊球;通孔结构的导电材料通过第一焊球与散热基板电连接;散热基板通过第二焊球与印刷电路板电连接。本公开能够减小封装后的芯片体积,不需要焊线以及焊盘完成芯片与印刷电路板连接,同时封装更加牢固,且提高芯片工作时的散热能力,提高封装后芯片的可靠性。

    发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法

    公开(公告)号:CN115621385A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211630824.8

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法,涉及显示技术领域。发光二极管包括:第一保护层和发光芯片,第一保护层位于发光芯片的出光侧;发光芯片包括阵列排布的多个子发光区,发光芯片中与第一保护层接触的膜层和第一保护层的材料不同;多个第一凹槽结构,第一凹槽结构贯穿第一保护层,第一凹槽结构与子发光区对应设置;多个颜色转换层,颜色转换层位于第一凹槽结构内。通过本公开的技术方案,避免了对发光芯片的损伤,提高了工艺的可靠性。

    CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板

    公开(公告)号:CN115411032B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211362345.2

    申请日:2022-11-02

    Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板,该电路基板包括:CMOS集成电路驱动层,包括初始键合区域和扩展键合区域,扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧;重布线层,设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内;重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路,第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接;第一线路与第二线路电连接;第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布;重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线,增大键合区域,提高了CMOS上表面利用率。

    LED结构及其制造方法、LED显示屏

    公开(公告)号:CN114843383B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210764080.2

    申请日:2022-07-01

    Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构,包括尺寸面,所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构,所述半导体发光结构包括发光部分,所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面,所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置,可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度,并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构,通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流,可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。

    微型发光二极管、制备方法及显示屏

    公开(公告)号:CN114725268A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210382288.8

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本公开涉及发光显示技术领域的微型发光二极管、显示屏及制备方法,该微型发光二极管包括:保护层,设置于改善层背离第二半导体层的一侧;保护层至少包括绝缘保护层。由此,通过在改善层上设置绝缘保护层,绝缘保护层作为硬件掩膜层,可隔离等离子和化学试剂,避免改善层在后续工艺中遭到损伤或破坏;绝缘保护层作为蚀刻阻挡层,使后续膜层的蚀刻深度停留在绝缘保护层,形成一个平稳的蚀刻区间,保证了蚀刻深度的均匀性和精准性;增设保护层后,器件得到保护,工艺窗口更大,从而提升了制造良率。

    一种发光元件的自组装方法、装置以及阵列基板

    公开(公告)号:CN118412420A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410889743.2

    申请日:2024-07-04

    Abstract: 本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种发光元件的自组装方法、装置以及阵列基板。方法包括:在接收基板上形成多个与发光元件的形状相匹配的接收结构;使接收基板的平面与竖直方向平行,并将接收基板放置于第一液体与包括多个发光元件的第二液体中,其中,第一液体与第二液体不互溶,第二液体的密度小于第一液体的密度;使接收基板沿竖直方向运动,并使第二液体中的发光元件填充至接收结构中。本公开提供的方法通过利用两种不互溶的液体进行发光元件的自组装,能够减少第二液体的用量,节约成本的同时,提升了发光元件的自组装效率,进而提升阵列基板的生产效率。

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