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公开(公告)号：CN116987505A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310871483.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有窄发射光谱的磷化铟量子点制备方法，先制备透明澄清的铟前驱体溶液；然后在第一温度下加入磷源，恒温反应获得均一尺寸的磷化铟核；在第二温度下，采用梯度变温溶液生长法包覆硫硒锌合金内壳层；然后升温至第三温度，恒温合成硫化锌外壳层，形成InP/ZnSeS/ZnS的磷化铟多壳层量子点。本发明方法通过渐变式升温进行内壳层包覆，减少了核壳间的缺陷，制备的磷化铟量子点最大量子产率超过90%，且半峰宽在36nm左右，这种梯度升温生长内壳层方法有望推动窄发射谱磷化铟量子点在下一代高色域显示方面的应用。
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