-
公开(公告)号：CN1951005A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014245.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H03H3/04 , H03H2003/0471 , H03H2003/0478
Abstract: 可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果，可以实现可再生产部件的大量生产，其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1695217A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03824828.X
申请日：2003-08-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H59/0009 , H01H2001/0052
Abstract: 具有多个接触表面的开关结构，所述接触表面可以互相接触。接触表面中的一个或多个可以用弹性材料，比如金刚石来涂覆。
-
公开(公告)号：CN1983447A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610090525.4
申请日：2006-06-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 伊耶尔·巴-萨登 , T-K·亚伦·周 , 瓦卢里·拉奥 , 克里舍纳默西·穆拉利
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/1436 , G11C23/00
Abstract: 描述了一种方法。所述方法包括在第一晶片上构造寻扫探针(SSP)存储器件的微机电(MEMS)结构，并且在第二晶片上构造所述SSP存储器件的CMOS和存储介质组件。
-
公开(公告)号：CN1951005B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580014245.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H03H3/04 , H03H2003/0471 , H03H2003/0478
Abstract: 可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果，可以实现可再生产部件的大量生产，其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。
-
公开(公告)号：CN100557711C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610090525.4
申请日：2006-06-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 伊耶尔·巴-萨登 , T-K·亚伦·周 , 瓦卢里·拉奥 , 克里舍纳默西·穆拉利
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/1436 , G11C23/00
Abstract: 描述了一种方法。所述方法包括在第一晶片上构造寻扫探针(SSP)存储器件的微机电(MEMS)结构，并且在第二晶片上构造所述SSP存储器件的CMOS和存储介质组件。
-
公开(公告)号：CN100361253C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03824828.X
申请日：2003-08-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H59/0009 , H01H2001/0052
Abstract: 具有多个接触表面的开关结构，所述接触表面可以互相接触。接触表面中的一个或多个可以用弹性材料，比如金刚石，来涂覆。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
