公开(公告)号：CN104261467A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410448913.X

申请日：2014-09-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙文涛 ,  夏华荣 ,  彭练矛

IPC: C01G23/053 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G23/053 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/64 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种独立可剥离的二氧化钛纳米线薄膜及其制备方法和应用，该二氧化钛纳米线薄膜独立可剥离，厚度大概为4-8微米，正反两面由竖直生长的纳米线组成，所述纳米线向两个相反的方向生长。该二氧化钛纳米线薄膜可以制备不需要添加导电剂和粘结剂的锂离子电池负极，同时，本发明提供的制备方法同时实现了基底与薄膜的分离，适合大规模制备二氧化钛纳米线薄膜。

公开(公告)号：CN104229770A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410447621.4

申请日：2014-09-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 司佳 ,  张志勇 ,  彭练矛

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩，从而获得高密度碳纳米管；最后将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法简单实用，效率高，成本低，可制得高密度高质量的纯半导体性碳纳米管平行阵列。

公开(公告)号：CN103681897A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310579131.5

申请日：2013-11-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 梁爽 ,  王胜 ,  魏楠 ,  彭练矛

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器包括一衬底，在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜，所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器件；其中，所述光学微腔的腔态密度最大处与所述半导体碳纳米材料光电器件的工作区重合，且对于同一波长的红外光，通过所述下光程差补偿层的光程与通过所述上光程差补偿层的光程相等或相差半波长整数倍。本发明提高了对红外弱光的探测能力，微腔加工工艺简单、快捷；可应用于碳管电路光电器件的互联，或者碳管与硅集成电路片上互联，执行通讯波段红外光的探测与响应。

公开(公告)号：CN102263121A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110202706.2

申请日：2011-07-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐慧龙 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的霍尔集成电路及其制备方法。该霍尔集成电路包括霍尔元件和对霍尔元件输出的霍尔电压信号进行放大的放大器，霍尔元件和放大器中的场效应晶体管都采用石墨烯作为沟道材料，在制备工艺上具有很好的兼容性。而且本发明的霍尔集成电路具有较高的灵敏度和温度稳定性，在电压模式和电流模式下都可以较好地工作。

公开(公告)号：CN101354388B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810119277.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 许胜勇 ,  高亦斌 ,  王俊逸 ,  王烨 ,  彭练矛

IPC: G01N33/00 ,  G01N25/00

Abstract: 本发明公开了一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统，使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个厘米级的块状金属电极相接触，然后利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极，改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，即可获得准一维纳米材料的赛贝克系数。相应的测试系统包括实验平台、变温装置和数据采集及处理装置三部分。本发明通过微米级过渡电极解决了厘米级电极到纳米级待测样品的接触过渡问题，利用纳米探针系统安装纳米材料，而不是随机撒在电极两侧，提高了实验的成功率、可控性与可靠性，所提供的测量系统具有结构简单、成本低、易推广等优点。

公开(公告)号：CN102169916A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110038833.3

申请日：2011-02-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭练矛 ,  王胜 ,  张志勇 ,  杨雷静

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了基于一维半导体纳米材料的级联太阳能电池及其制备方法。该级联太阳能电池以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道，其两端是非对称的金属电极：一端为钯电极，另一端为钪或钇电极；在所述非对称的金属电极之间的导电通道上具有n-1个虚电极对，将导电通道分为串联在一起的n个单元器件，所述虚电极对由连在一起钯虚电极和钪或钇虚电极组成，其中钯虚电极在靠近钪或钇电极一侧，钪或钇虚电极在靠近钯电极一侧。通过虚电极对的引入，无需掺杂即可实现电池的级联，使电池的输出光电压倍增。

公开(公告)号：CN101252145B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710090362.4

申请日：2007-04-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 梁学磊 ,  张志勇 ,  王胜 ,  姚琨 ,  胡又凡 ,  陈清 ,  彭练矛

IPC: H01L29/43 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定的高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101388412B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810223905.X

申请日：2008-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭练矛 ,  张志勇 ,  王胜 ,  梁学磊 ,  陈清

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要。

公开(公告)号：CN101710588A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910242119.9

申请日：2009-12-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振兴 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。

公开(公告)号：CN100478270C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200410009050.2

申请日：2004-04-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈清 ,  彭练矛

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种解理纳米线的方法，包括：将欲解理的纳米线放于清洁的基底上，再将基底连同纳米线放入装有纳米探针操纵系统的扫描电子显微镜的样品室中；纳米探针操纵系统上装有解理纳米线用的针尖；对扫描电子显微镜样品室抽真空，真空达到扫描电子显微镜使用要求后，开启电子束及电子束加速电压，在用扫描电镜观察的同时移动样品找到要解理的纳米线，然后移动纳米探针的针尖到要解理的纳米线边上；调整好针尖和纳米线的相互位置后使纳米探针向着纳米线前进一大步，从而给纳米线施加一个冲击力，把纳米线解理。解理的纳米线连上光源或激发电源构成纳米激光器。本发明解理纳米线的方法简便，可控制解理部位，从而控制纳米激光器的谐振腔的长度。