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公开(公告)号：CN101807897A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010115312.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社 , 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/205
CPC classification number: H03H9/21 , H03H9/0509 , H03H9/1021
Abstract: 本发明提供振动片和振子。利用振动片的正面和背面来配置配线，容易实现振动片的小型化。该振动片具有：下部电极(21，22，23)，其设置在振动臂(11，12，13)的在厚度方向上相对的第1面(16a)和第2面(16b)中的第1面(16a)上；压电膜(31，32，33)，其形成在下部电极(21，22，23)的上方；上部电极(51，52，53)，其形成在下部电极(21，22，23)和压电膜(31，32，33)的上方；配线(28，58)，其与下部电极(21，22，23)和上部电极(51，52，53)连接，与上部电极(51，52，53)连接的配线(58)以围住振动臂(11，12，13)的方式经由振动臂(11，12，13)的侧面被引出至振动臂(11，12，13)的第2面(16b)。
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公开(公告)号：CN1951005B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580014245.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H03H3/04 , H03H2003/0471 , H03H2003/0478
Abstract: 可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果，可以实现可再生产部件的大量生产，其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。
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公开(公告)号：CN100576735C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200310110368.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Inventor： 胡克龙
IPC: H03H9/205
Abstract: 一种滤波器的噪声抑制方法，消除由多个薄膜腔声谐振器组成的声波滤波器内的驻波信号干扰，以及因侧向传播高频谐振所造成的异常信号；该方法是在薄膜腔声谐振器的组成结构中设置多个干涉结构，借由材料的差异特性产生一带隙结构，在特定的工作频率范围内，对侧向高频谐振产生破坏性的干涉效应，进而减弱甚或消除寄生效应，在此带隙结构的工作频率范围内，任何横向模式所造成的异常信号即无法存在；此外，不同压电薄膜共振子间的声子晶体结构也可形成一声波屏障，防止彼此在工作频率范围内的相互干扰。
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公开(公告)号：CN1144362C
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN98118642.4
申请日：1998-08-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 筏克弘
CPC classification number: H03H9/72 , H03H9/0576 , H03H2250/00
Abstract: 一种声表面波器件，其中第一和第二SAW滤波器并联在连接到输入终端或输出终端的连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，并且具有比第二SAW滤波器的通带更高的通带的第一SAW滤波器，和在第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，并具有比第一SAW滤波器的通带更低的通带的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器并联在第一SAW滤波器输入端或输出端侧的连接点。
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公开(公告)号：CN119276235A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411294905.4
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京晨晶精仪电子有限公司
Abstract: 本发明涉及石英晶体器件技术领域，提供一种晶片结构的加工方法、晶片结构和晶体振荡器，该加工方法包括步骤：在母晶片的中部通过微纳工艺刻蚀出镂空图案，以在镂空图案两侧形成尺寸规格相同的谐振晶片，且两个谐振晶片沿母晶片的中心轴线对称；在两块谐振晶片的正面和背面均镀有电极，且每一面的所述电极均与两个谐振晶片电连接。通过该加工方法在一个较大的晶片上加工形成了两个对称且处于同一水平面的谐振晶片，每一谐振晶片两面分别设有电极，这使得两个谐振晶片在处于振动环境中时，两个晶片对外部振动的感应情况最为接近，使得加速度矢量反向叠加后最接近于零，显著降低晶体振荡器的加速度灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541629B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110833827.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 龟冈义宣
IPC: H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/10 , H03H9/145 , H03H9/205 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/70 , H03H9/72 , H03H3/02 , H03H9/56
Abstract: 本发明提供一种难以产生IDT电极彼此相邻的部分处的汇流条的形成不良并且能够促进小型化的弹性波装置。该弹性波装置具备：压电基板；和多个弹性波谐振器，构成于压电基板，且包含第1、第2弹性波谐振器，第1弹性波谐振器具有第1IDT电极，该第1IDT电极包含对置的第1、第2汇流条以及与第2汇流条连接的电极指，第2弹性波谐振器具有第2IDT电极，该第2IDT电极包含对置的第3、第4汇流条以及与第3汇流条连接的电极指，第2、第3汇流条分别具有长度方向，并且在与长度方向垂直的方向上隔开间隙而被配置，第2汇流条具有断开部。
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公开(公告)号：CN110445474B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201810417104.0
申请日：2018-05-04
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，包括：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上形成布拉格反射层；在布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元，其中，所述下电极层、所述压电层、所述上电极层中的两层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布，第一变化趋势与第二变化趋势相反。实施本发明可以有效地减小薄膜体声波谐振器单元在整片晶圆衬底上的频率分布范围。相应地，本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器。
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公开(公告)号：CN118473357A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410157588.5
申请日：2024-02-04
Applicant: 三安日本科技株式会社
Inventor： 廉京日
Abstract: 本发明实施例提供一种弹性波器件以及具备该弹性波器件的模块，弹性波器件包括：第一多模谐振器，具有衰减量的绝对值为预先设定的第一基准量以下的第一频带；以及第二多模谐振器，与所述第一多模谐振器并联连接，具有衰减量的绝对值为所述第一基准量以下的第二频带，所述第一频带以及所述第二频带比通频带宽，在所述通频带外且所述第一频带内以及所述第二频带内，存在所述第一多模谐振器与所述第二多模谐振器的输出的相位为相反符号的频率。本发明实施例能够以更简单的结构改善隔离特性的弹性波器件。
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公开(公告)号：CN112217493B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910622214.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提出了一种体声波滤波器的制作方法，包括：在衬底上依次形成n个谐振器的声反射空气腔、种子层、下电极层、及压电层，n≥2；N依次从1取至n，分别重复以下过程：形成第N金属硬掩模层，利用光刻工艺定义所述第一谐振器至第N谐振器的有效区域，将第一谐振器至第N谐振器的有效区域之外的第N金属硬掩模层去除，对所述第一谐振器至第N谐振器的有效区域之外的压电层进行氧化处理，形成第N压电层氧化部分，刻蚀所述第N压电层氧化部分，将第一谐振器至第N谐振器的有效区域的金属硬掩模层去除；由此，形成具有不同厚度的第一谐振器至第N谐振器的压电层；在所述不同厚度的第一谐振器至第N谐振器的压电层上形成上电极层。
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公开(公告)号：CN118174674B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410590980.9
申请日：2024-05-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种滤波器芯片及电子设备。其中，滤波器芯片包括：输入端口、输出端口、多模谐振器、输入端馈线与输出端馈线。输入端馈线包括第一输入端馈线与第二输入端馈线，输出端馈线包括第一输出端馈线与第二输出端馈线。第一输入端馈线与第一输出端馈线相对设置。输入端口用于接收输入信号，通过输入端馈线以能量耦合传输至多模谐振器。多模谐振器用于对输入信号进行滤波。输出端馈线至少用于通过能量耦合获得经过滤波的输入信号，并传输至输出端口。相对设置的第一输入端馈线与第一输出端馈线还用于直接将第一输入端馈线传输的输入信号通过能量耦合直接传输至第一输出端馈线。
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