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公开(公告)号：CN114242923A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111338881.4
申请日：2021-11-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电致发光器件的技术领域，公开了一种硫醇类化合物界面修饰磷化铟量子点提高电致发光器件性能的方法。所述方法：在ITO基板上依次制备电子传输层、磷化铟量子点发光层、界面修饰层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述界面修饰层为硫醇类化合物界面修饰层；所述硫醇类化合物包括含有硫醇基团的烷烃或芳香族化合物。本发明采用硫醇类化合物对磷化铟量子点发光层进行界面修饰，钝化其薄膜表面缺陷，增强其稳定性，有利于提升磷化铟量子点器件的电流效率和亮度，推动磷化铟量子点器件在下一代显示和照明领域的应用。
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公开(公告)号：CN112652718A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011442146.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法。本发明采用酸溶液对全有机薄膜晶体管器件的PEDOT：PSS源漏电极进行酸处理，使电极的导电率(σdc)从2.69S/cm提高到5.52×102S/cm，全有机薄膜晶体管器件的载流子高达1.36cm2V‑1s‑1，超过了非晶硅的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN102296270B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110252193.6
申请日：2011-08-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO，其中，0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c＝0.3、d＝0.6且a+b+c+d＝1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于玻璃基板中心上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层中部上端，位于栅极正上方，沟道层左右两端伸出栅极；源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。
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公开(公告)号：CN114242920B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111340780.0
申请日：2021-11-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10K50/17 , H10K50/115 , H10K71/00 , C01G19/02
Abstract: 本发明属于电致发光器件的技术领域，公开了一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备。所述磷化铟量子点电致发光器件包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述电子注入层为二氧化锡。本发明采用二氧化锡材料作为电致发光器件的电子注入层，优化电子注入，利用二氧化锡材料的高的电子迁移率，实现基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113211978B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110430535.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全自动防堵的喷墨打印系统及方法，系统包括上位机、中央控制系统、喷射系统、防堵供墨系统和墨水防污系统，上位机通过中央控制系统连接喷射系统和防堵供墨系统，喷射系统连接防堵供墨系统；在喷墨打印系统正常工作时，中央控制系统控制防堵供墨系统为喷射系统连续供墨，控制喷射系统的喷墨头喷射出墨滴；墨水防污系统用于回收供墨时喷墨头滴落的溢流墨水；在喷墨打印系统停止打印工作时，中央控制系统控制防堵供墨系统停止供墨并抽空喷墨头流道内的墨水，以达到防堵目的。本发明既可有效解决多数系列打印机不经常使用引起的墨水干燥堵塞喷头及输送管的问题，也可节省打印机自清洗喷墨头所耗费的大量昂贵墨水。
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公开(公告)号：CN113682056B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110843476.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电喷印喷头、电喷印喷头阵列及无电荷油墨喷射方法。该电喷印喷头包括：流道管、正电极、接地极和光电耦合器；正电极设于流道管内，流道管设有喷嘴，接地极与喷嘴对应设置，用于在喷嘴处形成带正电荷的射流；光电耦合器包括空腔结构和光源，空腔结构内设有光电材料，光源发出光波使光电材料逸出自由光电子，对油墨进行电荷中和，光波频率高于光电材料红限频率；空腔结构还设有入墨口和出墨口，入墨口与喷嘴对应设置，出墨口喷射出电荷中和后的油墨。本发明克服传统电流体动力喷印的油墨电荷消除效果差和油墨在电场中偏转的问题，提升喷射的精度。
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公开(公告)号：CN113211980B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110430569.1
申请日：2021-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于印刷OLED器件的压电控制系统及优化方法，系统通过上位机控制主像素墨滴喷射系统喷射有机材料，以在OLED基板表面上印刷形成机发光层，同时，空位像素监测系统实时采集印刷过程中OLED基板的像素群图像，并将像素群图像发送给上位机；上位机找出图像中的空位像素点以及空位像素点在OLED基板中的对应位置，并控制空位像素补偿系统对OLED基板中的空位像素点对应位置进行填补印刷，以消除有机发光层中的缺陷，达到优化印刷OLED制程的目的，避免了印刷OLED过程中由于少数空位像素导致的器件良品率低下的问题，可有效提升印刷OLED的工艺稳定性，进一步推进印刷OLED技术替代蒸镀技术的进度。
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公开(公告)号：CN114242920A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111340780.0
申请日：2021-11-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电致发光器件的技术领域，公开了一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备。所述磷化铟量子点电致发光器件包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述电子注入层为二氧化锡。本发明采用二氧化锡材料作为电致发光器件的电子注入层，优化电子注入，利用二氧化锡材料的高的电子迁移率，实现基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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公开(公告)号：CN113682056A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110843476.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电喷印喷头、电喷印喷头阵列及无电荷油墨喷射方法。该电喷印喷头包括：流道管、正电极、接地极和光电耦合器；正电极设于流道管内，流道管设有喷嘴，接地极与喷嘴对应设置，用于在喷嘴处形成带正电荷的射流；光电耦合器包括空腔结构和光源，空腔结构内设有光电材料，光源发出光波使光电材料逸出自由光电子，对油墨进行电荷中和，光波频率高于光电材料红限频率；空腔结构还设有入墨口和出墨口，入墨口与喷嘴对应设置，出墨口喷射出电荷中和后的油墨。本发明克服传统电流体动力喷印的油墨电荷消除效果差和油墨在电场中偏转的问题，提升喷射的精度。
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