公开(公告)号：CN103050505A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210387179.1

申请日：2012-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教轸 ,  誥成后藤 ,  金奎植 ,  金允璟 ,  朴敬培 ,  徐振豪 ,  薛相哲 ,  李景镐 ,  李光熙

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L21/77 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/424 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种有机像素，包括：包括像素电路的半导体基板；互连层，具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极；和形成在互连层上的有机光电二极管。例如，有机光电二极管包括：形成在第一电极上的绝缘层；第二电极；和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米，例如10微米。

公开(公告)号：CN110164890B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201910413886.5

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔性洙 ,  李景镐

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。

公开(公告)号：CN115589541A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210775029.1

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵鼎镇 ,  李景镐 ,  郑泰燮

IPC: H04N25/46 ,  H04N25/59 ,  H04N25/63

Abstract: 一种操作图像传感器的方法，包括：通过光电二极管累积第一电荷；将具有第一电压电平的第一传输门信号应用于传输晶体管；通过复位晶体管对与复位晶体管和传输晶体管连接的浮动扩散节点执行第一复位操作；在第一复位操作期间，将第一传输门信号的第一电压电平改变为高于第一电压电平的第二电压电平；将第一传输门信号的第二电压电平改变为高于第二电压电平的第三电压电平；以及，将第一传输门信号的第三电压电平改变为第二电压电平。

公开(公告)号：CN115207010A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371330.6

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿熙 ,  李景镐 ,  白承起 ,  郑胜基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；光电二极管层，位于半导体衬底里；传输栅极，位于光电二极管层上，传输栅极位于半导体衬底的第一表面上；第一沟槽，从在传输栅极的一侧的半导体衬底的第一表面凹进；第一杂质注入区，位于第一沟槽的底表面的至少一部分上，第一杂质注入区不在第一沟槽的侧壁上；以及透镜，位于半导体衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN114845073A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210041280.5

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹浈斌 ,  李景镐

IPC: H04N5/369 ,  H04N17/00

Abstract: 一种电子设备包括生成图像数据的图像传感器和处理图像数据的图像处理器。图像传感器包括像素阵列，像素阵列包括沿着行方向和列方向重复布置的像素。属于像素阵列的行中的第一行的每个像素包括子像素，每个子像素连接到第一传输金属线、第二传输金属线和第三传输金属线中的一个。响应于分别施加到第一传输金属线至第三传输金属线的信号，在像素中属于第一行的像素的子像素处积累的电荷的至少一部分扩散到对应的浮动扩散区域。

公开(公告)号：CN114827495A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210100929.6

申请日：2022-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰燮 ,  李景镐

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/374

Abstract: 提供了一种图像传感器、像素和图像传感器的操作方法。该图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素和被配置为驱动所述像素阵列的行驱动器，其中所述多个像素中的每一个包括至少一个光电二极管、传输晶体管、选择晶体管、器件隔离结构和体区域，并且所述行驱动器被配置为在驱动第一像素的同时调整施加至所述器件隔离结构的负电压和施加至所述体区域的体控制电压的预设时段、大小和施加时序中的每一个。

公开(公告)号：CN114388544A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111176548.8

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  薛斗植 ,  李景镐 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括光入射在其上的第一侧以及与第一侧相对的第二侧；像素隔离图案，形成在基底内部，并且限定多个单元像素；第一光电转换区域和第二光电转换区域，沿着第一方向布置在所述多个单元像素中的每个单元像素内部；以及区域隔离图案，从像素隔离图案在与第一方向交叉的第二方向上突出，并且在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间限定隔离区域。隔离区域在第一侧上沿第二方向的第一宽度大于隔离区域在第二侧上沿第二方向的第二宽度的1.1倍。

公开(公告)号：CN114388541A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111030575.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文祥赫 ,  李景镐 ,  李承俊 ,  郑闵至 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 本公开提供了图像传感器和包括图像传感器的电子系统。该图像传感器包括：具有感测区域的衬底、布置在感测区域中的浮置扩散区、在感测区域中布置在浮置扩散区周围的多个光电二极管、以及与多个光电二极管中的每个接触的像素间溢出(IPO)阻挡件，IPO阻挡件在感测区域内的与浮置扩散区垂直间隔开的位置处在垂直方向上重叠浮置扩散区。

公开(公告)号：CN114203740A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110980079.9

申请日：2021-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴熙根 ,  李景镐 ,  文章豪 ,  李旼哲 ,  郑小荣

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括均包括多个像素区域的多个像素组；多个滤色器，二维地布置在基底的第一表面上；以及像素分离结构，位于基底中。像素分离结构包括：第一部分，限定像素区域中的每个；以及第二部分，连接到第一部分。第二部分穿过像素区域中的每个的内部。

公开(公告)号：CN108270980B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201711390355.6

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈殷燮 ,  李景镐

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 一种图像传感器包含像素阵列，该像素阵列包含沿着多个行和多个列排列的多个单元像素。多个单元像素中的每个包含：光电转换元件，该光电转换元件生成并且积累光电荷；电荷检测节点，该电荷检测节点接收在光电转换元件中积累的光电荷；读出电路，该读出电路将积累的并且从电荷检测节点输出的光电荷转换为电像素信号，该读出电路输出该电像素信号；电容元件；以及开关元件，该开关元件控制电荷检测节点与电容元件之间的连接。所述像素阵列中的所述行中的每个包含连接到第一转换增益控制线的第一像素和连接到第二转换增益控制线的第二像素。