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公开(公告)号：CN115272112A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872488.1
申请日：2022-07-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种纸质心电图数字化方法和装置，包括：对包含十二个导联区域的纸质心电图的电子图像进行预处理，得到心电图像；分离所述心电图像的各个导联区域；基于八邻域稀疏离群点移除算法和预存的细化算法，对所述各个导联区域的心电图像进行细化处理，得到所述各个导联区域的心电波形曲线；将所述各个导联区域的心电波形曲线进行导联维度连接，得到所述纸质心电图的数字化结果。本发明以将纸质心电图中心电信号有效信息数字化的方式，将源源不断产生的纸质心电图转换为电子心电图，解决了电子心电图体量不充足的问题，促进了自动心电分析领域的发展。
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公开(公告)号：CN114016133A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111268564.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上直接集成单晶钙钛矿的方法及其应用，其中，所述方法包括：(1)将CH3NH3X、PbX2和有机溶剂混合，以便得到CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液；(2)将衬底置于所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液中，并在密闭系统中利用反溶剂对所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液进行气相扩散，以便使得所述CH3NH3PbX3钙钛矿在所述衬底上直接集成单晶CH3NH3PbX3钙钛矿，其中，在步骤(1)中，所述CH3NH3X包括CH3NH3Cl、CH3NH3Br和CH3NH3I中的至少之一，所述PbX2包括PbCl2、PbBr2和PbI2中的至少之一。由此，采用该方法可以在给定衬底上直接生长大尺寸，高结晶质量的单晶钙钛矿。
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公开(公告)号：CN110137320B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910458619.X
申请日：2019-05-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了近红外异质结发光二极管阵列及其形成方法。其中，异质结发光二极管阵列结构包括：衬底；锗缓冲层，所述锗缓冲层形成在所述衬底的至少一部分表面；锗柱微结构阵列，所述锗柱微结构阵列形成在所述锗缓冲层远离所述衬底的表面，所述锗柱微结构阵列中包括多个周期性排布的锗柱；氧化锌层，所述氧化锌层形成在所述锗柱的至少一部分表面和所述锗缓冲层远离所述衬底的至少一部分表面；以及顶电极层，所述顶电极层形成在所述氧化锌层远离所述锗柱微结构阵列的至少一部分表面。该近红外异质结发光二极管阵列通过包括锗和氧化锌的材料构成异质结，所形成的发光二极管阵列具有低功耗、低电流密度等特点，且对生产设备要求低、生产步骤简单。
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公开(公告)号：CN110911478B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201911006196.4
申请日：2019-10-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出的一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、衬底绝缘层、单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构，及第一绝缘层、二维薄膜和三个电极；厚度在亚1nm的单层或少层石墨烯作为栅极；垂直电场屏蔽结构由第二绝缘层和沉积电场阻挡层组成，或由金属层和包覆于其外的氧化层组成；垂直电场屏蔽结构用于隔绝栅极垂直方向电场以利用栅极厚度定义栅长；第一绝缘层覆盖在衬底绝缘层的顶部以及单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构同侧，并覆盖垂直电场屏蔽结构的上表面，用于产生栅极水平方向的电场；二维薄膜作为导电沟道覆盖在第一绝缘层上。本发明利用石墨烯厚度来定义栅长，可控制场效应晶体管的栅长在亚1nm范围内。
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公开(公告)号：CN110565123A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910800186.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可转移的透明柔性透气天线的制作方法及装置，其中，方法包括：通过HFSS软件模拟得到满足预设条件的天线结构设计，并根据天线结构设计确定光刻掩膜版；选择导电衬底，在导电衬底的表面旋涂一层光刻胶，并使用光刻掩膜版进行光刻，得到天线设计形状的网格结构的凹槽；由于衬底导电而光刻胶绝缘，通过电沉积将金属沉积在凹槽中；将网状天线图案转移到目标衬底上或直接从导电衬底上剥离，得到目标天线。根据本发明实施例的制作方法，具备可剥离转移的特性，可适应各种曲面，以满足在生物表面以及透明物体上面附着天线的需求，完善了物联网中对于移动终端天线功能的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323282A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910278746.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种基于准零维接触的二维薄膜埋栅场效应晶体管，属于场效应晶体管器件领域，本发明晶体管包括依次层叠的衬底、埋栅电极、埋栅介质层和二维薄膜，该二维薄膜一侧依次层叠有准零维结构形成层和作为准零维金属源的第一电极，该二维薄膜另一侧层叠有接地的第二电极；准零维结构形成层由绝缘体材料通过图形化和淀积方法制成，用于通过第一电极的金属电迁徙特性在该准零维结构生成层内形成细丝状的导电通路，从而在第一电极和二维薄膜间形成准零维接触。本发明可以实现场效应晶体管在较低的栅控电压下具有极低接触电阻，超高电流开关比；同时也为5nm以下特征尺寸的晶体管提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN110274123A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810212967.4
申请日：2018-03-15
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: F16L55/32 , F16L55/40 , B60G3/20 , F16L101/30
Abstract: 本发明公开了一种微型无线内窥机器人运动控制结构，包括车身和安装在车身底部的两组车轮，所述同组的两个车轮分别通过第一摆臂连接在定位框架上，定位框架固定在车身上，第一摆臂与定位框架之间连接有第一液压缸，第一摆臂外侧端通过连接片连接车轮，车身与车轮之间连接有第二摆臂，第二摆臂的外侧端连接在连接片上，第二摆臂与车身之间设置有减震器，减震器外侧套设有减震弹簧，同组车轮上的两个第一摆臂之间连接有第三摆臂和第四摆臂，第三摆臂和第四摆臂交叉设置，第三摆臂和第四摆臂之间通过连接轴连接。本发明能够改进现有技术的不足，提高了机器人运行的平稳性。
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公开(公告)号：CN110269580A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810212966.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种微型无线内窥机器人系统，属于医用内窥技术领域。所述系统包括第一壳体和第二壳体，所述第一壳体为圆柱形，第二壳体为螺旋状柱形；所述第一壳体和第二壳体之间通过连接轴连接，所述连接轴分别固定在第一壳体内和第二壳体内设置的轴承上，所述从第一壳体内的端部到与第二壳体的连接方向上依次设置有焦距镜头、LED照明模块、图像传输模块和数据发射模块；所述第二壳体外侧还设置有螺旋套。本发明既可无线向外发送数字图像信息，又可无线接收控制指令实现对胶囊工作状态及工作方式地控制，系统还可通过有线或无线终端向计算机医用影像工作站传递图像信息和接收控制指令，另外可以通过自身调节在体内进入到任何一个可以到达的位置。
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公开(公告)号：CN110137320A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910458619.X
申请日：2019-05-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了近红外异质结发光二极管阵列及其形成方法。其中，异质结发光二极管阵列结构包括：衬底；锗缓冲层，所述锗缓冲层形成在所述衬底的至少一部分表面；锗柱微结构阵列，所述锗柱微结构阵列形成在所述锗缓冲层远离所述衬底的表面，所述锗柱微结构阵列中包括多个周期性排布的锗柱；氧化锌层，所述氧化锌层形成在所述锗柱的至少一部分表面和所述锗缓冲层远离所述衬底的至少一部分表面；以及顶电极层，所述顶电极层形成在所述氧化锌层远离所述锗柱微结构阵列的至少一部分表面。该近红外异质结发光二极管阵列通过包括锗和氧化锌的材料构成异质结，所形成的发光二极管阵列具有低功耗、低电流密度等特点，且对生产设备要求低、生产步骤简单。
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公开(公告)号：CN109730686A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910032904.5
申请日：2019-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: A61B5/11
Abstract: 本发明公开了一种基于传感器阵列的步态检测分析仪，包括：压力传感器阵列，用于测量用户运动时足底的压力数据；惯性传感器单元，用于监控用户运动时脚在空间中的轨迹数据；处理器，用于对压力数据和轨迹数据进行处理得到用户的步态数据；无线通信模块，用于将步态数据发送到服务器，以使服务器通过预设算法对步态数据进行分析评估。该步态检测分析仪可以长期监控用户的步态数据，对其进行分析和评估，利用大数据和人工智能的算法为医生和病人提供诊断依据，并且便携可穿戴，使用方便，精确度高。
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