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公开(公告)号：CN114649491B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210261628.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。
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公开(公告)号：CN118019422A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410153460.1
申请日：2024-02-04
Applicant: 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
Abstract: 本发明涉及一种制备高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于，按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑全彩发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备所述全彩量子点发光二极管，其中全彩发光层的制备方法为：先将红色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成红色量子点横线条，再将绿色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成绿色量子点竖线条，而后将蓝色量子点旋涂到基板上，形成红绿蓝三种颜色规则排列的全彩发光层。该方法操作简易，产率高，适用于高分辨全彩量子点发光二极管的大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN113937243B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
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公开(公告)号：CN116987505A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310871483.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有窄发射光谱的磷化铟量子点制备方法，先制备透明澄清的铟前驱体溶液；然后在第一温度下加入磷源，恒温反应获得均一尺寸的磷化铟核；在第二温度下，采用梯度变温溶液生长法包覆硫硒锌合金内壳层；然后升温至第三温度，恒温合成硫化锌外壳层，形成InP/ZnSeS/ZnS的磷化铟多壳层量子点。本发明方法通过渐变式升温进行内壳层包覆，减少了核壳间的缺陷，制备的磷化铟量子点最大量子产率超过90%，且半峰宽在36nm左右，这种梯度升温生长内壳层方法有望推动窄发射谱磷化铟量子点在下一代高色域显示方面的应用。
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公开(公告)号：CN113707769B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110973110.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法，通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层，以缩小发光单元尺寸及消除漏电流，可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取，绝缘材料体系局限性小，可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层，免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染，将其应用于LED中，可降低甚至消除器件中的漏电流，减少能量损耗，实现高效发光，配合RGB单色发光材料或白光发光材料，可实现高分辨率全彩LED点阵。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937242B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110984773.8
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113937230B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
IPC: H10K50/115 , H10K71/13
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN115725297B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211580457.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料及其制备方法，其是以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上生长硫化镉平面，从而制备出纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法和核‑种子侧向壳生长法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，其方便可行，所制备的材料具有连续的PN异质结构、匹配的能带结构、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示和光电探测等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116528632A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554258.5
申请日：2023-05-17
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种离子液体改进蓝光硒化镉QLED空穴传输能力的方法，包括疏水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟化磷盐（BMIMPF6），量子点发光二极管器件。通过将一定量的BMIMPF6掺杂在传统的空穴传输材料聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑co‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）中，与TFB溶液完全混合、相溶。本发明通过使用导电性良好的离子液体BMIMPF6掺杂在导电聚合物TFB中，使得蓝光QLED器件的开启电压、外量子效率与器件寿命都得到一定提升，解决了蓝光硒化镉器件高开启电压与低稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN113512416B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
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