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公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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公开(公告)号：CN108943527A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810371177.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: B29C35/02
CPC classification number: B29C35/02 , B29C35/002
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，公开了一种改善金属有机物分解型银墨水结合强度的方法。所述方法为：将基底超声清洗并烘干，然后在室温下通过喷墨打印的方法将MOD型银墨水图形化，形成液态银薄膜，最后在热台上以180～200℃固化10～20min，得到银薄膜。本发明的方法通过调节热固化工艺参数，促使银颗粒与玻璃衬底产生一定程度的互融或渗透，从而增强MOD型银墨水形成的薄膜与玻璃衬底的结合强度。本发明方法不需要改变银墨水的配方和调节银墨水性质，简单易行，减少了时间和材料成本。
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公开(公告)号：CN107741407A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711112949.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N21/3563 , G01N21/01
CPC classification number: G01N21/3563 , G01N21/01 , G01N2021/3595
Abstract: 本发明属于薄膜材料分析领域，公开了一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具及测试方法。所述夹具由玻璃片、玻璃片上的金属衬底和金属衬底上的双面胶构成。采用上述夹具对小尺寸薄膜材料进行红外光谱测试的方法如下：将小尺寸薄膜材料待测样品粘贴于所述夹具的双面胶上，然后将粘贴有待测样品的夹具倒置于岛津傅立叶红外光谱仪的样品座上，使待测样品置于样品座开孔中央位置，即可开始测试。本发明以一种简单的样品夹具，解决了小尺寸薄膜样品在使用岛津傅立叶红外光谱测试中遇到的样品掉落、信号弱的问题，且通过在玻璃衬底上镀一层金属膜来增强样品的测试强度，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN109975527A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910187208.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N33/32
Abstract: 本发明属于电子材料墨水分析领域，公开了一种电子材料墨水可印刷性的评估方法。所述方法的具体步骤为：使用旋转流变仪测试电子材料墨水的粘温曲线、蠕变和恢复；使用液滴分析仪测试电子材料墨水的表面张力，将所得测试结果与标准条件进行对比，评估电子材料墨水的可印刷性。本发明以简便的墨水测试方法，解决了印刷电子材料墨水缺乏系统评价方法的问题，对墨水可印刷性的筛选和优化有十分显著的意义，可推动印刷电子产业的发展。
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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107546262A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581574.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
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公开(公告)号：CN107302027A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710537847.7
申请日：2017-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/41725 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体层和一层半导体层构成，其中半导体层靠近栅极绝缘层；所述的绝缘体层材料为具有绝缘特性的二元氧化物AO，半导体层为具有半导体特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金属元素。本发明采用不同的两种氧化物堆叠起来而成为薄膜晶体管的有源层，能够在室温下通过磁控溅射方式制备，制备工艺简单，且不需要退火处理，所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性。
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公开(公告)号：CN107805787B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710785172.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。
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公开(公告)号：CN109449199A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811131561.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。
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公开(公告)号：CN108511348A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810354534.2
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种PEN柔性衬底透明薄膜晶体管及其制备方法。将玻璃基底清洗，烘干后用OCA胶贴上一层PEN；在PEN层上通过射频磁控溅射沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到PEN柔性衬底透明薄膜晶体管。本发明采用AZO作为TFT器件的栅极和源漏电极，所得TFT器件具有高性能、高透明度且无毒的优点。
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