公开(公告)号：CN103094349A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310038221.3

申请日：2013-01-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  肖广然 ,  夏春萍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明公开了一种带有欠栅的三种材料异质栅碳纳米管场效应管，该场效应管整体为圆柱形，从圆心向外依次为碳纳米管（1）、包围碳纳米管（1）外部的绝缘层（2）、位于绝缘层（2）外的环栅（3），绝缘层（2）为环状，长度与碳纳米管（1）相同；在碳纳米管（1）的两头分别设有源极（4）、漏极（5），与源极（4）、漏极（5）相连的碳纳米管部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；这样就加入了欠栅结构。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能,在提高高频特性的同时提高开关电流比。

公开(公告)号：CN103066107A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310012402.9

申请日：2013-01-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  陈将伟 ,  闫帅军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明公开了一种并联型石墨烯纳米条带器件结构。该结构近似一个“中”字形，上下两头部分为完全对称的电极部分，电极的长度和宽度均为2个晶胞；中间为并联型纳米石墨烯条带，最外两侧是Armchair型的石墨烯条带，而并联型纳米石墨烯条带之间的连接则是采用横向的纳米石墨烯条带，边缘为Zigzag型石墨烯条带，其中，电极、并联型纳米石墨烯条带、横向的纳米石墨烯条带的长度和宽度都可以改变。结果表明，随着两侧并联纳米条带数量的增加，石墨烯纳米条带电导峰将有相应数量的增加，其开关特性得到提高；随着条带之间的间距增宽，中心区电导谷的宽度将减小，其开关特性同样得到提高。

公开(公告)号：CN209766453U

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201920846561.1

申请日：2019-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宸观 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。本实用新型具有更高的灵敏度，更强的频率选择性，更高的工作温度，表明该结构有更好的太赫兹光子探测能力。

公开(公告)号：CN209626230U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920838966.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张闻睿 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本实用新型公开了一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，包括源区、漏区、沟道、栅氧化层及双栅极；栅极包括栅极两端和栅极中间，栅极两端功函数与栅极中间功函数不同；沟道为石墨烯纳米管，位于源区和漏区之间，源区和漏区均包括N型重掺杂区和扩展区，扩展区靠近石墨烯纳米管，N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，源扩展区与漏扩展区均为N型轻掺杂；栅氧化层位于石墨烯纳米管两侧，双栅极位于栅氧化层外侧。本实用新型减少了器件性能下降，具有更大的电流开关比，迟滞时间更短，亚阈值摆幅更小，电压增益更高的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管。

公开(公告)号：CN209626229U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920828659.4

申请日：2019-06-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵剑飞 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管，包括源极、漏极、栅极、沟道及栅氧化层，栅极包括栅极中间及靠近源极漏极的栅极两端，栅极两端材料的功函数低于栅极中间材料的功函数；沟道包括沟道中间及靠近源极漏极的沟道两端，沟道两端为N型重掺杂区，沟道中间包括衬底N型轻掺杂区和叠加在衬底N型轻掺杂区上的N型轻掺杂外延层；栅氧化层包括靠近漏极的叠加结构，所述叠加结构包括高电介质材料氧化层区和普通电介质材料氧化层区，高电介质材料氧化层区位于普通电介质材料氧化层区上方。本实用新型可作为一种耐热电子器件，即使较短的沟道，也能降低短沟道效应和热电子效应，降低漏感应势垒降低效应，提高栅极输运效率。

公开(公告)号：CN209626224U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920838935.5

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王震 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型公开了一种隧穿型石墨烯纳米带场效应管，包括源极、漏极、沟道、源区、漏区、SiO2氧化层及双栅极；所述沟道为石墨烯纳米条带；所述源区位于源极和沟道之间，漏区位于漏极和沟道之间，源区和漏区均为掺杂型石墨烯纳米管；源区包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区，P型轻掺杂区靠近沟道，P型重掺杂区靠近源极，漏区包括N型重掺杂区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区靠近沟道，N型重掺杂区靠近漏极；沟道两侧各有一个SiO2氧化层，SiO2氧化层覆盖沟道、源区及漏区；双栅极包括两个子栅极，子栅极位于SiO2氧化层外侧，子栅极包括三种功函数不同的金属块。本实用新型具有更大的开关电流比。