MEMS同振型三维组合水听器
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115265754B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202211028088.9

    申请日:2022-08-25

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种MEMS同振型三维组合水听器,属于水声传感器技术领域。该水听器包括圆球状封装舱,圆球状封装舱内设有控制电路板,控制电路板上集成有一支构成矢量通道的MEMS电容式三轴加速度计以及一支构成声压通道的MEMS电容式全向性麦克风,控制电路板上连接有输出信号缆和输入信号缆,圆球状封装舱内还设有上下对称设置的气体密封腔。该水听器集成了一款MEMS电容式三轴加速度计作为矢量通道、集成了一款MEMES全向性麦克风作为声压通道,大大减小了MEMS同振型三维组合水听器的体积,增加了MEMS同振型三维组合水听器的灵敏度。

    流量检测器及流量检测方法

    公开(公告)号:CN112362120B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202011243030.7

    申请日:2020-11-12

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开一种流量检测器及流量检测方法,流量检测器,包括两个面阵子探头和控制模块,两个面阵子探头可以分别作为超声波的发射端和接收端;控制模块至少包括两个收发控制电路以及计算控制子模块;计算控制子模块通过一个收发控制电路控制对应的一个面阵子探头发射超声波信号;当另一个面阵子探头接收到超声波信号后,通过另一个收发控制电路将接收到超声波信号的信息反馈给计算控制子模块进行计算处理。本发明利用面阵探头上不同行的阵元分别检测流体的横截面中不同分层的流量信息以求平均值的方式得到被测流体的整体流量信息,这种检测结果更接近流体的真实情况,可以大大降低流量检测的误差。

    一种全指向型水听器
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115900926A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310046717.9

    申请日:2023-01-31

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种全指向型水听器,包括水听器敏感探头、数据采集模块、数据存储模块和电源管理模块,水听器敏感探头包括球形封装外壳、环形PCB板、前级信号处理电路和双向微机械超声波换能器,双向微机械超声波换能器包括衬底,衬底的顶面和底面上设有对称设置的绝缘层、下电极层、器件层、真空腔体和上电极层。本发明全指向型水听器设计科学,结构合理,使用效果好,实现了在水听器所在的平面360度范围内对声压信号具有同样敏感性的目的。

    基于MEMS技术的心音心电检测仪及其检测方法

    公开(公告)号:CN115153620A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210778610.9

    申请日:2022-07-04

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种基于MEMS技术的心音心电检测仪,属于生物医疗技术领域。该检测仪包括心音传感器、心音测量电路、心电测量电路、模拟信号采集器和信号显示上位机;心音传感器与心音测量电路电连接,心音传感器、心音测量电路和心电测量电路封装在心音心电一体化探头中,心电测量电路通过心电导联线连接有心电电极片,心音心电一体化探头与模拟信号采集器电连接,模拟信号采集器与信号显示上位机电连接。该检测仪相比于传统听诊器具有灵敏度高、抗干扰能力强的优点,同时可以让医生听诊患者心音的同时观察到患者的心音波形,同时兼具测量人体心电的功能,通过心电信号对心音信号的第一心音和第二心音进行标记,实现了心音信号的可视化和量化。

    复合膜电磁屏蔽的电容式声换能器及制造方法

    公开(公告)号:CN114900778A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210525271.3

    申请日:2022-05-15

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种复合膜电磁屏蔽的电容式声换能器及制造方法,该方法可用于制造麦克风和超声换能器。该电容式声换能器由下而上依次为基底层、交替设置的介质层及金属层、钝化层,第(n‑2)层介质层上刻蚀有空腔,空腔顶部形成复合振膜及上电极、底部形成下电极。该电容式声换能器有金属层包裹可形成电磁屏蔽,极大的增强了抗干扰能力,该换能器具有稳定性高,一致性好等优点,制造方法简单且成本低、可批量化生产。

    面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法

    公开(公告)号:CN114852953A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210392926.4

    申请日:2022-04-15

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法,涉及半导体领域,尤其涉及氮化硅的侧墙保护和硅的各向异性腐蚀释放敏感结构。该方法利用在标准CMOS工艺中形成的氮化硅钝化层,作为后续步骤的刻蚀掩膜;深硅刻蚀,台阶高度为敏感结构厚度;等离子增强化学气相淀积一层氮化硅,刻蚀台阶侧壁形成氮化硅侧墙;反应离子刻蚀氮化硅;深硅刻蚀,刻蚀出腐蚀台阶;TMAH溶液腐蚀直到结构释放。本发明的工艺步骤简单、成本较低、可批量化生产。本发明的工艺能兼容CMOS工艺,能够实现MEMS矢量水听器的片上CMOS集成;该方法不仅保证了结构尺寸的精准性,而且提高了批量生产能力。

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