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公开(公告)号：CN1498426A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN02806810.6
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1489791A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804239.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , F24S30/425 , F24S2030/16 , H01L31/02 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S20/30 , Y02B10/12 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度δ时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN1784789A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012530.2
申请日：2004-03-29
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC: H01L31/04 , H01L21/318
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10％的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1489793A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804373.1
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第一主要表面24a上的 方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池1的机械强度。沟槽2的形成方向最好和最靠近该形成方向的 方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。
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公开(公告)号：CN100530700C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480012530.2
申请日：2004-03-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/318
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10%的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1274032C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02804373.1
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第一主要表面24a上的 方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池1的机械强度。沟槽2的形成方向最好和最靠近该形成方向的 方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。
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公开(公告)号：CN101167191B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN100444414C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101167191A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101164173A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013914.5
申请日：2006-04-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/223 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第一涂布剂，然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层；该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域；该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成，其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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