本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域，具体涉及联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法，方法包括：S101、提供双面抛光并清洗后的硅片；S102、在硅片的背面依次形成第一半导体层、掩膜层，S103、背面形成第二半导体开口区；S104、先通过碱溶液进行制绒，在硅片正面形成绒面，同时在第二半导体开口区的侧面边缘形成边缘侧蚀区；之后通过超声波工艺进行清洗，通过清洗溶液进行清洗；S105、正面形成钝化层；S106、背面形成第二半导体层；S107、正面形成减反层。本发明显著提升了钝化效果，简化了工艺流程，提高了产品的可靠性，提高电池的少子寿命，从而提升电池转换效率。