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公开(公告)号：CN103887155A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410135934.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/265
Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN103887154A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410135913.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/265
Abstract: 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
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公开(公告)号：CN103872106A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135845.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L29/36 , H01L29/73
Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
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公开(公告)号：CN103872105A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0804 , H01L29/66234
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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公开(公告)号：CN103868973A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136007.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/61
Abstract: 一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压VR、脉冲电压VP、测试周期TW、脉冲宽度TP及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103059383A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310021239.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于空间电子辐射防护的掺杂纳米钽的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，它涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的领域。本发明是要解决现有的辐射防护材料中，铝防护层存在密度大而导致使用的重量大，采用聚乙烯材料做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，严重制约其使用范围的问题。它是由聚乙烯树脂、纳米钽和偶联剂制成。本发明的聚乙烯复合材料的热稳定性相对于纯聚乙烯提高了5%~35%，吸收剂量相对于纯铝降低了0.1~0.7倍。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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公开(公告)号：CN115186467B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210769884.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种飞行器紫外辐照表征方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取当前时刻飞行器的运动状态和运行姿态、太阳光线的方向；根据所述飞行器的运动状态以及所述太阳光线的方向，判断所述飞行器是否受紫外辐照；当所述飞行器受到紫外辐照时，根据所述太阳光线的方向以及所述飞行器的姿态，对所述飞行器不同受晒面的紫外辐照情况进行分析。本发明通过获取飞行器的运动状态、姿态状态以及获取太阳光线的方向，对飞行器表面不同部位受到的不同程度的紫外辐射进行表征，考虑了不同飞行器的结构及受晒面，较为真实地实现对飞行器在轨运行期间的紫外辐照进行实时量化表征。
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公开(公告)号：CN115165814B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210759752.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂化密度泛函自洽计算，获得各态势总能，构建位形图和ZPL能量；提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱。本发明所述的计算方法实现对固体材料声子辅助光致发光性质的精确模拟计算。
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公开(公告)号：CN111883218B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW‑BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
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公开(公告)号：CN117910403A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311603852.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法，涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括：输入待检查MOSFET模型参数；输入并扩展器件工作条件，求解待检查变量；运行检查函数；输出检查结果。为了检查模型的可扩展性，扩展器件的工作条件，求解代表器件性能的中间变量，并进行检查。
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