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公开(公告)号：CN102615822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210122035.3
申请日：2012-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C61/06
Abstract: 复合材料斜面夹层结构连接方法，它涉及一种斜面夹层结构连接方法。本发明为了解决现有的复合材料斜面夹层结构连接方法对复合材料带来了冲击和损伤的问题。本发明的步骤：步骤一、将高温母相状态下的记忆合金棒材加工成双面埋头铆钉，双面埋头铆钉的形状与斜面夹层连接部位孔的形状一致；步骤二、在低温马氏体状态下，将双面埋头铆钉的一端沉头形变成拉直状，形成单面埋头铆钉；步骤三、将单面埋头铆钉插入斜面夹层连接部位孔；步骤四、对单面埋头铆钉进行加热，加热温度达到高温母相状态下的温度，单面埋头铆钉恢复为高温母相状态的双面埋头铆钉实现复合材料斜面夹层结构连接。本发明用于复合材料斜面夹层结构连接。
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公开(公告)号：CN102061162A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010563507.X
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁光双功能CNT/Fe3O4@SiO2(FITC)一维纳米复合材料的制备方法，它涉及一种CNT/Fe3O4@SiO2(FITC)一维纳米复合材料的制备方法。本发明目的是提供磁光双功能CNT/Fe3O4@SiO2(FITC)一维纳米复合材料的制备方法。本发明方法如下：一、制备CNT/Fe3O4；二、制备APS-FITC；三、制备CNT/Fe3O4@SiO2(FITC)复合材料。应用在靶向可视载药、术前诊断、术中治疗、组装光电器件方面。
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公开(公告)号：CN102003362A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010536260.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多次展开收拢记忆合金驱动器的制备方法，它涉及一种驱动器的制备方法。本发明解决了现有展开收拢装置结构复杂且重复动作稳定性差的问题。本方法如下：一、将TiNi记忆合金板材放入模具中，然后在真空度为10-4torr、300℃～550℃的条件下加工10min～1h，得到蜷曲半径为15mm的元件；二、按照将元件先放入液氮中，将元件升温至100℃，然后再将元件放入液氮中，再在室温的条件下使元件的温度与室温相同的顺序循环10～50次，即得多次展开收拢记忆合金驱动器。本发明制备的多次展开收拢记忆合金驱动机构，其具备结构简单、体积小、重量轻、功耗小、重复性好、稳定性高的优点。
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公开(公告)号：CN101705391A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910073267.2
申请日：2009-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C19/03
Abstract: Ni-Fe-Ga-Co高温磁驱动记忆合金，它涉及一种记忆合金。本发明解决了现有磁驱动形状记忆材料不能满足Tc＞Ms＞100℃的问题。本发明Ni-Fe-Ga-Co高温磁驱动记忆合金的分子式为Ni56Fe17Ga27-xCox，分子式中x值为2～6。本发明向Ni-Fe-Ga-Co高温磁驱动记忆合金中添加了Co元素，得到了Tc＞Ms＞100℃的Ni-Fe-Ga-Co合金，本发明的Ni-Fe-Ga-Co合金可在高温的条件下使用，尤其Ni56Fe17Ga21Co6合金的Ms和Tc分别为177℃和201℃，为拓展Ni-Fe-Ga-Co高温磁驱动记忆合金在高温环境下的应用提供了保障。
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公开(公告)号：CN101496907A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910071350.6
申请日：2009-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法，它涉及一种TiNi合金支架注磷的方法。本发明方法解决了现有技术中TiNi合金支架注磷后射线穿透性弱的问题。本发明的方法如下：一、化学抛光；二、注磷；三、慢中子辐照活化，即得注磷的TiNi合金支架。本发明方法制备的注磷的TiNi合金支架射线穿透性强。本发明方法简单，操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119816185A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411940179.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能p型GeTe基热电材料及其制备方法，本发明属于新能源材料领域。本发明要解决现有GeTe难以实现300K～775K全温度范围的性能优化的问题。高性能p型GeTe基热电材料，它的化学通式为Ge0.84‑x‑yPb0.1Sb0.06CdxTe；方法：一、称取；二、密封；三、加热融化并退火处理；四、烧结。本发明用于高性能p型GeTe基热电材料及其制备。
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公开(公告)号：CN119776974A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510063305.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 黑龙江凌芯科技有限公司
Abstract: 一种精密小型单晶提拉炉装置，它涉及木质纤维材料制备领域。本发明解决了现有的大型单晶炉存在体积庞大、笨重、成本高，不仅占用了大量的实验室空间，而且在移动、安置以及日常维护方面带来了诸多不便的问题。本发明的加热单元通过升降单元安装在炉体控制柜的侧面，连接件的一端与炉体控制柜的上端连接，连接件的另一端与加热单元中的石英管连接；炉体控制柜包括柜体、温控仪表、电流表、触摸屏和电源开关，柜体为矩形柜体，温控仪表、电流表、触摸屏和电源开关由上至下依次安装在柜体上；其中，柜体的长度为300mm，宽度为270mm，加热单元的电炉加热区的尺寸为直径为40mm，高度为150mm。本发明用于单晶体制备。
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公开(公告)号：CN118727053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410846089.7
申请日：2024-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/093 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B11/031
Abstract: 一种多孔分级结构Pt表面修饰Cu2O自支撑催化电极及其制备方法和应用，它属于电解水催化技术领域。本发明要解决现有HER催化电极性能有待提升以及水热法制备催化电极存在的设备限制、安全风险等的问题。多孔分级结构Pt表面修饰Cu2O自支撑催化电极由多孔铜及氯铂酸溶液制备而成；制备方法：一、对多孔铜进行预处理；二、配制氯铂酸溶液；三、将预处理后的多孔铜浸泡于氯铂酸溶液中室温反应，将反应产物洗涤及真空干燥。本发明用于多孔分级结构Pt表面修饰Cu2O自支撑催化电极及其制备。
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公开(公告)号：CN117144169A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311137216.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低温处理改善β钛基高温形状记忆合金性能的方法，本发明涉及改善β钛基高温形状记忆合金性能的方法。本发明要解决现有β‑Ti基高温形状记忆合金通过元素掺杂提升形状记忆效应，会导致加工性能变差，以及Ti‑Ta形状记忆合金的形状记忆效应较差的问题。方法：一、称取原料；二、采用电弧熔炼法制备合金铸锭；三、均质处理；四、轧制合金板材；五、深冷处理与热处理复合处理。本发明用于低温处理改善β钛基高温形状记忆合金性能。
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公开(公告)号：CN116145177B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310205183.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/077 , C25B1/04 , C25B11/065 , C25B11/061
Abstract: 一种CuCoNiMoFe多元氧化物电解水催化剂的制备方法，本发明涉及过渡族金属基多元氧化物电解水催化剂的制备方法。解决现有过渡族金属基多元氧化物制备工艺繁琐的问题。制备方法：一、称取；二、前驱体溶液滴在基底上，然后干燥；三、碳热冲击处理。本发明用于CuCoNiMoFe多元氧化物电解水催化剂的制备。
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