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公开(公告)号：CN114387891A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210254906.0
申请日：2022-03-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G09F9/33
Abstract: 本公开涉及发光显示技术领域的微型LED显示阵列及显示屏，该显示阵列包括：第一电极；像素单元，设置于第一电极的一侧，且阵列排布；第二电极，设置于像素单元背离第一电极的一侧；第二电极与像素单元一一对应设置；至少两个辅助电极，与像素单元设置于第一电极的同一侧；辅助电极与第一电极电连接；辅助电极在像素单元阵列中均匀分布，且辅助电极与像素单元之间存在间隔；其中，第一电极和第二电极分别为阳极和阴极中的一种。通过在像素单元阵列中设置辅助电极，缩短了像素单元到辅助电极的距离，使得中间和边缘位置的像素单元的阻抗差值减小，电压降差值也减小，改善了显示亮度的均匀性；无阴极环，边框和拼接缝隙变窄，提高了屏占比和显示效果。
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公开(公告)号：CN117012865B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311253050.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及Micro LED显示技术领域，公开了一种全彩Micro LED显示芯片及其制备方法，该方法包括：制备衬底外延层；衬底外延层的一侧形成有第一类型发光层；在第一类型发光层的第一预设区域内注入N型离子；在第一类型发光层背离衬底外延层的一侧，形成第二类型发光层；在第一类型发光层的第二预设区域和第二类型发光层的第三预设区域内注入N型离子；在第二类型发光层背离第一类型发光层的一侧形成第三类型发光层；在第二类型发光层的第四预设区域和第三类型发光层的第五预设区域内注入P型离子；在第三类型发光层背离第二类型发光层的一侧，形成P型外延层。由此，降低了工艺制备难度并提高了制备速度。
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公开(公告)号：CN117012865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311253050.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及Micro LED显示技术领域，公开了一种全彩Micro LED显示芯片及其制备方法，该方法包括：制备衬底外延层；衬底外延层的一侧形成有第一类型发光层；在第一类型发光层的第一预设区域内注入N型离子；在第一类型发光层背离衬底外延层的一侧，形成第二类型发光层；在第一类型发光层的第二预设区域和第二类型发光层的第三预设区域内注入N型离子；在第二类型发光层背离第一类型发光层的一侧形成第三类型发光层；在第二类型发光层的第四预设区域和第三类型发光层的第五预设区域内注入P型离子；在第三类型发光层背离第二类型发光层的一侧，形成P型外延层。由此，降低了工艺制备难度并提高了制备速度。
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公开(公告)号：CN114725268A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210382288.8
申请日：2022-04-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及发光显示技术领域的微型发光二极管、显示屏及制备方法，该微型发光二极管包括：保护层，设置于改善层背离第二半导体层的一侧；保护层至少包括绝缘保护层。由此，通过在改善层上设置绝缘保护层，绝缘保护层作为硬件掩膜层，可隔离等离子和化学试剂，避免改善层在后续工艺中遭到损伤或破坏；绝缘保护层作为蚀刻阻挡层，使后续膜层的蚀刻深度停留在绝缘保护层，形成一个平稳的蚀刻区间，保证了蚀刻深度的均匀性和精准性；增设保护层后，器件得到保护，工艺窗口更大，从而提升了制造良率。
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