公开(公告)号：CN102158178A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110072412.2

申请日：2011-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  张旭 ,  裴为华 ,  黄北举

IPC: H03F1/26

Abstract: 一种采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器，包括了反相输入耦合电容和正相输入耦合电容、反馈网络、运算放大器、平衡网络以及输出电容CL，其中：所述运算放大器的反相输入端连接反相输入耦合电容，该放大器的正相输入端连接正相输入耦合电容；所述反馈网络的输入端与运算放大器的反相输入端连接，该反馈网络的输出端与运算放大器的输出端连接；所述输出电容与运算放大器的输出端连接；所述平衡网络的输入端与运算放大器的正相输入端连接。

公开(公告)号：CN101465358B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710179892.6

申请日：2007-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  张旭

IPC: H01L27/144

Abstract: 本发明提出一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正中央；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第一层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第二层金属(13)将这三个扩散区连在一起。

公开(公告)号：CN100514099C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610112702.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  刘海军 ,  顾明

IPC: G02B6/12

Abstract: 一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一SOI衬底；一二氧化硅掩埋层位于SOI衬底上；一p型单晶硅层为SOI衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上；一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。

公开(公告)号：CN100478718C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610058659.8

申请日：2006-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  顾明 ,  刘海军

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。

公开(公告)号：CN100468103C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610112700.5

申请日：2006-08-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  黄北举 ,  刘金彬 ,  顾明 ,  刘海军

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/025

Abstract: 一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。

公开(公告)号：CN100438105C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610011448.9

申请日：2006-03-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  刘海军 ,  黄北举

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一P型硅衬底；一N阱阱制作在P型衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触制作在该P+叉指型扩散区上；一P+扩散区保护环制作在P型Si衬底上；一第三金属接触制作在该P+扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层覆盖在器件结构的整个上表面；一第四金属接触制作在该P+扩散区保护环上的另一侧；在该二氧化硅层的中间制作形成一发光窗口。