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公开(公告)号：CN103872105A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0804 , H01L29/66234
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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公开(公告)号：CN103868973A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136007.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/61
Abstract: 一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压VR、脉冲电压VP、测试周期TW、脉冲宽度TP及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
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公开(公告)号：CN103059383A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310021239.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于空间电子辐射防护的掺杂纳米钽的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，它涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的领域。本发明是要解决现有的辐射防护材料中，铝防护层存在密度大而导致使用的重量大，采用聚乙烯材料做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，严重制约其使用范围的问题。它是由聚乙烯树脂、纳米钽和偶联剂制成。本发明的聚乙烯复合材料的热稳定性相对于纯聚乙烯提高了5%~35%，吸收剂量相对于纯铝降低了0.1~0.7倍。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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公开(公告)号：CN115186467B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210769884.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种飞行器紫外辐照表征方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取当前时刻飞行器的运动状态和运行姿态、太阳光线的方向；根据所述飞行器的运动状态以及所述太阳光线的方向，判断所述飞行器是否受紫外辐照；当所述飞行器受到紫外辐照时，根据所述太阳光线的方向以及所述飞行器的姿态，对所述飞行器不同受晒面的紫外辐照情况进行分析。本发明通过获取飞行器的运动状态、姿态状态以及获取太阳光线的方向，对飞行器表面不同部位受到的不同程度的紫外辐射进行表征，考虑了不同飞行器的结构及受晒面，较为真实地实现对飞行器在轨运行期间的紫外辐照进行实时量化表征。
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公开(公告)号：CN111883218B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW‑BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117910403A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311603852.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法，涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括：输入待检查MOSFET模型参数；输入并扩展器件工作条件，求解待检查变量；运行检查函数；输出检查结果。为了检查模型的可扩展性，扩展器件的工作条件，求解代表器件性能的中间变量，并进行检查。
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公开(公告)号：CN111835303B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010735178.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
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公开(公告)号：CN117540686A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604053.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种工艺和器件一体化设计控制仿真方法，涉及电子器件工艺和器件一体化技术领域。所述仿真方法包括：获取环境变量并设置工作路径；回显系统名称和版权信息；初始化场数据管理器；向TCL解释执行器注册扩展命令；加载缺省模块；执行仿真任务。将场数据管理器作为连接工艺和器件之间数据的公共类，通过TCL命令和.str文件实现工艺和器件之间的连接控制，从而避免过度设计，提高产品良率，并且大幅度降低芯片设计工艺成本。
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公开(公告)号：CN117540684A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604021.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于GP模型的BJT模型参数范围自动化检查方法，涉及双极性结型晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：步骤100、读取模型参数文件和参数取值范围文件；步骤200、判断所述模型参数文件中的前参数取值是否满足位于所述取参数取值范围文件的当前参数对应的错误边界的范围内；步骤300、基于步骤200，分析参数取值是否符合物理要求；对所述模型参数文件中的所有参数依次执行步骤200和步骤300。
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公开(公告)号：CN116184145A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211415078.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。
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