公开(公告)号：CN108511554A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810299198.6

申请日：2018-04-04

申请人： 湘潭大学

发明人： 李正 ,  刘曼文

IPC分类号： H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 一种方形复合式壳型电极半导体探测器的制备方法，步骤为：一、在半导体晶圆片正面激光刻蚀三维沟槽，沟槽之间留下硅片缝隙，在长好一定厚度的氧化保护层F的晶圆片D正面激光刻蚀厚度为dtop的沟槽A，沟槽之间留有一定宽度的斜纹状硅体B；其中，斜纹状硅体B是晶圆片D被刻蚀后留下的小部分硅体；中央柱状电极C由激光贯穿刻蚀硅体后扩散掺杂得到；二、在硅晶圆片反面激光刻蚀三维沟槽，沟槽之间没有硅片缝隙；三、利用抛光技术使沟槽壁周围平整；四、沿沟槽壁的硼扩散掺杂；五、填充三维沟槽；六、正面激光深刻蚀中央柱状电极；七、用多晶硅或者金属填充中央柱状电极C；八、给所有的电极镀金属层。

公开(公告)号：CN108183138A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711354196.4

申请日：2017-12-15

申请人： 中山大学

发明人： 朱海 ,  楼观林 ,  陈安琪 ,  吴雁艳 ,  陈智阳 ,  任昱昊

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于二维微米带的光电器件及其制备方法。所述基于二维微米带的光电器件由微米带和插指电极构成，所述插指电极利用光刻法成对安装于二维微米带上，所述插指电极的指间距为5-20 um。所述光电器件通过以下步骤通过以下方法制备而得：S1.二维微米带制备；S2.将S1所得的微米带固装在衬底上，得微米带-衬底组合物；S3.将S2所得的微米带-衬底组合物装有微米带的表面利用光刻法安装插指电极，得微米带-衬底-插指电极组合物；S4.在步骤S3所得的微米带-衬底-插指电极组合物表面镀金属电极，得上述光电器件。上述光电器件上述器件在探测中在同时兼具高响应度和高相应速率方面表现出优越的性能，为实现光电器件双光子探测打下了坚实的基础。

公开(公告)号：CN108172659A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711386079.6

申请日：2017-12-20

申请人： 上海奕瑞光电子科技股份有限公司

发明人： 黄细平 ,  王锋 ,  张楠 ,  金利波

IPC分类号： H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  G06T5/00

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/085 ,  G06T5/00 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种平板探测器图像残影的补偿校正方法，包括步骤：生成残影数据表，并存储于平板探测器或探测器软件中；获取当前亮场图像和暗场图像；将暗场图像中每个像素的残影信号与残影数据表相对应，找出每个像素的残影信号在残影数据表中对应的残影值和残影值对应的时刻；以残影值对应的时刻加上当前亮场图像与暗场图像采集的时间间隔为新的时刻，在残影数据表中找出新的时刻对应的残影值，生成当前图像评估的残影模板矩阵；用当前亮场图像减去残影模板矩阵进行残影补偿校正。本发明的平板探测器图像残影的补偿校正方法可用于解决复杂的残影问题；适用范围广，不仅适用于非晶硅探测器，还适用于非晶硒、CMOS等其它半导体探测器。

公开(公告)号：CN107750399A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201580081082.X

申请日：2015-07-02

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森川浩昭 ,  滨笃郎 ,  幸畑隼人 ,  过能慎太郎

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 太阳能电池单元(1)具备：p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN107311222A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710561952.4

申请日：2017-07-11

申请人： 重庆大学

发明人： 臧志刚 ,  韩层 ,  李存龙 ,  唐孝生

IPC分类号： C01G21/00 ,  C09K11/66 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/50 ,  H01L31/08 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01G21/006 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09K11/665 ,  H01L31/08 ,  H01L33/502

摘要： 本发明涉及一种可调发光CsPb2Br5纳米片的制备方法及其产品和应用，其制备方法为在氮气保护下，将硬脂酸铯、十八稀和油酸混合，制备油酸铯溶液；另将溴化铅、十八稀、辛胺和油酸混合，加热搅拌，得到PbBr2前驱体溶液；再将油酸铯溶液加入到PbBr2前驱体溶液，混合搅拌后得到CsPb2Br5纳米片。通过调控制备PbBr2前躯体溶液的反应温度在100～140℃，得到不同尺寸的CsPb2Br5纳米片，且光致发光由蓝光逐渐变成绿光。所得CsPb2Br5纳米片可以制备发光二极管、太阳能电池或光电探测器，由本发明制备CsPb2Br5纳米片构造的高单色性绿光LEDs发光效率达到了34.49lm/W。

公开(公告)号：CN107123698A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710277234.4

申请日：2017-04-25

申请人： 西北工业大学

发明人： 介万奇 ,  侯文欣 ,  王涛 ,  查钢强 ,  徐凌燕

IPC分类号： H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/085

摘要： 本发明公开了一种CdZnTe平面探测器表面处理方法，用于解决现有平面探测器表面处理方法处理后的平面探测器能量分辨率差的技术问题。技术方案是在CdZnTe晶片腐蚀之后，用(NH4)2S溶液对CdZnTe晶片表面进行钝化，钝化后用去离子水清洗，最后用真空蒸镀机将晶片两面镀上Au电极。此钝化方法去除了富Te层，形成CdS层沉积在晶体表面，化学计量配比得到改善，减少了电子在晶体表面的散射，腐蚀后形成的悬挂键被中和，有效降低了CdZnTe晶片表面的漏电流，提高了能量分辨率，提升了CdZnTe平面探测器的探测效率。经测试，CZT平面探测器的能量分辨率由之前大于6.5％提高到小于4.5％。

公开(公告)号：CN105070768B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201510504649.1

申请日：2015-08-17

申请人： 莱芜钢铁集团电子有限公司

发明人： 邱芳 ,  王静 ,  仝玉华 ,  吕霞 ,  刘疆 ,  赵亮 ,  桑森 ,  弥春霞 ,  李闯 ,  郭群

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/08 ,  H01J40/00 ,  H01J37/04

摘要： 本发明实施例公开了一种光电管固定及调准系统，包括光电管，所述光电管包括一用于发射光信号的发射口，所述发射口处设有一滑轨，所述滑轨朝背离所述发射口的方向延伸，且所述滑轨所在平面与所述发射口发射的光信号平行，所述光电管上还设有一光信号调节件，通过所述光信号调节件调整光信号的投射方向，所述滑轨上可拆卸地设置一标有刻度线的挡片，所述挡片所在的平面与所述滑轨所在的平面相互垂直，且所述挡片与所述发射口之间的距离可调。通过挡片检验光信号的投射方向，并通过光信号调节件对光信号的投射方向进行校准，使得光信号在接收端处的位置量化可控，便于操作人员在接收端处寻找光信号，进而实现光电管和接收端的对准。

公开(公告)号：CN106952984A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710174543.9

申请日：2017-03-22

申请人： 合肥仁德电子科技有限公司

发明人： 李阳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/08

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/08

摘要： 本发明公开了一种提高光敏电阻的光催化性能的方法，该方法的具体步骤为：将粒径为3~15nm重金属量子点在水或浓度为70~80%的酒精超声分散10~40min后，滴到光敏电阻原制作材料中研磨均匀，其中重金属量子点的用量为光敏电阻原制作材料质量的0.01%~0.2%；然后在真空条件下以500~1000℃高温焙烧1~4小时；将光敏电阻原制作材料放入真空装置中冷却到，直至光敏电阻原材料冷却到室温条件下。本发明所提供的一种提高光敏电阻的光催化性能的方法，可以大大提高光敏电阻的光催化性能，制作成本低，通过重金属的量子点可控且均匀的与光敏电阻原材料混合，并且大多数在真空条件下进行的，防止光敏电阻原材料在焙烧后容易被空气氧化，在整个工艺流程中不会产生污染环境的有害物质。

公开(公告)号：CN106921020A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710106782.0

申请日：2017-02-27

申请人： 天津大学

发明人： 陈霏 ,  杨娇

IPC分类号： H01Q1/22 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01Q1/225 ,  H01L31/08

摘要： 本发明公开了一种基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器，包括硅衬底和设置于硅衬底上的带阻天线和温度传感器；硅衬底由多晶硅电阻；带阻天线为多晶硅环形天线、多晶硅十字结构天线和多晶硅偶极子天线；多晶硅偶极子天线的臂长H，宽度W，两臂之间的间隙gap和工作频率f，组成数组(H，W，gap，f)，取值范围为(H/40～H/4，H/40～H/6，f)；多晶硅十字结构天线的取值范围为(H/40～H/4，H/40～H/6，f)；多晶硅环形天线的半径R，宽度W和频率f组成数组(R，W，f)，取值范围为(H/40～H/4，f)。该太赫兹波热探测器利用天线接收电磁波，将电磁能量转化为热量，通过对热量的探测实现对高波段太赫兹波的探测。

公开(公告)号：CN106876505A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710028596.X

申请日：2017-01-16

申请人： 南阳师范学院

发明人： 李宝磊 ,  侯书进 ,  崔少博 ,  卢志文 ,  郭浩 ,  谭燮薇

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/08 ,  H01L31/1836

摘要： 本发明公开了用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，通过在宽谱带光敏电阻材料CdTe、CdS、CdSe中掺杂质量百分比为1%的稀土硝酸盐，在1000℃恒温烘箱中烘烤过程中消除硝酸根，并且稀土离子较Cu离子在提高宽谱带光敏电阻的灵敏度方面优势明显，利用本发明提供的制备方法所得高灵敏度宽谱带光敏电阻具有灵敏度高的优点。