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公开(公告)号：CN117476633A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311391319.7
申请日：2023-10-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L21/60 , H02M7/00 , H02M1/42
Abstract: 本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述输出端；封装体，用于覆盖所述第一基岛、所述第二基岛、所述晶体管以及所述二极管。本申请可有效减少PFC电路中器件的占板面积，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN117081024A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311280218.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种直流过压浪涌抑制电路及方法，该电路包括：直流供电回路，包括第一直流电源，开关及负载，第一直流电源通过开关对负载提供电源电压，采样模块接电源电压并对电源电压进行采样，得到采样电压；通过反馈模块对采样电压进行电压‑电流转换，得到反馈电流，控制模块接反馈模块和开关，根据反馈电流调节开关的控制电压，当电源电压发生浪涌并超过预设电源阈值时，反馈电流增大以提升控制电压，将开关的工作状态由饱和区切换为线性区，以抑制浪涌输出。本申请通过采样模块对电源电压进行实时监控，提高对浪涌的抑制效率，通过切换开关的工作状态控制电源电压对负载的浪涌冲击，不仅降低电路设计的成本，也使得电路的体积得到优化。
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公开(公告)号：CN116845112A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN107275274B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710626741.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种二极管自动送料机构，包括导料槽、送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构，导料槽用于叠放二极管料带，送料拨杆为水平杆，且水平杆的顶部前后间隔设置有能卡入二极管料带相邻二极管单元之间的拨齿，送料拨杆向后运动时，拨齿向上伸入导轨内并卡入二极管料带的相邻单元之间带动二极管料带向后运动，送料拨杆向前运动时，拨齿向下退出导轨并脱离二极管料带的上一个卡接点，如此往复实现接力方式推送二极管料带。该机构与打扁、切筋整形集成到一台设备上，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109847811A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910142010.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置连接，液氮气化装置通过主氮气管与氮气储存装置连接，支液氮管的一端与主液氮管相通连接，支液氮管的另一端与液氮气化盘管的一端相通连接，液氮气化盘管的另一端与支氮气管的一端相通连接，支氮气管的另一端与主氮气管相通连接，液氮气化盘管置于密闭的低温试验箱内，低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔。本发明低温试验箱并联连接在液氮气化主干通路上，对半导体行业的液氮气化环节的能源进行充分利用，突破传统低温制冷模式的限制，能够实现试验件在更低温环境进行筛选和测试的目的，并降低了传统能源的消耗。
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公开(公告)号：CN109830440A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910068469.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 , 浙江清华长三角研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅-硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率，提高形成的半导体器件抗辐射总剂量效应的性能。
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公开(公告)号：CN108831835A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651307.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层，所述半导体层表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区；在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN108831834A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651306.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层；在所述半导体层表面形成具有开口的图形化掩膜层；采用扩散工艺对所述开口下方的半导体层内进行离子掺杂，形成载流子吸收区，所述扩散工艺采用的掺杂离子能够在所述载流子吸收区内形成能级缺陷。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN105904342A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610518213.2
申请日：2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
CPC classification number: B24B41/067 , B24B7/162
Abstract: 本发明公开了一种批量加工圆柱体端面的夹紧工装，包括底板、主体、滑动夹持块和夹持锁紧螺丝，主体固设在底板上，主体内设置有至少一列水平间隔布置并上下贯通的滑槽，每个滑槽内安装有一块与主体等高、与通槽等宽的滑动夹持块，每个滑动夹持块配备有一颗夹持锁紧螺丝，夹持锁紧螺丝通过螺纹水平拧过主体的侧壁并伸到对应的滑槽内与滑动夹持块相连，通过拧动夹持锁紧螺丝能带动滑动夹持块在滑槽内沿夹持锁紧螺丝的轴线移动，滑槽远离对应的夹持锁紧螺丝的那一端带尖角。该工装不但可以对SMA、SMB、SMC、ABS、T0251等设备上使用的吸笔进行整体修磨，还可以对其它类似的圆柱体端面进行批量加工，从而大幅提升工作效率和产品质量。
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