公开(公告)号：CN102714397A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080009778.9

申请日：2010-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  高木慎平 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。

公开(公告)号：CN102549859A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043433.5

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。

公开(公告)号：CN101083220B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710108828.9

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  上田登志雄 ,  京野孝史

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  G01N21/95

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。

公开(公告)号：CN102474075A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031730.8

申请日：2010-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑，该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。

公开(公告)号：CN102460866A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026837.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  德山慎司 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  池上隆俊 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2004 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2302/00

Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。

公开(公告)号：CN101882571A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1957447B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN101092690A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112134.2

申请日：2007-06-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  创研工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  高桥健 ,  上田登志雄 ,  矢作理 ,  中村孝夫 ,  氏家一夫 ,  石川亨一 ,  竹本菊郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

Abstract: 一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路，用于将在贮留容器中产生的金属有机气体和稀释气体供给沉积室；连接至所述金属有机气体供给通路的稀释气体供给通路，用于将稀释气体供给金属有机气体供给通路；提供在起泡气体供给通路中的流速调节器，用于调节起泡气体的流速；用于调节稀释气体的压力的压力调节器；和音速喷嘴，设置在金属有机气体供给通路和稀释气体供给通路之间的连接位置的下游侧上的金属有机气体供给通路中。

公开(公告)号：CN100347868C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410062177.0

申请日：2004-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II-VI化合物半导体区和II-VI化合物半导体层。II-VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II-VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II-VI化合物半导体层电连接。

公开(公告)号：CN100342557C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410032570.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n-型ZnMgSSe覆盖层(3)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p-型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。