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公开(公告)号：CN112087217B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011029054.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 一种Q值提升的FBAR谐振器制造方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成压电层，具有第一厚度；平坦化压电层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀压电层直至暴露下电极；在下电极和压电层上形成第二压电层；在第二压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在沉积第二压电层前形成了底电极和压电层共面的完整平坦平面，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。
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公开(公告)号：CN112953446B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110164444.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器的制备方法以及体声波谐振器。该体声波谐振器的制备方法包括：提供衬底，衬底包括有源区和包围有源区的过渡区；在衬底的表面形成第一牺牲层，其中，第一牺牲层覆盖有源区和过渡区，位于过渡区的第一牺牲层包括相连的第一台阶和第二台阶，第一台阶的高度大于位于有源区的第一牺牲层的高度，第二台阶的高度小于位于有源区的第一牺牲层的高度；在第一牺牲层远离衬底的表面形成下电极；在下电极远离第一牺牲层的表面形成压电层；在压电层远离下电极的表面形成上电极；去除第一牺牲层。本发明实施例提供的技术方案简化了制备体声波谐振器的工艺步骤，提高了体声波谐振器的良率。
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公开(公告)号：CN116364556A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310331238.1
申请日：2023-03-30
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L25/00 , H01L23/13 , H01L23/498
Abstract: 一种模组芯片封装结构及其封装方法和电子设备，模组芯片封装方法包括：在衬底上形成包括释放层、第一结构层和第二结构层的第一叠层结构；第一叠层结构包括暴露出释放层的至少一个第一凹槽和暴露出第一结构层的至少一个第二凹槽；将至少两个芯片贴装至第二结构层上，使得芯片的焊盘覆盖对应的第一凹槽，且声学芯片的声学器件区至少部分覆盖对应的第二凹槽；封装上述芯片；去除释放层和衬底；将焊盘通过第一凹槽电连接引出，形成电连接结构。该技术方案不需要高精度的SMT技术，且能在模组芯片封装过程中实现上空腔结构的制备，大幅降低了工艺的实现难度，简化了工艺，且有助于降低成本，还适用于晶圆级封装，能够有效减小整体封装尺寸。
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公开(公告)号：CN115800949A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211501499.5
申请日：2022-11-28
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种声波器件及其制作方法，该声波器件包括至少两个区域，该至少两个区域中至少存在一个区域设置有第一谐振器，与第一谐振器所在的区域相邻的至少一个区域设置有第二谐振器，该第一谐振器包括第一压电结构，该第二谐振器包括反射结构和第二压电结构，该反射结构位于第一压电结构与第二压电结构之间，且第一压电结构的层叠方向与第二压电结构的层叠方向相互垂直。本申请提供的技术方案通过采用包含反射结构和压电结构的薄膜体声波谐振器，防止与其相邻的薄膜体声波谐振器存在横向声能量泄露的问题，提高了声波器件的品质因数，同时也提高了晶圆单位面积利用率。
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公开(公告)号：CN117439563A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311437955.9
申请日：2023-11-01
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本公开涉及一种射频器件、通信设备及其制造方法，射频器件包括：第一衬底，所述第一衬底中包括第一区域和第二区域；第一区域中形成有第一类型谐振器，第二区域中形成有第二类型谐振器；第一类型谐振器包括第一声波反射区域、第一下电极层、第一压电层和第一上电极层；第二类型谐振器包括第二声波反射区域、第二下电极层、第二压电层和第二上电极层，以及对第二下电极层进行电性连接的第一键合层和第二键合层；其中第一压电层和第二压电层的材料不同，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635775B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910851524.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架，位于第一电极下方或上方和/或第二电极上方或下方，框架的厚度沿垂直方向渐变。依照本发明的谐振器，利用倾斜缓变的框架，以简单的制作工艺高效地提升了FBAR器件的Q值，提高了工艺兼容性和谐振器结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN115549624A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211251796.9
申请日：2022-10-13
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
Abstract: 本公开涉及一种电子装置及其制造方法，该制造方法包括：提供一第一载体；在第一载体的第一表面上形成第一组件，第一组件包括电连接结构；提供一第二载体；在第二载体的第一表面上形成第一保护层；在第一保护层上形成第二组件；将第一组件和第二组件通过键合结构连接在一起；去除第二载体；在第一保护层中至少形成露出第一组件的电连接结构的第一开口；在第一保护层上形成封盖层；图形化封盖层，以在封盖层中至少形成第二开口，第二开口和所述第一开口相互贯通，第二开口不采用硅通孔工艺制备。
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公开(公告)号：CN114978084A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110193994.3
申请日：2021-02-20
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明涉及一种滤波器及其制备方法，所述滤波器包括中心谐振器以及嵌套所述中心谐振器的至少一个环形谐振器，所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间形成并联或串联的电连接关系。本发明将多个谐振器采用嵌套的方式进行设置，提高了集成度，减小了滤波器的体积。同时，保证中心谐振器以及各个环形谐振器相互之间存在间隔，可以减少横向波的传递，有利于提高Q值，即提高滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN113098417B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110341609.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种滤波器的制备方法、滤波器。滤波器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区；形成位于所述衬底中心区的至少两个薄膜谐振器单元；形成覆盖所述薄膜谐振器单元的空腔牺牲层；在所述空腔牺牲层远离所述衬底的表面生长形成封装层，所述封装层覆盖所述空腔牺牲层和所述衬底的边缘区；释放所述空腔牺牲层以形成空腔。本发明实施例能够节约滤波器生产时所需的材料，减少生产周期，节约成本。
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公开(公告)号：CN113922781A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111203213.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 苏州汉天下电子有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种体声波谐振器以及通信器件。该体声波谐振器包括：基底，基底的表面或者内部设置有声反射结构；谐振单元，位于基底设置有声反射结构的一侧，谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，顶电极包括M边形，M的取值大于或等于3，顶电极至少有一个第一边，第一边在基底的投影位于声反射结构在基底的投影之内；谐振单元还包括顶电极连接部，顶电极连接部与第一边连接，顶电极连接部与第一边的接触处的总尺寸小于第一边的长度。本发明实施例提供的技术方案，在提高体声波谐振器的品质因数的同时，提高了体声波谐振器的机电耦合系数。
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