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公开(公告)号：CN119690880A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411857799.6
申请日：2024-12-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种RDMA网络下的队列存储管理系统，包括FPGA平台上运行的数据管理模块、网络传输模块、数据存储模块、队列管理模块；所述数据管理模块分别与网络传输模块、数据存储模块、队列管理模块双向互联；所述数据管理模块包括主控处理子模块，逻辑控制子模块，数据缓存子模块，数据检查及处理子模块；主控处理子模块分别与逻辑控制子模块、数据缓存子模块、数据检查及处理子模块双向互联，控制本系统的整体工作逻辑，包括数据存储管理和数据传输的调度、工作状态控制、系统资源的动态分配及异常状态处理与容错机制启动；可以更灵活的部署在各种应用场景；对于接口的多级抽象，将网络层队列处理及存储层队列处理对于用户层级隐藏，用户无需关心数据传输过程中如何处理队列，只需要关心指令传输的正确性即可，进一步提高了系统的易部署性、易用性，具有运行高效，部署灵活，可用性高的优点。
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公开(公告)号：CN116938241A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310672877.4
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称性寄生校准分段电容阵列，包括正端电容阵列和负端电容阵列，所述电容阵列包括采样电容、转换电容、校准电容以及补偿电容；所述采样电容采用简单的开关时序，可消除由高段寄生电容带来的增益误差；所述转换电容采用分段电容阵列结构，减少电容个数和面积；所述校准电容用于校准由桥接电容的寄生电容以及LSB阵列寄生导致的非线性；所述补偿电容使正端与负端两端电容阵列相匹配。本发明的校准电路及其校准时序实现简单，功耗低。
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公开(公告)号：CN115903990A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310031079.3
申请日：2023-01-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路，包括开启电路、一阶带隙、亚阈值正温电流和补偿电路四个部分；所述开启电路用于消除PTAT电流产生电路的简并偏置点，让其能够正常稳定工作；所述一阶带隙用于对输出电压进行一阶补偿，得到一个近零温的电压，并且产生一个斜率较大的正温电流；所述亚阈值正温电流电路用于产生的一路斜率小于一阶带隙电路产生的正温电流；所述补偿电路利用减法电路对两路正温电流进行处理，将一阶补偿后的电流分别在高温阶段和低温阶段进行抽取从而得到温度系数更低的输出电压。本发明通过两个斜率不同的正温电流来实现分段补偿。
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公开(公告)号：CN115189654A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210814830.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种环形放大器电路，分为第一级、第二级和第三级结构，形成三级结构，所述第一级、第二级和第三级之间的耦合方式为直接耦合；第一级包括负反馈PMOS管MPR、M1和M2，输入信号直接连接到M1管的栅端和M2管的栅端，MPR的栅端与M1管的漏端和M2的漏端相连接，M1和M2工作在共源放大器模式；第二级包括PMOS管M3、电阻R和NMOS管M4，都工作在共源放大器模式，使用电阻R代替传统的VOS偏压方式；第三级包括两个高阈值管MRP和MRN，工作在共源放大器模式，其阈值电压大于第一级的M1管、M2管以及第二级的M3管、M4管的阈值电压；本发明通过将整个环形放大器的输入和输出短接，从而消除环形放大器整体自偏置电压和共模的失调，使得输出摆幅得以最大化。
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公开(公告)号：CN113433998A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110763311.3
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种功率驱动器，包括驱动电路和自举电路，自举电路包括MOS管M5，MOS管M5的源极和栅极均由外部电源VM供电，MOS管M5的漏极接驱动电路中自举电容Cb的高压端。本发明中功率驱动器的自举电路使用外部电源VM对驱动电路中的自举电容充电，在使用较高的外部电源VM时，避免了二极管的堆叠，同时也降低了线性稳压器LDO的设计难度，减小了LDO的功耗和产热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109586696B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811450107.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种用于动态比较器的失调电压校正电路，主要解决现有技术未能直接对比较器输入支路进行电流补偿的问题，其包括校正启动电路，相位探测器，计数器、多倍率开关电流源及比较器。比较器通过相位探测器与计数器连接，触发信号产生电路连接在相位探测器的输入端，多倍率开关电流源连接在比较器与计数器之间。在外界信号作用下，触发信号产生电路启动相位探测器控制计数器工作，计数器输出信号改变多倍率开关电流源对比较器输入支路进行补偿的电流值以降低失调电压。本发明直接对比较器输入支路进行电流补偿，提高了校正电路线性度，降低校正电路功耗和面积。
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公开(公告)号：CN103427780A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310391024.X
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五位数字信号独立控制工作，通过共面波导传输线进行相邻衰减模块间，以及与50Ω的输入和输出阻抗之间的匹配，工作频率范围为0～50GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、工作频段宽、电路结构简单的优点，可用于处理大功率信号的射频/微波系统。
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公开(公告)号：CN100370625C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510096162.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板12；在漏区内设有低浓度P型区5，该P型区里设有P+区7D，该P+区的两边均设有P型漂移区4D，源区中间设有N+接触区6，该N+接触区的两边均设有P+区7S，每个P+区的一边各设有P型漂移区4S。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，进行外延层场氧化，淀积并刻蚀多晶硅栅，在外延层上依次注入漏区的低浓度的P型区、源区的N+接触区、漏区的P+区、源区的P+区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN2836241Y
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200520079518.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本实用新型发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构。该结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板12；在漏区内设有低浓度P型区5，该P型区里设有P+区7D，该P+区的两边均设有P型漂移区4D，源区中间设有N+接触区6，该N+接触区的两边均设有P+区7S，每个P+区的一边各设有P型漂移区4S。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN215186703U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121549086.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本实用新型公开了相位插值电路及时钟数据恢复电路，相位插值电路包括数模转换器和相位插值器，数模转换器和相位插值器的数量均为多个，多个相位插值器依次串联，多个数模转换器分为两组分别电连接在串联后的相位插值器的两端。本实用新型的电路将相位插值电路与双路径电荷泵锁相环相结合，工作逻辑正确，可以实现相位插值功能，并且相位插值步长适中，精度高，可以根据外置数控位精确选择确定相位的时钟。
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