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公开(公告)号：CN107830814A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710962151.9
申请日：2017-10-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供一种基于光度学的测量表面变形的方法，属于分析测量技术领域。该方法通过夹具固定被测表面，初始被测表面作为测量基准面x-y；相机轴线垂直于基准面，朝向被测表面固定；均匀平行光于侧面以5～45度俯角照射被测表面。在平行光的照射下，通过标定获得光强与梯度的函数关系；使用相机拍摄变形前后被测表面反射光强分布；最后计算被测表面位移变化量。该方法具有较高的灵敏度和采样分辨率，可应用于薄板材料的翘曲变形测量、压力容器壁的受力变形监测、承力梁的应力集中分析等；采用高速相机时，可以进行动态变形测量，应用于变形过程分析、震动分析等领域。
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公开(公告)号：CN102653507B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110111162.9
申请日：2011-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C07C49/796 , C07C45/68 , C09K19/32
Abstract: 本发明涉及一种芘类大共轭体系盘状液晶化合物及其制备方法，属于有机合成技术领域。该化合物结构如图所示，其中n为4-20的整数。该化合物制备方法包括：芘的傅克酰基化反应，中间产物溴代反应，Sonogashira偶联反应。本发明方法制备的芘类大共轭体系盘状液晶化合物更容易形成极其规整的柱状四方相盘状液晶。这种极其规整的柱状四方相盘状液晶具有很好的载流子传输效率的优点。而这种分子排列极其规整的柱状四方相盘状液晶极为罕见，这种结构是有机太阳能电池，有机场效应晶体管中所需要的理想结构，因此该化合物具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102253708B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110217898.4
申请日：2011-08-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: G06F1/32
Abstract: 本发明涉及微处理器硬件多线程动态变频控制装置及其应用方法。所述变频控制装置包括：一时钟参数寄存器，一变频标志寄存器，一变频模式寄存器，一时钟产生状态机，N个多路选通器和一组倍频时钟信号，可支持最多N个硬件线程的变频控制。通过所述变频控制装置实现硬件线程数量动态切换的时钟变频方法包括：根据时钟参数寄存器值确定硬件多线程的工作频率；进入变频时钟控制阶段；产生变频时期的时钟信号；变频完成后，更新时钟参数寄存器；退出变频阶段。通过本发明所述控制装置，可在硬件多线程的线程数量切换时避免流水线排空现象，基本实现无缝切换，大大节省时间，提高了处理器的执行效率并同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN102653507A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110111162.9
申请日：2011-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C07C49/796 , C07C45/68 , C09K19/32
Abstract: 本发明涉及一种芘类大共轭体系盘状液晶化合物及其制备方法，属于有机合成技术领域。该化合物结构如图所示，其中n为4-20的整数。该化合物制备方法包括：芘的傅克酰基化反应，中间产物溴代反应，Sonogashira偶联反应。本发明方法制备的芘类大共轭体系盘状液晶化合物更容易形成极其规整的柱状四方相盘状液晶。这种极其规整的柱状四方相盘状液晶具有很好的载流子传输效率的优点。而这种分子排列极其规整的柱状四方相盘状液晶极为罕见，这种结构是有机太阳能电池，有机场效应晶体管中所需要的理想结构，因此该化合物具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102199093A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110089746.0
申请日：2011-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种苝类盘状液晶化合物及其制备方法，该化合物结构如式（1）所示：（1）其中，R1的结构为的仲碳烷基链，m为1-20的整数，n为2-20的整数；该化合物制备方法包括：苝四甲酸酐的开环反应，仲烷基溴的亲核取代反应。本发明盘状液晶化合物在有机溶剂中溶解性好，在溶液中，该分子可发生聚集，即相对于单独的荧光体来说其最大吸收峰和发射峰发生红移，而在聚集过程中不发生荧光淬灭。基于这样的性质，该类化合物可被用于制作电致发光器件。同时该类分子结晶点低，是液晶范围较宽的室温液晶，在高温时倾向于自组装成规整的平面结构或者一维有序结构，并在室温下得以保存。作为有机电子传输器件有很大的应用潜力，是很好的n型半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101957744A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010512737.3
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: G06F9/38
Abstract: 一种用于微处理器的硬件多线程控制方法及其装置，涉及微处理器体系结构领域。本发明提出的控制方法包括以下步骤：多线程取指，多线程译码，多线程执行，多线程访存，多线程写回。本发明提出的仿真装置包括：一个硬件多线程取指器件，一个硬件多线程译码器件，一个硬件多线程执行器件，一个硬件多线程访存器件，一个硬件多线程写回器件，一个硬件多线程寄存器组，一个多线程控制器件。此外，本发明针对软件多线程程序，可以通过处理器硬件多线程执行，执行时有效地隐藏了访存延迟，略去了线程切换时线程相关信息的保存与恢复，减少了线程切换的开销；采用流水线技术，使得原来执行一个线程的时间内现在可以并行执行n个线程；通过硬件多线程有效规避了深度流水带来的数据相关性风险，降低了系统的设计复杂性，从硬件上提高了系统的执行效率。
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公开(公告)号：CN101241009B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710304535.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了基于变形圆分布及周期性假设的磁电子罗盘误差补偿方法。要提高磁电子罗盘的测量精度，必须补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差。目前，国内外流行的补偿方法是基于环境干扰磁场的影响导致磁场强度的水平投影分量的分布由正圆形变为椭圆形的假设的。但因为影响因素较多，情况复杂，实际上无法保证磁场强度的水平投影分量的分布为严格的椭圆形。针对这一情况，本发明提出了基于变形圆分布和周期性假设的误差补偿算法，以补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差，实现地磁方位角的高精度测量。
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公开(公告)号：CN114634872A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210250013.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于微流控芯片的应用技术领域，涉及一种基于微流控的间充质干细胞多谱系分化的自动化培养和检测芯片，该检测芯片包括培养主体和多个培养区，用于能够在避免污染的前提下对其进行连续的自动化培养及分化；叉指电极，用于对培养区内分化结果的进行数据采集；机械蠕动装置，用于间充质干细胞的培养，并利用流动培养基冲刷细胞，使其受到培养基的剪切力促进分化，增强分化培养基的分化效果。本发明具有结构简单，使用方便，能够在避免污染的前提下对其进行连续的自动化培养及分化，简化人工操作步骤，缩短实验时间。同时在培养结束后，可直接于本微流控芯片下方的叉指电极进行三系分化结果检测。
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公开(公告)号：CN110346294B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910523601.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种面板细微划伤缺陷的扫描检测系统和方法，属于表面缺陷检测技术领域。该系统包括多光谱线扫描相机、光源阵列和传送机构，多光谱线扫描相机位于传送机构上方，且扫描线垂直传送机构，光源阵列位于多光谱线扫描相机和传送机构之间。该方法采用多个方向照明光源覆盖细微划伤缺陷的显像扇区，使亚像素大小的细微划伤缺陷清晰成像；采用多光谱线扫描相机扫描成像，实现动态检测；检测算法排除了镜面光斑的影响，适用于对含曲面的面板进行划伤检测。
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公开(公告)号：CN111207695A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010038079.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于机器视觉领域，具体涉及一种基于双线结构光的热轧带钢端部三维轮廓测量方法。所述方法主要采用双线结构光方法对热轧生产线上速度达到120m/min高速运行的带钢端部形状进行三维轮廓测量，包括如下操作步骤：1)系统搭建；2)相机标定；3)光平面标定；4)三维空间坐标求解；5)图片采集预处理；6)光条图像处理；7)建立三角关系；8)三维重建，得到带钢的三维点云图。本发明通过向带钢端部平面投射双线结构光，经过图像处理检测线结构光与带钢边缘的交点，根据结构光三角测量理论将点从二维坐标系换算到三维坐标系下，得到带钢端部形状并计算带钢宽度。
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