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公开(公告)号：CN115928216B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211505570.7
申请日：2022-11-28
申请人： 黑龙江工程学院
摘要： 一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法，它涉及一种减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法。本发明解决现有高浓度掺杂的Fe2+:ZnSe晶体中存在着大量的Fe3+离子成分，导致在激光输入和输出波段形成额外的吸收，特别是近红外区0.5μm～2.6μm会出现较强吸收，影响了激光泵浦源的利用效率，表现为Fe2+:ZnSe晶体光谱的“吸收损耗”和“宽井袋”吸收效应明显的问题。方法：利用电子加速器对高浓度掺杂2+的Fe :ZnSe晶体进行电子辐照，且电子辐照过程中束流值逐步上升。本发明用于利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗。
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公开(公告)号：CN115287763B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210672023.1
申请日：2022-06-14
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种锑基半导体单晶的制备方法，锑基半导体单晶具有独特的一维结构和显着的光电特性在光电领域中得到广泛关注和研究。然而高质量一维锑基半导体单晶报告较少。在本工作中，我们使用五氧化二锑乳液替代锑盐，通过水热法制备了高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶，避免了锑盐阴离子对晶体界面的自腐蚀，减少了晶体的界面缺陷并提高了晶体界面稳定性。实验证实了一维锑基半导体单晶表现出良好的光吸收性能。由于其低的晶体界面缺陷，一维锑基半导体单晶基探测器在弱光下具有较高的光响应度和比探测率。
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公开(公告)号：CN113882014B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111063938.4
申请日：2021-09-10
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C30B7/10 , C30B7/14 , C30B25/00 , C30B9/00 , C30B29/46 , C30B29/60 , C25B11/075 , C25B11/031 , C25B1/04
摘要： 本发明涉及纳米材料制备领域，具体为一种金属硫化物多孔单晶的制备方法。首先使用浸渍‑硫化的方法在预制模板上植入对应目标硫化物的晶种，然后利用包括但不限于水热法在模板中生长硫化物，最后去除模板得到具有预制模板反结构的金属硫化物多孔单晶颗粒。本发明基于电化学反应中催化剂对活性位点与电子传输的特殊要求，利用廉价、易得的原料，通过简单易操作的方法得到可暴露内外表面且利于电子传输的具有三维多孔单晶结构的金属硫化物。该方法使得制备金属硫化物多孔单晶成为可能，操作简便，工艺简单，具备大规模应用的潜力。
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公开(公告)号：CN117403312A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311216654.3
申请日：2023-09-20
申请人： 江西峰竺新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用母粉改性的硫酸钙晶须的制备方法及改性硫酸钙晶须，该方法包括：将无机粉体、第一偶联剂、第一分散剂按预设比例在设定条件下进行充分的分散处理；在设定条件下将设定比例的第二偶联剂与分散后的无机粉体充分混合，后放料冷却得到母粉；将硫酸钙晶须、母粉、第二分散剂按预设比例在设定条件下充分混合得到母粉改性的硫酸钙晶须。本发明解决了现有技术中的硫酸钙晶须的偶联效果差的问题。
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公开(公告)号：CN117344367A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311174051.1
申请日：2023-09-11
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种笼目结构单晶的生长方法。该笼目结构单晶的生长方法包括步骤：将铑粉和硫粉进行研磨，再和铅丸置于石英管内抽真空并封管，将石英管升温并保温，然后降温并保温，对石英管进行离心处理，得到笼目结构的Rh3Pb2S2单晶。本发明首次公开了笼目结构Rh3Pb2S2单晶的合成方法，其工艺简单，所需原材料容易获取，所需生长周期短，能耗低，且笼目结构Rh3Pb2S2单晶的生长成功率高达100％。通过该单晶生长方法制得的Rh3Pb2S2单晶完整性好，尺寸大，结晶性好，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶的质量可保证满足多种科研与应用要求。
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公开(公告)号：CN117328145A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311276077.7
申请日：2023-09-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为LaMg6Ga6S16，分子量为1787.30，结晶于六方晶系，空间群为P，晶胞参数为a=b=16.6927(4)Å，c=7.4065(3)Å，V=1787.30(11)Å3。采用助熔剂法及坩埚下降法制成。均可获得尺寸大于3.50×0.50×0.10 mm3的硫镓镁镧红外非线性光学晶体；使用大尺寸坩埚，并延长生长期，则可获得相应较大尺寸硫镓镁镧红外非线性光学晶体。该晶体具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
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公开(公告)号：CN117305979A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311309773.3
申请日：2023-10-10
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明提供一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：制备具有活性层的氧化铝衬底；键合预清洁的硅基衬底和该氧化铝衬底；剥离氧化铝活性层得到复合衬底；在该复合衬底上沉积二维材料得到基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料。通过该方法可以直接在硅基衬底上外延生长二维半导体材料，避免了二维半导体材料的转移过程，既降低了二维半导体材料的生产成本，又提高了其质量。
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公开(公告)号：CN117293217A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311230354.0
申请日：2023-09-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C30B28/12 , C30B29/46 , C23C14/30 , C23C14/18
摘要： 本发明涉及一种碲锌镉X射线探测器及其制备方法与应用，包括Al2O3衬底、碲锌镉厚膜、金属电极和带有像素电极的厚膜晶体管。Al2O3衬底上依次沉积碲锌镉厚膜和金属电极，金属电极与厚膜晶体管上的像素电极倒置连接。厚膜晶体管采用倒装结构，通过倒装结构使Al2O3衬底成为X射线的入射窗口。与现有技术相比，本发明采用Al2O3衬底和厚膜晶体管倒装结构，可以提升碲锌镉厚膜的质量和探测器的检测能力，对X射线响应良好。
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公开(公告)号：CN117166061A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310975814.6
申请日：2023-08-04
申请人： 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
摘要： 本发明涉及一种具有超高电子迁移率的体绝缘拓扑绝缘体单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。所述单晶的化学通式为SnxBi1‑xSbTeSe2，其中，0.01≤x≤0.05。采用两步法制备拓扑绝缘体单晶，先采用熔融法获得SnxBi1‑xSbTeSe2前驱体，再利用垂直布里奇曼法制备单晶。微量的Sn掺杂可以极大的降低体系中的BiTe反位缺陷，采用微量Sn替换BiSbTeSe2材料中的Bi位，可降低体态的载流子浓度，显著提高单晶材料表面态电子迁移率和体绝缘特性。
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