公开(公告)号：CN117276413A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311378672.1

申请日：2023-10-23

申请人： 国电投新能源科技有限公司 ,  国电投新能源科技(龙港)有限公司

发明人： 刘刚 ,  王伟 ,  田宏波 ,  李世岚 ,  宿世超 ,  邹思云

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制备方法,包括以下步骤，将硅片至于KOH溶液中反应，得到双面制绒结构的制绒硅片，制绒硅片第二面抛光；在硅片双面都沉积一层非晶硅；在硅片双面都沉积一层TCO导电薄膜；在硅片双面制备一层金属种子层；在硅片第一面使用感光材料形成第一电镀掩膜，硅片第二面使用热固材料形成第二电镀掩膜或者使用喷墨打印的方式，使用热熔蜡材料形成第二电镀掩膜；在硅片沟槽图形层处电镀铜栅线；绒面和抛光的形式，降低油墨的流动性，抛光可以使透射到第二面的长波段的光再反射到硅片，有利于光的吸收；使用光固油墨和热固油墨去替代常规的干膜，降低制作成本，减少加工步骤，提升电池片效率。

公开(公告)号：CN117276358A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311164483.4

申请日：2023-09-08

申请人： 通威太阳能(安徽)有限公司

发明人： 王陈

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0747

摘要： 本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种膜层结构、太阳电池及光伏组件。该膜层结构包括依次堆叠的第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层包括IWO材料，第二透明导电层的掺铟比例大于97％且厚度为50nm～60nm。第二透明导电层的含铟比例相比于ITO更高，能够提高载流子迁移率，改善膜层界面接触性，能够有效接触第一透明导电层。IWO能够弥补单一膜层对长波吸收不足，配合第二透明导电层的高载流子迁移率，综合提高光照吸收。由于二者综合性能提升，可减薄第二透明导电层的厚度至50nm～60nm，远小于ITO透明导电层近100nm，使得总含铟量相比于ITO透明导电层更低，能够减少铟元素的使用量，实现降本增效，在少铟化的同时提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN112640135B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201980057530.0

申请日：2019-05-16

申请人： 株式会社钟化

发明人： 寺下彻

IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供一种能够提高输出、提高外观设计性以及提高生产率的太阳能电池器件。太阳能电池器件(1)具备多个太阳能电池单元(2)。多个太阳能电池单元中的相邻的太阳能电池单元中的一个太阳能电池单元(2)的一方端侧的一方主面侧的一部分重叠于另一个太阳能电池单元(2)的另一方端侧的另一方主面侧的一部分之下，太阳能电池单元(2)是背面电极型的太阳能电池单元，该太阳能电池单元具备与第一导电型半导体层对应地形成于一方端侧的另一方主面侧的第一电极(28b)和与第二导电型半导体层对应地配置于另一方端侧的另一方主面侧的第二电极(38b)。连接部件(6)形成为由导电层(6a)和层叠于导电层的太阳能电池单元侧的树脂层(6b)构成的带状，连接部件(6)的一方端部与一个太阳能电池单元的第一电极(28b)连接，连接部件(6)的另一方端部与另一个太阳能电池单元的第二电极(38b)连接。

公开(公告)号：CN117253926A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202210649567.6

申请日：2022-06-10

申请人： 上海交通大学

发明人： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  马胜

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 一种化学钝化与场效应钝化协同效应的晶硅异质结双面太阳电池及其制备方法，n型单晶硅或p型单晶硅衬底、位于衬底一侧且作为发射极层或窗口极层的硼掺杂氢化纳米硅薄膜层以及由内向外依次设置于衬底上的氧化铝薄层、硼掺杂氢化纳米硅薄膜层、透明导电层和金属电极、位于衬底另一侧且作为窗口层或发射极层的磷掺杂氢化纳米硅薄膜层以及由内向外依次设置于衬底上的氢化非晶氮氧化硅薄层、磷掺杂氢化纳米硅薄膜层、透明导电层和金属电极。本发明通过采用具有高固定电荷的氧化物薄层起到钝化层和隧穿层的作用，从隧穿氧化物层的场效应钝化、隧穿氧化物层以及纳米硅薄膜层的化学钝化两个维度，运用复合钝化协同效应增强钝化效果的同时减少钝化层产生的光吸收。

公开(公告)号：CN113921661B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202111114265.0

申请日：2021-09-23

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 马哲国 ,  陈金元

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505

摘要： 本发明提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述方法首先通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒清洗；然后通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着通过第一、第二、第三N型PECVD工艺分别在第一本征非晶硅层上依次形成第一、第二以及第三N型非晶微晶混合层；接着通过P型PECVD工艺在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；然后在第三N型非晶微晶混合层以及P型非晶硅层上分别形成第一以及第二透明导电膜；最后通过丝网印刷工艺在第一以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极。本发明能解决生产节拍过慢、产能较低、低温下非晶硅薄膜品质差

公开(公告)号：CN117117023A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311298960.6

申请日：2023-10-08

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 陈达明 ,  杨广涛 ,  陈奕峰

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216

摘要： 本申请提供了一种异质结背接触电池及其适用的电池组件。异质结背接触电池包括硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面，其中，第一表面更靠近电池的受光面、第二表面更靠近电池的背光面，且第二表面包括多个相邻且交替排布的A区段和B区段；钝化层，位于第一表面与受光面之间；隧穿氧化层和与硅衬底具有相同导电类型的第一薄膜层，隧穿氧化层和第一薄膜层在A区段上向远离第二表面的方向依次叠加；以及本征非晶硅层和与硅衬底具有相反导电类型的第二薄膜层，本征非晶硅层和第二薄膜层在B区段上向远离第二表面的方向依次叠加。

公开(公告)号：CN117096211A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311158685.8

申请日：2023-09-08

申请人： 东方日升(江苏)新能源有限公司

发明人： 胡玉婷 ,  刘霖 ,  舍赫罗兹·拉扎克 ,  任明冲 ,  杨伯川

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种高效异质结太阳能电池片及其制备方法、光伏组件，属于异质结电池技术领域，包括硅基体，其正背面均设置有本征非晶硅层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属电极；透明导电薄膜层包括第一薄膜区域和第二薄膜区域，第一薄膜区域的载流子浓度小于第二薄膜区域的载流子浓度，第一薄膜区域的透过率大于第二薄膜区域的透过率，且第一薄膜区域的功函数与第二薄膜区域的不同。在透明导电薄膜上设置第一薄膜区域和第二薄膜区域，并控制第二薄膜区域和第一薄膜区域的载流子浓度、透过率和功函数，在降低透明导电薄膜与金属的接触电阻的同时，不影响见光区域透明导电薄膜的性质，从而提升电池的填充因子，达到提升电池转换效率的目的。

公开(公告)号：CN117059680A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310987860.8

申请日：2023-08-08

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 曾俞衡 ,  王太强 ,  叶继春 ,  廖明墩 ,  杜浩江 ,  刘伟 ,  杨阵海

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供了一种硅异质结太阳能电池及其金属化方法，硅异质结太阳能电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的正面依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅/微晶硅层、第一透明导电氧化物层、第一过渡金属层和第一栅线电极，所述晶硅衬底的背面依次设置有第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅/微晶硅层、第二透明导电氧化物层、第二过渡金属层和第二栅线电极。本发明的硅异质结太阳能电池在金属栅线电极与透明导电氧化物之间设置了一层过渡金属层，增加了TCO与金属栅线之间的粘附力，有利于获得均匀致密无孔洞的种子层，同时有效得降低了金属与TCO的接触电阻，有利于提高电池效率。

公开(公告)号：CN116936687A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311198439.5

申请日：2023-09-18

申请人： 金阳(泉州)新能源科技有限公司

发明人： 林楷睿

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域，具体涉及联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法，方法包括：S101、提供双面抛光并清洗后的硅片；S102、在硅片的背面依次形成第一半导体层、掩膜层，S103、背面形成第二半导体开口区；S104、先通过碱溶液进行制绒，在硅片正面形成绒面，同时在第二半导体开口区的侧面边缘形成边缘侧蚀区；之后通过超声波工艺进行清洗，通过清洗溶液进行清洗；S105、正面形成钝化层；S106、背面形成第二半导体层；S107、正面形成减反层。本发明显著提升了钝化效果，简化了工艺流程，提高了产品的可靠性，提高电池的少子寿命，从而提升电池转换效率。

公开(公告)号：CN116936679A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310977590.2

申请日：2023-08-03

申请人： 通威太阳能(安徽)有限公司

发明人： 徐磊 ,  顾峰 ,  余义

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池生产设备。上述制备方法在单晶硅片上依次沉积本征非晶硅层、掺杂微晶硅层和透明导电层，并包括以下步骤中的一个或者多个：在沉积所述掺杂微晶硅层之前，对所述第一硅片进行第一退火处理；在沉积所述透明导电层之前，对所述第二硅片进行第二退火处理；对所述第三硅片进行第三退火处理。上述制备方法能够提高电池的光电转换效率。