公开(公告)号：CN103794546A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210422157.4

申请日：2012-10-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽的底部形成籽晶层；在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述∑状凹槽；在所述嵌入式锗硅层上形成SiCB帽层。根据本发明，在所述嵌入式锗硅层上形成SiCB层作为帽层，其中的碳原子可以减弱硼原子向所述半导体衬底中的扩散，同时，由所述SiCB层构成的帽层可以提高随后在其上形成的由镍硅构成的自对准金属硅化物的稳定性，由此提升器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102856202A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110180763.5

申请日：2011-06-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 涂火金 ,  林静

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的PMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的凹槽；在所述凹槽底部形成硅锗种子层；在所述硅锗种子层表面形成第一硅锗渐变层；在所述第一硅锗渐变层上形成硅锗体层，且所述硅锗体层表面低于半导体衬底表面，并在栅极结构两侧硅锗体层内形成源/漏极。通过本发明可以减小PMOS晶体管中硅锗体层的错位，提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN107369685B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201610309122.8

申请日：2016-05-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括至少两个相邻的PMOS区，在相邻PMOS区内的隔离结构之间形成有凹槽；在凹槽底部的半导体衬底上形成籽晶层；在籽晶层上形成主体锗硅层；在主体锗硅层上形成盖帽锗硅层，盖帽锗硅层的形状为Σ型；在每个盖帽锗硅层暴露的四周表面上形成共形的覆盖层，且相邻PMOS区内的部分覆盖层相接触，以形成空气隙；在隔离结构以及覆盖层上形成介电层；回蚀刻部分介电层以及部分覆盖层，以暴露盖帽锗硅层的顶面。根据本发明的制造方法，可以降低器件的RC延时，避免形成于嵌入式锗硅顶面上的金属硅化物之间发生桥连。

公开(公告)号：CN105990121B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201510053246.X

申请日：2015-02-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静 ,  禹国宾

IPC: H01L21/285

Abstract: 一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。

公开(公告)号：CN105679824B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201410658857.2

申请日：2014-11-18

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成鳍；在衬底上依次形成隔离层和阻挡层；形成位于鳍侧壁上的侧墙；在隔离层中形成多个露出鳍的凹槽；在凹槽中填充半导体材料，并对半导体材料进行掺杂以形成源区或漏区；在源区或漏区之间的鳍上形成栅极。所述晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的鳍；覆盖于所述鳍侧壁和顶部的隔离层；位于所述鳍侧壁上的侧墙；横跨至少一个所述鳍的栅极；形成于栅极两侧的鳍顶部隔离层中的漏区。本发明通过增加阻挡层形成隔离层侧壁，鳍、隔离层顶部与隔离侧墙构成的凹槽底面比较平坦，有利于源区或漏区材料生长的速度与质量，进而有利于提升形成的鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN106373886A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510443640.4

申请日：2015-07-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/66446 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成III-V族化合物半导体层；在所述III-V族化合物半导体层上形成介电层；在含氮环境中执行退火工艺，以在所述III-V族化合物半导体层和所述介电层之间形成氮化物钝化层。本发明提出半导体器件的制作方法，可以克服III-V族化合物半导体器件存在悬空键(dangling bond)和界面缺陷陷阱(interface defect trap)较多的问题。进一步地，可形成厚度适当的氮化物钝化层，既可解决服III-V族化合物半导体器件存在悬空键(dangling bond)和界面缺陷陷阱(interfacedefect trap)较多的问题，又可避免因氮化物钝化层过后造成的其他问题。

公开(公告)号：CN105990147A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510089794.8

申请日：2015-02-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 禹国宾 ,  林静

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干悬置的第一纳米线，以及位于所述第一纳米线两端的侧墙，在所述侧墙外侧的半导体衬底上形成有源极区域、漏极区域；形成环绕第一纳米线整个外表面的外延层；在所述半导体衬底上形成沿所述第一纳米线的径向方向环绕所述外延层的一部分的栅极结构；对所述源极区域、漏极区域进行掺杂，以分别形成源极、漏极；去除所述侧墙；刻蚀去除所述第一纳米线，保留所述外延层，以形成第二纳米线。根据本发明的制作方法形成的全环栅纳米线场效应晶体管，具有空心的纳米线结构，可减小漏电流、提高电子迁移率，进而提高器件的整体性能和可靠性。

公开(公告)号：CN103035479B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110298518.4

申请日：2011-09-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 宋化龙 ,  林静 ,  何永根

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种半导体结构形成方法包括：提供衬底，所述衬底正面形成有半导体结构；采用酸性溶液清洗所述衬底背面的含金属离子或原子的残留；清洗后，对所述衬底的背面进行氧化处理，修复酸洗造成的缺陷。本发明在采用酸性溶液清洗所述衬底背面之后，对所述衬底背面进行氧化处理，所述氧化处理可以修复衬底背面的缺陷，比如将衬底背面的硅-硅断键氧化，形成硅-氧键。因为衬底背面的缺陷被修复，所以衬底背面不容易吸附环境中的颗粒物质，从而避免了在后续工艺中，将所述衬底背面的颗粒物质吹拂到衬底正面的半导体结构表面。

公开(公告)号：CN103779215A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210398804.2

申请日：2012-10-18

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 金兰 ,  何永根 ,  何有丰 ,  涂火金 ,  林静

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，至少包含栅极结构；在所述栅极两侧形成凹槽；沉积SiGe，在所述凹槽的底部和侧壁形成SiGe层；然后蚀刻去除部分所述SiGe层，以在所述凹槽的底部和侧壁上形成厚度均一共形的SiGe层。在本发明中通过在所述凹槽中形成厚度均一共形的SiGe层，最终得到源漏，所述器件的性能更好。

公开(公告)号：CN103184438A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110456281.8

申请日：2011-12-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供了一种薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置，利用低压化学气相沉积工艺沉积预定厚度的薄膜之后，对薄膜进行所述热处理，其包括以下步骤：向具有预设温度、暴露于紫外光下的处理腔室中通入气体，气体与薄膜发生反应。本发明中的热处理方法能修复薄膜中的缺陷，且不会造成薄膜结晶，提高了薄膜的性能。