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公开(公告)号：CN114068681A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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公开(公告)号：CN112795883B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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公开(公告)号：CN111872390B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010783898.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石金属基复合材料的方法。本发明要解决现有选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料过程中，金刚石与基体润湿性差，存在大量的孔隙缺陷，金刚石热蚀的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化成型；四、烧结。本发明用于选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN110643972B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910932384.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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公开(公告)号：CN111889676A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010784749.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/105 , C22C1/10 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F9/04 , C22C1/05 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C18/18 , C23C18/40 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 一种增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石铜基复合材料的方法。本发明要解决现有技术无法制备高热导率、高致密度且形状复杂的金刚石铜基复合材料的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化；四、冷等静压技术；五、烧结；六、热等静压技术；或方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化；四、烧结；五、热等静压技术。本发明用于增材制造工艺制备金刚石铜基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111826714A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010733639.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/04 , C30B25/02 , C23C16/27 , C23C16/517
Abstract: 基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决绝缘异质衬底难以有效施加负偏压的问题。外延形核的方法：一、将底部开有凹槽腔的样品托放置于CVD腔体内的水冷台上，射频电源的一电极通过导线连接到CVD腔体外壳上并接地，射频电源的另一电极通过导线经水冷台连接到样品托上；二、将异质衬底放置在样品托中心位置，CVD腔体抽真空；三、升温过程，通入氢气；四、控制甲烷气体浓度，进行偏压增强形核；五、生长过程及结束。本发明通过射频电源，避免了直流偏压施加过程中绝缘异质衬底电势升高导致无法正常施加偏压，实现了绝缘异质衬底上高密度外延形核。
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公开(公告)号：CN111705311A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010779182.2
申请日：2020-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微粉表面镀镍的方法，本发明涉及一种金刚石镀镍的方法。本发明要解决现有化学法镀镍方法在金刚石颗粒表面镀镍，孔隙多、不致密，均匀性差，镍层易脱落的问题。方法：一、对金刚石微粉表面进行除油处理；二、对金刚石微粉进行等离子蚀刻处理；三、对金刚石微粉进行活化处理；四、利用化学法在金刚石微粉表面镀镍。本发明用于金刚石微粉表面镀镍。
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公开(公告)号：CN108728798B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810597162.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石的加工方法，属于超硬材料加工技术领域。本发明解决了现有金刚石加工精细度不高的问题。本发明首先将带蒸镀掩模板的金刚石在蒸发镀膜机内进行铁镀膜，待膜层冷却后取出镀膜后的金刚石；将镀膜后的金刚石置于微波等离子体CVD仪器的CVD仓内；将CVD仓抽真空，然后通入氢气，打开微波源通入微波起辉，调节刻蚀温度、微波功率以及CVD仓内气压，开始刻蚀；刻蚀完成后，调节微波功率和CVD仓内气压，然后关闭微波，待冷却后，向CVD仓内通入空气，打开CVD仓取出刻蚀后的金刚石。本发明可用于金刚石精密加工。
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公开(公告)号：CN109192794B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811063616.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 背板增强型叉指电极金刚石紫外探测器的制备方法，本发明属于高能射线及粒子探测领域，它为了解决现有金刚石叉指电极紫外探测器无法有效收集金刚石体内载流子而导致探测效率低的问题。制备方法：一、对金刚石进行预处理及清洗；二、通过磁控溅射或电子束蒸发在清洗后的金刚石的下表面制备背板电极；三、通过磁控溅射或电子束蒸发在金刚石的上表面制备叉指结构电极；四、通过导线将金刚石上表面的其中1个叉指电极与背板电极连接。本发明的探测器为背板增强叉指型结构，能够有效收集金刚石体内紫外光激发的载流子，提高探测效率，在230nm的紫外光照、200V偏压下，背板增强型探测器较传统探测器探测效率提高230％以上。
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公开(公告)号：CN110643972A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910932384.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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