公开(公告)号：CN104129976B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201410337434.0

申请日：2014-07-16

Applicant: 华中科技大学 ,  中国电子科技集团公司第四十六研究所

Inventor： 雷文 ,  曹青松 ,  汪小红 ,  张立新 ,  郇正利 ,  闫锋 ,  吕文中

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。用化学通式(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2-uH3BO3-wZBG表示所述陶瓷材料的组成，其中，(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2为基体陶瓷粉体，ZnO、MnO2和TiO2的摩尔比为(1-x-y):x:y，u为H3BO3占所述陶瓷材料的质量百分比，ZBG表示锌硼玻璃，w为锌硼玻璃占所述陶瓷材料的质量百分比，0

公开(公告)号：CN104326500A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410555047.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  张晓荣 ,  范桂芬 ,  汪小红 ,  王晓川 ,  梁飞 ,  雷文

IPC: C01F17/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01F17/0043 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法，属于超细纳米粉体合成技术领域。先将含钇无机盐、去离子水和络合剂混合，在室温下搅拌均匀得到含钇的浆液，含钇无机盐和络合剂的重量比为8/0.5～8/10；当目标产物为RE:Y2O3时，含钇无机盐中掺杂有稀土离子；再将浆液，或者由浆液得到的溶胶或干凝胶在400～900℃进行煅烧，使其充分分解，得到蓬松态Y2O3或RE:Y2O3纳米粉体。本发明利用新型络合剂通过燃烧法制备团聚小、粒径小且分布窄的纳米氧化钇，可有效避免所制备样品的后期粉碎、研磨等处理。该方法操作简单、合成温度低、周期短、易于工业化；有利于制备多种掺杂元素的复合氧化钇纳米粉体；可通过控制络合剂的加入量，制备不同粒度区间分布的纳米粉体。

公开(公告)号：CN102531571B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210042603.9

申请日：2012-02-23

Applicant: 华中科技大学 ,  武汉虹信通信技术有限责任公司

Inventor： 梁飞 ,  王志勇 ,  甘洪文 ,  吕文中

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高Q值中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法，涉及微波介质陶瓷。本发明采用一种新型的材料体系：碳酸钙（CaTiO3）和镓酸镧（LaGaO3）两相复合获得xCaTiO3-(1-x)LaGaO3（x=0.66～0.62）微波介质陶瓷，其组分按质量百分比：CaCO325～35%；TiO2 15～30%；La2O320～35%；Ga­2O310～25%；所述CaCO3和TiO2的纯度均大于或等于99.0%，La2O3和Ga­2O3的纯度均大于或等于99.9%。本发明具有良好的微波介电性能；生产工艺过程简单，重复性良好；可广泛应用于性能优异的介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件的制备，满足通信基站等系统的技术需求。

公开(公告)号：CN101805172B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010111148.4

申请日：2010-02-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  吕文中 ,  昂然 ,  梁飞

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/01 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种超低介电常数的微波介质陶瓷材料，由(1-x)MO-0.5xNa2O-(1-0.5x)Al2O3-(2+x)SiO2构成，其中MO为BaO或SrO，0≤x≤0.6。当x＝0时，材料在1500～1525℃范围内保温3小时后能获得负收缩率大于-3.0％的最佳综合性能，能与其它常见的具有正收缩率的材料复合形成零收缩材料，将会成为一种具有应用前景的电子材料。当x＝0.4时，材料在1000～1100℃范围内烧结后能获得零收缩陶瓷，不仅适用于制造高集成度微波通信基板，还能用于制造高品质微带天线和天线罩等重要元器件。

公开(公告)号：CN101759431A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910273178.2

申请日：2009-12-10

Applicant: 华中科技大学 ,  深圳大学

Inventor： 万帅 ,  刘文 ,  吕文中 ,  范桂芬

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明公开了一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。本发明是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的压敏电阻材料中添加0.4～3wt％的铋硼玻璃。压敏电阻材料优选为：ZnO 92.5～95.9mol％；Bi2O30.5～3mol％；TiO20.4～2mol％；Co2O3 0.1～2mol％；MnCO3 0.2～2mol％；Sb2O30.05～1mol％；Cr2O30.1～1mol％；铋硼玻璃优选为：Bi2O3 30～70mol％，余量为B2O3。本发明可以在提高非线性系数和降低漏电流的同时，得到低电位梯度范围内的一系列电位梯度值。其制备方法可以使其烧结温度也得到大幅度的降低，较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题，为实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧提供了必要条件。

公开(公告)号：CN1317226C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200510019420.5

申请日：2005-09-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  朱建华 ,  梁飞 ,  汪小红

IPC: C04B35/16 ,  H01B3/12

Abstract: 低介电常数微波介质陶瓷材料，属于微波介质陶瓷材料，目的是其具有低损耗与良好的温度稳定性，同时介电常数低于10。本发明为表达式为uZnO-vSiO2-wTiO2的固溶体介质陶瓷，其中58.0mol.%≤u≤69.0mol.%，28.0mol.%≤v≤35.0mol.%，3.0mol.%≤w≤7mol.%，其主晶相为Zn2SiO4，副相为TiO2。本发明的微波介质陶瓷材料，介电常数在7～8之间，突破了传统低介电常数微波介质陶瓷介电常数一般高于20的界限，同时具有低的微波介电损耗和较小的谐振频率温度系数，可用于通讯系统中的介质天线、介质基板等微波元器件。

公开(公告)号：CN1865965A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610019080.0

申请日：2006-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  吕文中 ,  肖腊连 ,  罗旖旎 ,  邓传益

IPC: G01N27/18

Abstract: 热释电系数测量装置，属于电流测量设备，基于动态电流法，以提高测量准确度，并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器，温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度；样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接，样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接；计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短，温度和电流测量精度高，能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单，测量准确度较高。

公开(公告)号：CN1850718A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610019081.5

申请日：2006-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  范桂芬 ,  汪小红 ,  梁飞

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，属于压电陶瓷材料，目的在于降低矫顽场，提高压电性能。本发明基料摩尔比和成分表达式为：(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yKNbO3，式中0≤x＜1，0＜y＜0.2，0＜(x+y)＜1；并采用下述方法制备：(1)按所述表达式的化学计量比称取Bi2O3、Na2CO3、(COOK)2·H2O、TiO2、Nb2O5为原料，用纯酒精作为介质球磨；(2)球磨后的粉料烘干后在800℃～850℃预烧2h，加粘合剂成型；(3)在1100℃～1180℃之间烧结2～3小时；(4)烧结后的陶瓷片上制备银电极，在30℃～60℃的硅油中，在4～5kV/mm的电压下极化10～15分钟；本发明压电陶瓷组合物的d33可达190pC/N以上，Kp可达0.37以上，且工艺稳定，适合应用于压电振子和超声换能器等领域。

公开(公告)号：CN119661233A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411972097.2

申请日：2024-12-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪小红 ,  贺逸轩 ,  吕文中

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷坯体及其制备方法和应用，该氮化铝陶瓷坯体是由水基氮化铝陶瓷浆料自凝固成型制得；按质量百分比计，水基氮化铝陶瓷浆料包括AlN粉体70～75%、水18～25%、凝胶剂0.2～1%、分散剂0.3～0.8%、改性剂0.3～1.2%以及助烧剂0.5～4.5%。本发明以AlN粉体为主料，配合少量凝胶剂、分散剂、改性剂以及助烧剂，在水的作用下经球磨得到水基氮化铝陶瓷浆料，再制得氮化铝陶瓷坯体，该坯体的强度高，达到4.1～5.2MPa，且经烧结所得氮化铝陶瓷的瓷体均一性好，其平均热导率在160 W/m·K以上，热导率的离散系数在0.015及以下。

公开(公告)号：CN118495934A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410596285.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 黄斌炜 ,  雷文 ,  吕文中 ,  杨威 ,  罗真理 ,  程桥

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请属于微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷材料、其制备方法及应用。本申请提供的硅酸盐基低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为9AO‑B2O3‑6SiO2，其中，A为Sr2/9、Ba或固溶体Ba1‑xCax，B为Al、Y、La、Lu或固溶体Y1‑yAly，1/18≤x≤5/9，0≤y≤1.0，具有性能稳定、介电常数低、微波介电性能优异等优势，其中低介电常数的特性有利于提高电信号在介质材料中传输的速率，优异的微波介电性能能够减少系统工作的损耗、降低发热量并改善稳定性。