公开(公告)号：CN101317258A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044312.6

申请日：2006-11-20

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  卡里纳·杜雷特 ,  亚历山大·沃夫雷德兹

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： C03C27/00 ,  C03C27/02 ,  C03C27/046 ,  C03C2204/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明在第一方面涉及通过分子黏附使两个基片彼此键合的方法，其中，将所述基片的表面紧密接触放置，通过所述基片之间的键合前沿的扩展而发生键合，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在键合之前，改变一个和/或另一个所述基片的表面状态，以调节所述键合前沿的扩展速度。通过局部地或均匀地加热一个和/或另一个待键合基片的表面，或者进一步通过使一个和/或另一个基片的表面粗糙化而改变表面状态。

公开(公告)号：CN101317258B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200680044312.6

申请日：2006-11-20

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  卡里纳·杜雷特 ,  亚历山大·沃夫雷德兹

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： C03C27/00 ,  C03C27/02 ,  C03C27/046 ,  C03C2204/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明在第一方面涉及通过分子黏附使两个基片彼此键合的方法，其中，将所述基片的表面紧密接触放置，通过所述基片之间的键合前沿的扩展而发生键合，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在键合之前，改变一个和/或另一个所述基片的表面状态，以调节所述键合前沿的扩展速度。通过局部地或均匀地加热一个和/或另一个待键合基片的表面，或者进一步通过使一个和/或另一个基片的表面粗糙化而改变表面状态。