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公开(公告)号：CN111690983B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
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公开(公告)号：CN110629190B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
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公开(公告)号：CN109883346B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910193734.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明公开了一种测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置和方法。所述装置包括超快激光光源、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品及应变施加装置、反射镜、第二偏振片、滤光片和光谱仪。本发明首次实现了对二维材料三阶非线性光弹张量的测量，对于发展不受二维材料体系限制的、基于光学三倍频的测量二维材料中应变的方法提供先决条件，为应变工程精准调控二维材料的光学、电学和光电子学性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
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公开(公告)号：CN110295357B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
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公开(公告)号：CN111621846A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910144704.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110568546B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110616458A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910172442.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述方法为用单晶铜为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN110616454A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910171877.X
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述单晶二维材料为单晶石墨烯或单晶氮化硼，所述方法为用单晶二维材料/单晶铜的复合结构为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN110568546A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110407197A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910665275.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C03C17/22 , C23C16/26 , B05D1/02 , B05D7/24 , B05D5/00 , A61L31/08
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯包覆层改善与血液相接触的生物材料及器械血液相容性方法。本发明要求保护石墨烯或石墨烯包覆层在提高生物材料和/或器械的血液相容性中的应用。本发明还要求保护一种提高生物材料和/或器械的血液相容性的方法，该方法包括：在所述生物材料和/或器械的表面制备石墨烯包覆层。由于石墨烯具有很好的柔性，因此石墨烯可以有效全部覆盖生物材料或器械表面，可以改善原本生物材料或器械的血液相容性，因此不会对生物组织造成额外负担。由于石墨烯的高度不渗透性和化学惰性，同时石墨烯还具有较好的机械性能可以有效提高生物材料或器械的生物安全性和相容性。
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