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公开(公告)号:CN116754492A
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202310453952.8
申请日:2023-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明公开了一种成像椭偏仪测量系统及系统参数校准方法,属于光学仪器测量领域,包括:样品台,用于放置样品;入射光生成模块,用于生成工作波长范围内的平行的入射光;起偏模块,用于调制入射光的偏振态;第一会聚透镜,用于将偏振入射光聚焦于放置于样品,产生反射光;第二会聚透镜,用于将反射光转换为平行光;检偏模块,用于调制平行光的偏振态;光束调整模块,用于将偏振平行光转换为第一出射光束和第二出射光束;图像信息探测模块,用于将第一出射光束调节为单色光后对样品进行成像。本发明能够加快成像椭偏仪系统参数校准的速度,使成像椭偏仪同时具有高横向分辨率的能力和快速校准的能力,从而提高成像椭偏仪整体的测量速度。
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公开(公告)号:CN116068865A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310094923.7
申请日:2023-01-18
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统,属于光刻技术领域,方法包括:步骤S1、确定纳米结构的待测形貌参数以及散射测量的参数提取过程中固定不变的参数;步骤S2、基于所述待测形貌参数和所述固定不变的参数,构建散射测量中衡量测量信号和理论信号之间拟合误差的评价函数;步骤S3、基于所述评价函数,得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵;步骤S4、计算在不同的测量条件下,所述待测形貌参数的误差传递矩阵的条件数,条件数最小的测量条件即为最优配置。本发明还提供了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化系统。本发明为实现高测量精度、准确度和鲁棒性好的纳米结构散射测量提供了一种新的测量配置优化方案。
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公开(公告)号:CN115755533A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211408944.3
申请日:2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路制造在线测量领域,并具体公开了一种快照式套刻误差测量方法及系统,其包括步骤:对待测件进行测量,分别获取具有正、负预置偏差的两道测量光谱,对测量光谱进行相干解调,将特定频道移频至零频通道;采用线性算子处理移频后的光谱数据,获得对应正负预置偏差的系数;根据系数的实部和虚部系数线性组合构造特征量,则根据对应正负预置偏差的系数分别计算得到对应的特征量;基于特征量与套刻误差的线性关系,根据特征量计算得到套刻误差。本发明无需使用传统的傅里叶分析及截断操作,就可以进行套刻误差的多波长耦合求解,具有较高精度和对噪声的鲁棒性,可用于多场景下的快照式套刻误差测量的数据处理。
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公开(公告)号:CN115656048A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211218802.0
申请日:2022-10-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光超声检测相关技术领域,其公开了一种基于模型的激光超声测量光源参数优化方法及设备,该方法包括以下步骤:(1)构建激光超声测量模型,包括光热激发模型、热声转换模型及声光测量模型;(2)基于光热激发模型及材料物理特性参数,采用不同的激光光源参数计算得到激光辐照下样本材料内部的温度随时间的分布;(3)基于热声转换模型计算得到样本材料内部的声信号随时间的分布;(4)基于激光光源参数及声光测量模型计算得到该样本材料的超声测量信号;(5)基于不同激光光源参数下的超声测量信号分析激光光源参数对样本材料的影响规律,以得到样本材料的最优激光光源参数。本发明避免了大量实验所导致的时间及物料成本的损耗。
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公开(公告)号:CN114593700B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202210272322.6
申请日:2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域,具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法,包括:将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域,描述为纳米结构周期单元的截面轮廓,X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向,Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向;上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成;通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值,作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构,解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。
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公开(公告)号:CN114608494A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210330679.5
申请日:2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域,具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置,包括:对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述,并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型;对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量,得到散射图谱,其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角,能够实现多角度散射图谱测量,在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息,提取方式高效、准确,上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
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公开(公告)号:CN114593700A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210272322.6
申请日:2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域,具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法,包括:将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域,描述为纳米结构周期单元的截面轮廓,X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向,Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向;上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成;通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值,作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构,解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。
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公开(公告)号:CN113281267B
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202110530232.8
申请日:2021-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪系统参数的校准方法,属于精密光学测量仪器系统校准领域,该方法包括将多个校准样件依次放置于第一旋转补偿器和第二旋转补偿器之间的校准平面,采集多个校准样件的光强信息;对所述光强信息进行傅里叶分析获得所述光强信息的傅里叶系数,结合所述傅里叶系数建立所述光强信息的矩阵形式函数;使用特征值校准法求解光强信息的矩阵形式函数,得到校准后的起偏臂的调制矩阵和检偏臂的分析矩阵,从而完成系统参数的校准。本发明提出的双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪系统参数的校准方法无需对系统进行建模,可以避免因建模偏差引入的系统误差,大幅度降低了系统校准的难度并且大大提高了系统的校准精度。
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公开(公告)号:CN113281265A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110601198.9
申请日:2021-05-31
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明属于激光超声检测相关技术领域,并具体公开了一种适用于宽膜厚范围样品的激光超声测量系统及方法。该系统包括脉冲激光器、泵浦探测单元、脉宽调整器、探测器和工控机,其中:泵浦探测单元中的分束器将脉冲激光分为激发光光束和探测光光束;激发光经过脉宽调整器照射在待测样品表面并激发出超声信号,在样品中传播产生回声信号;与激发光存在延时的探测光自样品反射后被探测器接收;工控机接收探测器转换的电信号并提取回声信号,当该回声信号的强度小于预设阈值时,调整脉宽调整器为脉冲展宽状态;当该回声信号的强度大于或等于预设阈值时,保持脉宽调整器为压缩状态。通过本发明,增大激光超声测量技术所适用的样品的膜厚范围。
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公开(公告)号:CN113219792A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110470725.7
申请日:2021-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于集成电路制造在线测量相关技术领域,其公开了一种快照式套刻误差测量装置及其测量方法,该方法包括:将探测光依次进行偏振延迟得到测量光谱;对所述测量光谱进行傅里叶分析获得所述测量光谱的频域信号并对所述频域信号进行分通道频域分析获得所述待测套刻样件的穆勒矩阵非对角元素的线性组合;对所述穆勒矩阵非对角元素的线性组合进行处理获得所述待测套刻样件的套刻误差。本申请无需对穆勒矩阵的全部16个元素都进行测量,只需要对套刻误差敏感的几个非对角穆勒矩阵元素进行测量即可,所涉及的载频通道少,可用于从可见光波段至红外波段宽光谱范围穆勒矩阵元素的快速测量。
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