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    化合物材料晶片的制造方法
    64.
    发明公开
    化合物材料晶片的制造方法 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN101221895A

    公开(公告)日：2008-07-16

    申请号：CN200810002207.7

    申请日：2005-11-08

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 弗雷德里克·杜蓬

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/93 ,  Y10S438/933

    摘要： 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法：提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。

    SiGe层的热氧化及其应用
    65.
    发明公开
    SiGe层的热氧化及其应用 有权

    公开(公告)号：CN101103446A

    公开(公告)日：2008-01-09

    申请号：CN200580046561.4

    申请日：2005-02-24

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 尼古拉斯·达瓦尔

    IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3105

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31658

    摘要： 本发明涉及氧化SiGe层的表面区域的方法，该方法包括对SiGe层进行氧化热处理以氧化所述表面区域，其特征在于包括两个阶段：第一阶段，氧化热处理，所述氧化热处理直接在所述SiGe层上进行，从而得到氧化区域，所述氧化区域具有足以形成覆层氧化物的足够厚度，所述覆层氧化物可在随后的第二阶段中保护下方的SiGe不发生点蚀，并且所述氧化区域的厚度足够薄，以保持氧化的表面区域的厚度在阈值厚度范围之下，所述阈值范围对应着SiGe层内的位错的产生，和第二阶段，在惰性气氛中高温退火，所述高温退火在所述第一阶段之后在所述SiGe层上进行，所述SiGe层覆盖有在所述第一阶段中产生的所述氧化区域，所述高温退火使Ge从所述富Ge区域扩散进入所述SiGe层的下部。

    具有改进电特性的复合基片的制造方法
    66.
    发明公开
    具有改进电特性的复合基片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101009220A

    公开(公告)日：2007-08-01

    申请号：CN200710004347.3

    申请日：2007-01-23

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/76254 ,  Y02P70/605

    摘要： 本发明涉及一种具有改进电特性的复合基片的制造方法，所述复合基片(4)包括至少一个插入在支撑基片(1)和半导体材料的活性层(21)之间的薄绝缘层(32)，其以如下顺序包含以下步骤：在源基片上形成或沉积绝缘层(32)，并且选择性地在所述支撑基片(1)上形成或沉积绝缘层(31)；对所述绝缘层(32)进行恢复热处理和选择性地对形成在所述支撑基片(1)上的所述绝缘层(31)进行恢复热处理；对将粘合在一起的两个面中的至少一个面进行等离子体活化；通过分子结合粘合两个基片，以使所述绝缘层(32)位于其间；和将部分所述源基片剥离，从而仅保留构成所述活性层(21)的材料的厚度。该方法可以制造具有改进电特性的基片(4)。

    复合基材的制造方法
    67.
    发明公开
    复合基材的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101009203A

    公开(公告)日：2007-08-01

    申请号：CN200610156639.4

    申请日：2006-12-29

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  佛雷德里克·阿利贝尔

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L23/00 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L21/76251

    摘要： 本发明涉及一种复合基材(4)的制造方法，所述复合基材包含插入至支持基材(1)和半导体材料的活性层(20)之间的至少一个薄的最终绝缘层(3)。所述方法的特征在于它包括以下步骤：在支持基材(1)上形成或沉积绝缘层(31)和在源基材(2)上形成或沉积绝缘层(32)；对所述绝缘层中的至少一个进行等离子体活化；通过分子结合将所述两个基材(1，2)经它们相应的绝缘层粘结；和将后部(21)从源基材(2)上剥离，从而仅保留所述活性层(20)；选择等离子体活化能的值和绝缘层(31，32)的各自厚度(e1，e2)以使活化的绝缘层仅在其上部被活化，所述最终绝缘层(3)的厚度为50纳米以下。

    热处理设备校准方法
    68.
    发明公开
    热处理设备校准方法 有权

    公开(公告)号：CN1877791A

    公开(公告)日：2006-12-13

    申请号：CN200510137816.X

    申请日：2005-12-31

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 马琳·布拉

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种对包括加热装置并用于对多层基板进行热处理的热处理设备进行校准的方法。为了能优化校准方法同时使用更廉价材料，本发明的方法特征在于包括以下步骤：提供结构不同于多层基板的测试基板；使用一组热处理参数对测试基板进行热处理以在测试基板上得到具有厚度分布的层；将该厚度分布与校准测试基板上的校准层的预定厚度分布相比；以及修正该组热处理参数，使加热装置适于补偿该厚度分布与该预定厚度分布间的差异，其中校准测试基板上的校准层的预定厚度分布与多层基板上的层的均匀厚度分布(均利用同组预定处理条件获得)对应，或者与观察到多层基板上的减少的滑移线和/或减少的晶片变形的热处理条件对应。本发明还涉及产生校准厚度分布的方法，以及校准测试基板，其包括位于其主表面之一上的具有预定厚度分布的热形成层。

    层积层结构体及形成该结构体的方法
    69.
    发明公开
    层积层结构体及形成该结构体的方法 无效

    公开(公告)号：CN1838429A

    公开(公告)日：2006-09-27

    申请号：CN200610065288.6

    申请日：2006-03-21

    申请人： 硅绝缘体技术有限公司

    发明人： 克里斯托夫·菲盖

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

    摘要： 本发明涉及一种层积层结构体，该层积层结构体包括基材和至少含有两种复合物A和B的材料的多个层的层叠体，其中复合物A具有足以使复合物A在所述基材上均质外延生长或异质外延生长的晶体结构，并且其中层叠体的至少部分层具有梯度组成AxgB(1－xg)，其中x是范围为0≤x≤1的组成参数，并且组成参数(1－xg)在相应层的厚度上逐渐增大，特别是线性增大。为了改善关于表面粗糙度和位错密度的所述层积层结构体的品质，选择层叠体中具有梯度组成的层与层叠体中的后继层之间的界面处的组成参数使其比具有梯度组成的层的组成参数(1－xg)小。本发明还涉及制造该层积层结构体的方法。