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公开(公告)号：CN100530700C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480012530.2
申请日：2004-03-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/318
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10%的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN100411104C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200580023942.0
申请日：2005-06-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L31/04
CPC classification number: H01B1/16 , H01L31/022433 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的电极材料，是至少含有银粉末、玻璃料和有机介质的电极材料，该电极材料的Ag含量，是75wt%以上95wt%以下，且该电极材料中的平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt%∶80～20wt%。本发明的太阳能电池，是具有以此电极材料所形成的电极的太阳能电池。藉此，可以提供一种电极材料，能稳定地充填至已经形成于半导体基板上的电极槽内，并容易形成线宽细且电阻损失小的电极；以及提供一种高输出的太阳能电池，具有以该电极材料所形成的电极。
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公开(公告)号：CN110073498B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201680090602.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×1018atoms/cm3以上的n型区域，以覆盖p型区域与n型区域的方式配置第1保护膜，在第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，其特征是第1保护膜与第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成的太阳能电池。由此，提供便宜且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110121788B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109844960B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201680089834.1
申请日：2016-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109392312B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780032752.8
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于廉价地提供高转换效率的太阳能电池。本发明的太阳能电池具备保护半导体基板(101)的钝化膜、在半导体基板的主面与半导体基板连接的第一副栅线电极(201)、与第一副栅线电极(201)交叉的第一主栅线电极(202)、和设置于第一副栅线电极(201)与第一主栅线电极(202)的交叉位置的中间层(203)，第一副栅线电极(201)和第一主栅线电极(202)经由中间层(203)相互电导通。
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公开(公告)号：CN113345982A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110623283.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/068 , C30B29/06 , C30B31/08 , C30B31/18 , C30B33/02
Abstract: 本发明是一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由前述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理；并且，在进行前述低温热处理前，以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此，提供一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时，也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。
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公开(公告)号：CN107848314B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680042453.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种丝网印刷方法，其是通过以下方式进行丝网印刷的方法：使用具备丝网制版、刮刀及刮浆板的丝网印刷机，利用前述刮刀来将被供给到前述丝网制版的顶面上的糊料填充到前述丝网制版的开口部后，利用前述刮浆板来将前述糊料从前述丝网制版的开口部挤出到被印刷物的规定位置，所述丝网制版设置有对应于印刷图案的开口部，由此，对前述被印刷物以对应于前述印刷图案的方式来丝网印刷前述糊料；并且，在进行前述丝网印刷时，调整前述丝网印刷机内的湿度。据此，本发明提供一种丝网印刷方法，其能够根据控制丝网制版上的糊料中的水分量，来提高糊料的印刷性。
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公开(公告)号：CN111092128A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN202010001147.8
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由前述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理；并且，在进行前述低温热处理前，以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此，提供一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时，也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。
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公开(公告)号：CN110073499A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
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