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公开(公告)号：CN116528606A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554256.6
申请日：2023-05-17
IPC: H10K50/115 , H10K50/80 , H10K77/10 , H10K71/12 , H10K71/60
Abstract: 本发明涉及一种柔性图案化量子点LED及其制备方法。通过引入了具有图案化绝缘膜层，获得柔性图案化量子点LED并减少量子点层受挤压时受到的应变与应力。由于量子点层的弹性模量远大于其他功能层，因此柔性图案化量子点LED在折叠或者卷曲过程中，量子点层最先受到破坏并发生膜层分离，通过引入弹性模量较小的图案化绝缘膜层减少量子点层在折叠或者卷曲过程中所受应变与应力，避免引起量子点层发生破坏与膜层分离，从而可以避免/降低柔性图案化量子点LED失效的问题，提高了柔性图案化量子点LED的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN116528632A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554258.5
申请日：2023-05-17
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种离子液体改进蓝光硒化镉QLED空穴传输能力的方法，包括疏水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟化磷盐（BMIMPF6），量子点发光二极管器件。通过将一定量的BMIMPF6掺杂在传统的空穴传输材料聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑co‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）中，与TFB溶液完全混合、相溶。本发明通过使用导电性良好的离子液体BMIMPF6掺杂在导电聚合物TFB中，使得蓝光QLED器件的开启电压、外量子效率与器件寿命都得到一定提升，解决了蓝光硒化镉器件高开启电压与低稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN116654915A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310596476.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种以泡沫铜作催化剂制备垂直石墨烯阵列的方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置在泡沫铜表面上，然后将放置有衬底的泡沫铜置于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统的反应腔内；S2、对PECVD系统的反应腔进行抽真空，待真空度达到要求后，向PECVD系统内通入氩气气体，营造惰性气体氛围；S3、以设定的升温速率将反应腔的温度升至600~800℃，然后通入设定量的碳源，并打开等离子体进行辐照，恒温反应1~2小时；S4、恒温反应结束后，关闭碳源和等离子体，冷却，制备得到垂直石墨烯阵列。该方法有利于快速、低温、高效地制备得到高质量的垂直石墨烯阵列。
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公开(公告)号：CN118647248A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410774409.2
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法，其全彩发光层的制备过程为：先使用小周期的条状PDMS模板通过转印技术在水平和垂直方向各转印一次阻挡层材料以形成网格状阻挡层，再使用两倍于小周期的的大周期条状PDMS模板在水平和垂直方向分别转印第一量子点和第二量子点，最后旋涂第三量子点，得到高分辨全彩发光层。可以实现高分辨全彩QLED器件中红、绿、蓝三种量子点的像素分离和精确定位，提高器件的色彩饱和度和显示效果。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN116847698A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310879516.7
申请日：2023-07-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化亲水疏油绝缘材料制备微纳QLED的方法。在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极，所述图案化绝缘材料的制备方法为：预先制备蜂窝状PDMS印章；在空穴传输层上旋涂聚合物薄膜；用PDMS在聚合物上压印，即可得到柱状聚合物薄膜；在柱状聚合物薄膜上旋涂绝缘材料，然后用溶剂将聚合物洗掉；用氟硅烷对绝缘材料进行化学气相沉积处理。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117979732A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410133239.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/16 , H10K50/115 , H10K50/858 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/60 , H10K71/20
Abstract: 本发明提供了一种双微透镜阵列结合“猫眼结构”量子点LED及其制备方法，这种量子点LED包括两个关键部分：一是带有镀银层的微透镜阵列结构电子传输层，此部分的镀银表面可以反射器件内没有直接逸出的光线，同时微透镜阵列结构会改变这些反射光线的传播方向，进一步优化光的提取；二是位于基板出光一侧的微透镜阵列出射层，该部分可以有效抑制衬底模式的全反射，增强器件的光输出耦合。两者结合的“猫眼结构”，可以提高量子点LED的出光效率，从而在显示和照明应用中实现了更高的性能。这种结构灵感来源于自然界中有效加强光收集的猫眼结构，包括较宽的眼前房和可以反射光的照膜。本发明源自生物启发的设计理念为QLED技术提供了新的设计方向和实用应用。
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公开(公告)号：CN117939970A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410136385.8
申请日：2024-01-31
Applicant: 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
IPC: H10K71/00 , H10K71/10 , H10K71/60 , H10K50/115 , H10K50/125
Abstract: 本发明涉及一种高分辨全彩量子点薄膜及其相关发光器件制备方法，高分辨全彩量子点薄膜的制备方法为：通过光刻法制备周期性像素基板单元，基板单元为三级阶梯状，再对其进行透明电极ITO溅射和空穴传输层处理；通过LB膜技术产生第一颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入，使基板单元三级台阶表面均沾有第一颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上两级台阶上的量子点薄膜；继续通过相似的操作使基板单元上面两级台阶表面分别沾有第二、第三颜色单量子点薄膜；从而得到沾染不同颜色量子点的三级台阶基板单元，实现高分辨全彩显示。再基于所述高分辨全彩量子点薄膜制备QLED。该方法操作简易，可以制备出高性能的高分辨全彩显示单元。
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公开(公告)号：CN117067468A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310879518.6
申请日：2023-07-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于旋涂法和喷墨打印的薄膜制膜机。结合了旋涂法和喷墨打印制膜时的各自优点，主要包含中心圆筒支柱，所述圆筒支柱与外部电机相连可以带动机器旋转；所述圆筒支柱可安装可拆卸的喷墨打印头及物料存储器；所述圆筒支柱上套有可以旋转的转盘，转盘半径可依据生产要求进行更改，通过卡扣与物料盘连接；所述物料盘为可拆卸盘内部的构造可以依据生产要求就行更改，以便降低成本；所述转盘外还有一层保护壳。利用旋涂法的离心原理使薄膜均匀，而利用喷墨打印可以减少物料的损耗。此设备结构简单，便于用于大规模的量子点发光二极管器件薄膜制备。
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公开(公告)号：CN116685159A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310749107.5
申请日：2023-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/85 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种表面等离子共振增强超高分辨QLED器件及其制备方法，制备完成的QLED器件结构包括：ITO玻璃基板（6）、空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）、电子传输层（2）和金属阴极（1），其中，空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）设置在由绝缘聚合物与嵌入其中具有表面等离子增强效应的纳米颗粒组成的图形化像素阻隔层（7）的孔隙中。本发明通过将功能层涂布在像素阻隔层的孔隙中构建发光单元，实现高分辨图案化像素阵列。嵌入在绝缘聚合物层中的纳米颗粒与量子点无接触，产生强的表面等离子共振增强荧光效应，从而提升器件的发光效率、寿命以及稳定性。
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公开(公告)号：CN119342982A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437191.8
申请日：2024-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/13 , H10K50/16 , H10K50/165 , H10K71/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种基于光交联的叠层量子点发光二极管及其全溶液制备方法，属于显示技术领域。所述基于光交联的叠层量子点发光二极管包括自下而上依次设置的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、交联电子传输层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二量子点发光层、电子传输层、金属阴极。其中，交联电子传输层与第二空穴注入层共同构成连接层。所述交联电子传输层是通过将含光敏剂的可交联聚合物与电子传输层材料共混形成墨水，经旋涂和紫外光照处理后得到。本发明不仅有助于提高电子传输层的耐溶性和平整性，增强连接层的电荷生成能力，同时还能有效保护下层功能层免受上层功能层溶剂的侵蚀，从而有利于器件整体性能的提升。
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