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公开(公告)号：CN108336135B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112768140A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011608047.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用。所述方法如下：将退火处理后的银纳米线透明导电膜作为阴极，铂电极作为阳极，银|氯化银电极作为参比电极，含九水合硝酸铝的溶液作为电解液，通过三电极系统恒电压模式在银纳米线透明导电膜上电沉积氧化铝保护层，漂洗，退火得到氧化铝防护银纳米线透明电极。本发明通过控制反应速率改良电沉积工艺，将氧化铝精准沉积在银纳米线表面，不影响透光区域，并通过沉积过程促进银纳米线之间的接触，以高平整度的表面避免了包覆层的光吸收，实现了稳定性与光电性能的提升，极大简化了银纳米线防护工艺与柔性透明电极的制备成本，促进了柔性电子的发展。
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公开(公告)号：CN112652716A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011442474.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述有机薄膜晶体管结构自下而上依次为衬底、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；或自下而上依次为衬底、铝、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；所述有源层材料为PDQT。本发明以半导体聚合物材料PDQT为有源层，并用OTS修饰绝缘层，可显著提高有机薄膜晶体管对载流子的传输特性，为制备全溶液的全有机薄膜晶体管器件阵列提供参考。
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公开(公告)号：CN112646087A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011483933.2
申请日：2020-12-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08F283/06 , C08F220/06 , C08F299/00 , C08H7/00 , C04B24/26 , C04B103/30
Abstract: 本发明属于混凝土高效减水剂技术领域，公开了一种木质素聚羧酸减水剂及其制备方法和在混凝土中的应用。本发明的基于木质素酯化物单体的聚羧酸减水剂由包括以下质量份的组分通过可逆加成‑断裂链转移反应得到：1～20份不饱和的木质素酯化单体；99‑70份的不饱和聚氧乙烯醚；10～18份不饱和羧酸；0.5～5份的引发剂；0.1～2份的链转移剂。所制备的木质素聚羧酸具有良好的分散性能，可以有效降低水泥浆的黏度，而且引气性良好，可以在混凝土中引入细小起泡增强砂浆的保温性能。
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公开(公告)号：CN112162440A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011022334.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/155 , G02F1/153
Abstract: 本发明公开了一种电致变色器件及其制备方法与应用。所述电致变色器件的制备方法为：(1)将多金属氧酸盐溶于水中，加入硫酸盐和有机稳定剂，得到电致变色液；(2)在两块透明基板上分别制备图形化金属电极和透明导电层；(3)将两块透明基板的金属电极面和透明导电层面相对，并用边框分隔开一定距离，边缘密封，防止漏液，同时留有电致变色液的灌注口，得到电致变色器件结构；(4)将步骤(1)的电致变色液在真空条件下注入步骤(3)的电致变色器件结构中，注满后封堵灌注口，得到电致变色器件。本发明电致变色液中的多金属氧酸盐在电化学驱动下发生氧化还原引起溶液颜色改变，因而从根本上消除了传统电致变色器件薄膜受离子侵蚀的问题。
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公开(公告)号：CN109887991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN107739554B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710785335.2
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，公开了一种快速凝胶化氧化锆喷墨打印墨水及其制备方法和应用。所述锆喷墨打印墨水由八水氧氯化锆、聚乙二醇6000和去离子水构成，其凝胶点为70‑75℃。将氧化锆喷墨打印墨水加入到喷墨打印机中，在60℃基板上喷墨打印，然后在300～400℃进行热处理，得到氧化锆薄膜。本发明通过引入高分子聚乙二醇6000，使得溶液体系的粘度达到喷墨打印工艺要求，同时使得溶液体系的凝胶点控制在70‑75℃，溶液在成膜过程中其流动性也受到了尽可能的限制，从而抑制咖啡环效应，制得均匀的氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN107323118B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710546148.9
申请日：2017-07-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，公开了一种UV固化预处理银导电薄膜的制备方法。所述制备方法为：将基底清洗烘干，然后采用纳米银墨水在基底上喷墨打印预设图形；将喷墨打印预设图形后的基底在紫外光照条件下预固化170～180s，然后在140℃温度下热固化3～20min，得到所述银导电薄膜。本发明通过UV预固化和一次热固化，无需多段热固化，所得喷墨打印银导电薄膜有较低的电阻率和表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN110543056A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910795071.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了一种无机全固态电致变色器件及其制备方法；属于光电器件领域。本发明通过溶液法，以氧化镍为原料低温制备了氧化镍离子存储层，再制备氧化锆作为离子导电层，然后通过外加电场，将电解液中的氢离子注入离子存储层中，从而得到包含离子的叠层结构，使得原本不含自由移动工作离子的氧化锆能够作为离子导电层使用。然后在之上旋涂氧化钨电致变色薄膜以及透明电极，从而构成无机全固态电致变色器件。
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公开(公告)号：CN110534434A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910634921.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/445 , H01L21/4763 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法。选取禁带宽度相近的金属氧化物绝缘材料和金属氧化物导电材料的前驱体，将其分别溶于同一种溶剂或互溶的溶剂得到绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液：然后将绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液依次旋涂于正极衬底上，热退火处理后沉积一层负电极材料，得到金属氧化物TFD。本发明基于溶液法旋涂禁带宽度相近且能溶于互溶或同一溶剂体系的绝缘层和导体层，利用绝缘层和导体层之间形成较大混溶区，使得金属氧化物薄膜器件表现出二极管的整流特性，制备出高性能的金属氧化物薄膜二极管。
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