公开(公告)号：CN103123609B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310078623.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周密 ,  陈小刚 ,  李顺芬 ,  陈一峰 ,  李鸽子 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: G06F12/02

Abstract: 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块进行合并；接着，对已确定拆分的子存储块进行拆分和/或对已确定合并的存储块进行合并，由此实现对存储块的灵活管理，提高存储器中空闲页的利用率，减少存储碎片，进而提高存储器的使用寿命。

公开(公告)号：CN102890962B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110203009.9

申请日：2011-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 许林海 ,  陈小刚 ,  陈一峰 ,  李顺芬 ,  丁晟 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（720）；所述行列译码器（520、530）用于选中所述相变存储单元；接着通过控制信号（770）控制写驱动电路（750）通过控制信号（770）在所属相变存储单元上写入相应的数据；所述读出功能电路（720）通过控制信号（770）在经过判别步骤后将读出结果输到I/O口（760）中。本发明的优点在于解决了相变储存器的多级存储中的不稳定性，符合相变存储器对高密度和可靠性的要求。

公开(公告)号：CN104282332A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310290019.X

申请日：2013-07-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈后鹏 ,  张怡云 ,  王倩 ,  范茜 ,  许伟义 ,  金荣 ,  胡佳俊 ,  李喜 ,  蔡道林 ,  宋志棠

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。

公开(公告)号：CN103532400A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310499989.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 金荣 ,  陈后鹏 ,  许伟义 ,  王倩 ,  宋志棠

IPC: H02M5/458

Abstract: 本发明提供一种基于市电的开关功放电路。该开关功放电路至少包括：用于将市电整流为直流电的整流电路；用于基于所述直流电来提供所需的共模电平的共模电平提供电路；用于基于所述直流电与所述共模电平来分别提供相互对应的正向脉宽信号与反向脉宽信号的PWM波形产生电路；用于基于所述共模电平及正反向脉宽信号来分别生成2路开关信号的开关信号生成电路；以及分别设置有受控开关的2路变压电路，其每一路的受控开关接入1路开关信号，且各自基于各自的开关信号及所述直流电来向负载提供相应方向的电能以驱动负载。本电路集变压和开关类功放于一身，而且系统结构非常简单。并且使用的是开关类功放电路，效率也高。

公开(公告)号：CN101976578B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201010501678.X

申请日：2010-10-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李喜 ,  宋志棠 ,  陈后鹏

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。

公开(公告)号：CN102013271B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910195367.2

申请日：2009-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁晟 ,  宋志棠 ,  陈后鹏 ,  刘波

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/26

Abstract: 一种相变存储器快速读取装置，其包括待读相变存储单元、充电电路、过冲恢复率检测电路、灵敏放大器电路以及参考电平或参考存储单元。一方面，相变存储单元(在电路上可抽象为电阻)与位线的寄生电容构成RC回路；另一方面，选通MOS管在开关瞬间由饱和区进入线性区，从而会造成过冲现象。不同状态的相变电阻，其过冲之后的恢复速率是不一样的。本方法通过读取过冲以后位线电平的恢复速率，快速的读取相变存储单元的状态，从而加快存储器整体读取速率。另外，快速的读取有助于避免读取操作对相变单元的破坏，达到降低读干扰的目的。

公开(公告)号：CN103049397A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210559664.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李顺芬 ,  陈小刚 ,  王玉婵 ,  周密 ,  李鸽子 ,  王月青 ,  陈一峰 ,  许林海 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: G06F12/08

Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区，其中，所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块，所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表，本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法，实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作，以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。

公开(公告)号：CN102982841A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210549545.9

申请日：2012-12-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李喜 ,  宋志棠 ,  陈一峰 ,  陈后鹏 ,  蔡道林

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。

公开(公告)号：CN102831931A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110164882.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈后鹏 ,  王倩 ,  蔡道林 ,  金荣 ,  陈小刚 ,  宋志棠

IPC: G11C14/00

Abstract: 本发明提供一种具有掉电数据保持功能的触发器，应用于集成电路系统中，其至少包括：具有数据输出端及数据恢复置位端的双置位端触发单元；用于根据电源电压发出掉电或上电置位信号的电源监测单元；用以生成set或reset信号的信号生成单元；以及相变存储单元，该相变存储单元在掉电时写入与所述set或reset信号相对应的数据至所述存储器中，在上电时，自所述存储器中读出存储的数据并输出给所述双置位端触发单元的数据恢复置位端，以使所述双置位端触发单元恢复掉电数据，藉此发明以实现数据保持所需的操作时间在纳秒量级以及可长时间保持的目的，进而降低高速掉电数据保护电路设计的成本。

公开(公告)号：CN102403988A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110435853.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。