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公开(公告)号：CN100491973C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610117006.2
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器，易于一体化、小型化和集成化；是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，通用性强。
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公开(公告)号：CN100373741C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510023749.9
申请日：2005-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用，包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格的束源炉及其坩埚进行有效保护的系统以及相关部件的参数确定的规则。本发明提供的保护系统包括三个子系统，分别是用于断电或误操作状态下对束源炉进行短时间或缓慢降温的储能电源；对束源炉的工作状态进行自动切换和对蓄电池进行充电控制的充电控制以及作为充电电源的AC/DC变换器。它或用于各类分子束外延设备或适用于其他在断电及误操作状态下需要保证有关高温部件缓慢降温的系统。具有系统结构简单，高的可靠性及成本较低，接入方便，对原有系统无不良影响等特点。是一种普适的系统，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN100373724C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
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公开(公告)号：CN1632957A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510023173.6
申请日：2005-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。
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公开(公告)号：CN1632552A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410093246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一类适用于电化学电容－电压(ECV)方法测量锑化物半导体材料载流子浓度剖面分布电解液，目的在于提高电化学电容－电压方法测量锑化物材料载流子浓度的准确性。其基本特征在于：基础溶液为酒石酸钾钠的水溶液；在测量不同导电类型(p型或n型)的锑化物半导体材料时，分别添加酸性溶液或者碱性溶液以形成可靠的电解液—半导体肖特基结，从而达到准确测量的目的。添加的酸性溶液可以是盐酸、酒石酸或冰醋酸等非氧化性酸或它们的混合物，添加的碱性溶液可为氢氧化钠或氢氧化钾与乙二胺四乙酸(EDTA)的混合溶液。在电化学C－V方法测量中采用此电解液测量锑化物材料的剖面载流子浓度，能获得与霍尔等方法测量结果相符的结果，并且具有无毒性、易保存等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1556390A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310122883.5
申请日：2003-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统，属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源；用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号，对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源的调制频率与响应信号幅度间关系，对测量数据进行处理拟合，从而获得有关材料特性的数据。提供的系统由两台或多台不同的波长的单色微光器及进行波长切换的反射镜光路；光调制器、偏置电源、偏置网络及样品架；弱信号扦测的锁相放大器以及计算机控制的数据采集的记录等五部分组成。本发明适用于各类薄膜，外延微结构及体材料半导体特性的测量和表征。
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公开(公告)号：CN1358986A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01132286.1
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外波段半导体激光器性能测量表征系统,属于半导体测试技术领域。其特征是该硬件部分由5个部分组成,分别是傅里叶变换光谱仪并引入双调制技术的激射谱测量系统;基于宽范围脉冲信号发生器的驱动系统;基于数字示波器电流探头及中红外探测器的测量监控系统;基于通用平行接口卡的计算机控制系统;热沉致冷器和温度控制系统;软件部分的编程软件为CEC公司的TESTPOINT,并采用面向对象的编程方式。除具有测量器件的I－P,I－V特性和激射光谱特性的功能外,还可以宽范围地改变驱动脉冲参数对器件的输出特性以及热特性进行测量分析,并可采用可调步长在宽范围内对器件进行连续测量。
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公开(公告)号：CN109786510A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910180996.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106856211B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201611065587.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法，所述探测器结构由下往上依次为Si(001)衬底、GaP缓冲层、III族稳态条件下生长的InyAl1‑yAs缓冲层、As稳态条件下生长的InyAl1‑yAs缓冲层、InxGa1‑xAs吸收层和InyAl1‑yAs帽层。制备方法为依次外延生长即可。本发明可以实现在Si(001)衬底上制备短波红外高In组分InGaAs探测器，适合于发展大规模红外焦平面阵列和低成本器件。
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公开(公告)号：CN105841844B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201610172703.1
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T1；(2)衬底解析后降温，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T2；(3)衬底降至室温，在衬底表面覆盖非晶层，然后升温，观察并记录非晶层脱附时的热偶温度T3；(4)根据衬底在热偶温度分别为T1、T2和T3时的表面实际温度值，利用B样条函数建立衬底表面实际温度与热偶温度的关系，即可。本发明可以精确获得分子束外延中衬底表面的实际温度，具有快速、简便、准确的特点，对于研究分子束外延材料生长动力学和精确控制微纳结构材料的生长具有重要的实际应用价值。
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